公开(公告)号：CN101546783A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910130660.0

申请日：2009-03-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新宫昌生 ,  菊地祥子 ,  高岛章 ,  井野恒洋 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。在半导体器件中，侧壁由SiO2、SiN或SiON构成，并且顶部绝缘膜或栅极绝缘膜由包括Al、Si和金属元素M的氧化物构成，使得数量比Si/M被设置为不小于在包括金属元素M和Al的复合氧化物中的SiO2组分处于固溶度极限的情况下的数量比Si/M、并且被设置为不大于在介电常数等于Al2O3的介电常数的情况下的数量比Si/M，并且使得数量比Al/M被设置为不小于在由于Al元素而抑制了所述金属元素M的氧化物的结晶的情况下的数量比Al/M、并且被设置为不大于在由于金属元素M而抑制了Al2O3的结晶的情况下的数量比Al/M。

公开(公告)号：CN101546783B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910130660.0

申请日：2009-03-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 新宫昌生 ,  菊地祥子 ,  高岛章 ,  井野恒洋 ,  村冈浩一

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。在半导体器件中，侧壁由SiO2、SiN或SiON构成，并且顶部绝缘膜或栅极绝缘膜由包括Al、Si和金属元素M的氧化物构成，使得数量比Si/M被设置为不小于在包括金属元素M和Al的复合氧化物中的SiO2组分处于固溶度极限的情况下的数量比Si/M、并且被设置为不大于在介电常数等于Al2O3的介电常数的情况下的数量比Si/M，并且使得数量比Al/M被设置为不小于在由于Al元素而抑制了所述金属元素M的氧化物的结晶的情况下的数量比Al/M、并且被设置为不大于在由于金属元素M而抑制了Al2O3的结晶的情况下的数量比Al/M。