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公开(公告)号：CN101546783A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910130660.0
申请日：2009-03-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/336 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28282 , H01L21/31604 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66833
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。在半导体器件中，侧壁由SiO2、SiN或SiON构成，并且顶部绝缘膜或栅极绝缘膜由包括Al、Si和金属元素M的氧化物构成，使得数量比Si/M被设置为不小于在包括金属元素M和Al的复合氧化物中的SiO2组分处于固溶度极限的情况下的数量比Si/M、并且被设置为不大于在介电常数等于Al2O3的介电常数的情况下的数量比Si/M，并且使得数量比Al/M被设置为不小于在由于Al元素而抑制了所述金属元素M的氧化物的结晶的情况下的数量比Al/M、并且被设置为不大于在由于金属元素M而抑制了Al2O3的结晶的情况下的数量比Al/M。
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公开(公告)号：CN101515599A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910007879.1
申请日：2009-02-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/792
CPC classification number: H01L29/792 , H01L29/42348 , H01L29/513 , H01L29/518
Abstract: 一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。
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公开(公告)号：CN100382332C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410059597.3
申请日：2004-02-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/30
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 公开了一种半导体器件，包括衬底；在上述衬底上形成并且含有金属、Si、N和O的绝缘薄膜，含有大于金属-金属键与金属-硅键的总和的金属-N键的绝缘薄膜；以及形成在上述衬底薄膜上的电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1551371A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410059597.3
申请日：2004-02-06
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/78 , H01L21/283 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/30
CPC classification number: H01L21/28185 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L29/517 , H01L29/518
Abstract: 公开了一种半导体器件，包括衬底；在上述衬底上形成并且含有金属、Si、N和O的绝缘薄膜，含有大于金属－金属键与金属－硅键的总和的金属－N键的绝缘薄膜；以及形成在上述衬底薄膜上的电极。
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公开(公告)号：CN101515599B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910007879.1
申请日：2009-02-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/792
CPC classification number: H01L29/792 , H01L29/42348 , H01L29/513 , H01L29/518
Abstract: 一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。
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公开(公告)号：CN101546783B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200910130660.0
申请日：2009-03-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/336 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28282 , H01L21/31604 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66833
Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。在半导体器件中，侧壁由SiO2、SiN或SiON构成，并且顶部绝缘膜或栅极绝缘膜由包括Al、Si和金属元素M的氧化物构成，使得数量比Si/M被设置为不小于在包括金属元素M和Al的复合氧化物中的SiO2组分处于固溶度极限的情况下的数量比Si/M、并且被设置为不大于在介电常数等于Al2O3的介电常数的情况下的数量比Si/M，并且使得数量比Al/M被设置为不小于在由于Al元素而抑制了所述金属元素M的氧化物的结晶的情况下的数量比Al/M、并且被设置为不大于在由于金属元素M而抑制了Al2O3的结晶的情况下的数量比Al/M。
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公开(公告)号：CN100524643C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710100937.6
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/31 , H01L21/3105 , H01L21/314 , H01L29/51
CPC classification number: H01L21/31604 , C23C14/08 , C23C14/5806 , C23C14/5853 , H01L21/02148 , H01L21/02159 , H01L21/02161 , H01L21/02266 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L21/28194 , H01L21/28282 , H01L21/31608 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11568 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供尽量提高介电常数且降低制造成本的半导体装置及其制造方法。该方法具有：在半导体基板上形成包含(HfzZr1-z)xSi1-xO2-y(0.81≤x≤0.99、0.04≤y≤0.25、0≤z≤1)的非晶态膜的步骤；在含有氧的气氛中对所述非晶态膜进行大于等于750℃的退火处理，形成包含正方晶(HfzZr1-z)xSi1-xO2的绝缘膜的步骤；所述组成中的x、y、z的范围是由XPS法测定的值。
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公开(公告)号：CN101064252A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710100937.6
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/31 , H01L21/3105 , H01L21/314 , H01L29/51
CPC classification number: H01L21/31604 , C23C14/08 , C23C14/5806 , C23C14/5853 , H01L21/02148 , H01L21/02159 , H01L21/02161 , H01L21/02266 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L21/28194 , H01L21/28282 , H01L21/31608 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11568 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/7881 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供尽量提高介电常数且降低制造成本的半导体装置及其制造方法。该方法具有：在半导体基板上形成包含(HfzZr1－z)xSi1－xO2－y(0.81≤x≤0.99、0.04≤y≤0.25、0≤z≤1)的非晶态膜的步骤；在含有氧的气氛中对所述非晶态膜进行大于等于750℃的退火处理，形成包含正方晶(HfzZr1－z)xSi1－xO2的绝缘膜的步骤；所述组成中的x、y、z的范围是由XPS法测定的值。
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