公开(公告)号：CN101540327A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910128787.9

申请日：2009-03-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小池正浩 ,  三谷祐一郎 ,  中崎靖 ,  小山正人

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供一种具有以下隧道绝缘膜的非易失性半导体存储装置，该隧道绝缘膜即使将EOT作薄也能抑制低电场中的泄漏电流，并且提高高电场中的泄漏电流。该非易失性半导体存储装置包括存储元件，该存储元件包括：半导体基板；在半导体基板上隔开地形成的源区和漏区；第1绝缘膜，形成在源区和漏区之间的半导体基板上，具有通过添加与基材不同的元素而形成的捕获和释放电子的位置的、包括不同介电常数的绝缘层，上述捕获和释放电子的位置处于比构成上述半导体基板的材料的费米能级高的能级；在上述第1绝缘膜上形成的电荷蓄积膜；在上述电荷蓄积膜上形成的第2绝缘膜；以及在上述第2绝缘膜上形成的控制栅电极。

公开(公告)号：CN100379002C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510077953.9

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奈良明子 ,  小池正浩 ,  三谷祐一郎

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8247

Abstract: 提供一种非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件包括：栅电极部分，该栅电极部分由通过隧道绝缘膜在第一导电类型的半导体衬底的主面上形成的浮栅电极、在浮栅电极上形成并由两种或更多种类型的高介电材料形成的三层或更多层的层叠结构膜形成的电极间绝缘膜、和通过电极间绝缘膜在浮栅电极上形成的控制栅电极构成；和第二导电类型的源区和漏区，该源区和漏区在衬底的主面上形成，使得在源区和漏区之间配置栅电极部分。

公开(公告)号：CN100382332C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410059597.3

申请日：2004-02-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小池正浩 ,  小山正人 ,  井野恒洋 ,  上牟田雄一 ,  高岛章 ,  铃木正道 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括衬底；在上述衬底上形成并且含有金属、Si、N和O的绝缘薄膜，含有大于金属-金属键与金属-硅键的总和的金属-N键的绝缘薄膜；以及形成在上述衬底薄膜上的电极。

公开(公告)号：CN1713386A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200510077953.9

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 奈良明子 ,  小池正浩 ,  三谷祐一郎

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7883

Abstract: 提供一种非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件包括：栅电极部分，该栅电极部分由通过隧道绝缘膜在第一导电类型的半导体衬底的主面上形成的浮栅电极、在浮栅电极上形成并由两种或更多种类型的高介电材料形成的三层或更多层的层叠结构膜形成的电极间绝缘膜、和通过电极间绝缘膜在浮栅电极上形成的控制栅电极构成；和第二导电类型的源区和漏区，该源区和漏区在衬底的主面上形成，使得在源区和漏区之间配置栅电极部分。

公开(公告)号：CN1551371A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410059597.3

申请日：2004-02-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小池正浩 ,  小山正人 ,  井野恒洋 ,  上牟田雄一 ,  高岛章 ,  铃木正道 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/30

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 公开了一种半导体器件，包括衬底；在上述衬底上形成并且含有金属、Si、N和O的绝缘薄膜，含有大于金属－金属键与金属－硅键的总和的金属－N键的绝缘薄膜；以及形成在上述衬底薄膜上的电极。