公开(公告)号：CN100521210C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610164166.2

申请日：2006-12-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  市原玲华 ,  土屋义规 ,  上牟田雄一 ,  西山彰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备：衬底；在上述衬底上形成的p沟道MIS晶体管，上述p沟道MIS晶体管在n阱中形成，具备在上述n阱上形成的第1栅绝缘膜和由在上述第1栅绝缘膜上形成的结晶质Ta-C合金构成的第1栅电极，在上述第1栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]大于等于80%；在上述衬底上形成的n沟道MIS晶体管，上述n沟道MIS晶体管在p阱中形成，具备在上述p阱上形成的第2栅绝缘膜和由在上述第2栅绝缘膜上形成的结晶质Ta-C合金构成的第2栅电极，在上述第2栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]小于等于60%。

公开(公告)号：CN1505171A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310119783.7

申请日：2003-12-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  西山彰 ,  中崎靖 ,  铃木正道 ,  上牟田雄一 ,  金子明生

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体器件包括衬底和MISFET，MISFET包括在衬底中形成的源极－漏极区和在衬底上形成的栅电极，并且栅极绝缘膜介于它们之间。该栅极绝缘膜由包含金属－氧－氮键链的金属氮氧化合物膜形成。可选地，栅极绝缘膜由包含金属－氧－氮键链和硅－氧－氮键链中至少一种的渗氮金属硅酸盐膜形成。

公开(公告)号：CN101320734A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810125529.0

申请日：2008-06-10

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社日立国际电气 ,  株式会社东芝

Inventor： 岩本邦彦 ,  小川有人 ,  上牟田雄一

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/517 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/513

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其具有对称平带电压、相同栅电极材料且高介电常数层的CMISFET。nMISFET具备：第一栅绝缘膜(16)，其配置于半导体基板(10)表面上；第一金属氧化物层(20)，其配置于第一栅绝缘膜(16)上，且具有由M1xM2yO(M1＝Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu，M2＝Hf、Zr、Ta，x/(x+y)＞0.12)表示的组成比；第二金属氧化物层(24)；第一导电层(28)，其配置于第二金属氧化物层(24)上，pMISFET具备：配置于半导体基板(10)表面上的第二栅绝缘膜(18)；第三金属氧化物层(22)，其配置于第二栅绝缘膜(18)上，且具有由M3zM4wO(M3＝Al，M4＝Hf、Zr、Ta，z/(z+w)＞0.14)表示的组成比；第四金属氧化物层(26)；第二导电层(30)，其配置于第四金属氧化物层(26)上。

公开(公告)号：CN101009282A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610164166.2

申请日：2006-12-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山正人 ,  市原玲华 ,  土屋义规 ,  上牟田雄一 ,  西山彰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842

Abstract: 一种半导体装置，其特征在于具备：衬底；在上述衬底上形成的p沟道MIS晶体管，上述p沟道MIS晶体管在n阱中形成，具备在上述n阱上形成的第1栅绝缘膜和由在上述第1栅绝缘膜上形成的结晶质Ta－C合金构成的第1栅电极，在上述第1栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]大于等于80％；在上述衬底上形成的n沟道MIS晶体管，上述n沟道MIS晶体管在p阱中形成，具备在上述p阱上形成的第2栅绝缘膜和由在上述第2栅绝缘膜上形成的结晶质Ta－C合金构成的第2栅电极，在上述第2栅电极的膜厚方向上的TaC(111)面的结晶取向比率[TaC(111)面/{TaC(111)面+TaC(200)面}]小于等于60％。

公开(公告)号：CN100382332C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410059597.3

申请日：2004-02-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小池正浩 ,  小山正人 ,  井野恒洋 ,  上牟田雄一 ,  高岛章 ,  铃木正道 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括衬底；在上述衬底上形成并且含有金属、Si、N和O的绝缘薄膜，含有大于金属-金属键与金属-硅键的总和的金属-N键的绝缘薄膜；以及形成在上述衬底薄膜上的电极。

公开(公告)号：CN1551371A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410059597.3

申请日：2004-02-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小池正浩 ,  小山正人 ,  井野恒洋 ,  上牟田雄一 ,  高岛章 ,  铃木正道 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括衬底；在上述衬底上形成并且含有金属、Si、N和O的绝缘薄膜，含有大于金属－金属键与金属－硅键的总和的金属－N键的绝缘薄膜；以及形成在上述衬底薄膜上的电极。