公开(公告)号：CN100571342C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200410005598.X

申请日：2004-02-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾 ,  内田干也 ,  松长诚之

IPC: H04N5/335 ,  H01L21/76 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76237 ,  G01J1/44 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供一种重放画面上的不均匀较小的高性能固体摄像装置。固体摄像装置具有：在半导体基板上配置成矩阵状的多个像素单元；和为了驱动各像素单元而设置的驱动单元，各像素单元包括：光电二极管和MOS晶体管，以及元件分离部(2)，由挖掘所述半导体基板的STI(Shallow Trench Isolation)形成，用于分离光电二极管和MOS晶体管，在半导体基板(7)上形成导入了导电型与MOS晶体管的源极-漏极区域的导电型相反的杂质的STI泄漏抑止器(1)，以包围元件分离部(2)的侧壁和底面。

公开(公告)号：CN101106146A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710109943.8

申请日：2007-06-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚惠美 ,  内田干也 ,  宫川良平

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 包括在每个像素区域和外围电路区域中的N型半导体衬底114之上形成的N型外延层115；在像素区域中的N型外延层115上形成的第一P型阱1；以及在第一P型阱1中形成的并都是光电二极管部件的光接收区域117。外围电路区域包括：第二P型阱2，其从外围电路区域的表面200形成到所需的深度，并且都是N沟道MOS晶体管的部件；N型阱3，其从外围电路区域的表面200形成到所需的深度，并且都是P沟道MOS晶体管的部件；以及第三P型阱4，形成为具有这样的形状，从而可以隔离N型阱3和N型外延层115，并具有高于第一P型阱1的杂质浓度。

公开(公告)号：CN1828918A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006244.6

申请日：2006-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森三佳 ,  内田干也 ,  藤原一夫 ,  山口琢己

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/532 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/02164

Abstract: 在使用铜布线的金属氧化半导体(MOS)型等的固体摄像装置及其制造方法中，实现了暗电流和白斑数的降低和感度的提高。本发明的半导体装置，包括衬底(101)；形成在衬底(101)上，具有光电转换部(103)的光电转换单元呈阵列状排列的摄像区域；形成在衬底(101)上，进行摄像区域的控制和来自摄像区域的信号的输出的周围电路区域；形成在衬底(101)上且由含铜材料形成的含铜布线层(132、134、138)，且，作为为防止铜扩散的扩散防止层，在光电转换部(103)上形成第一扩散防止层(121)的同时，还按顺序形成了含铜布线层(132、134、138)上的扩散防止层(122、123、124)。

公开(公告)号：CN1523879A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410005598.X

申请日：2004-02-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾 ,  内田干也 ,  松长诚之

IPC: H04N5/335 ,  H01L21/76 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76237 ,  G01J1/44 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供一种重放画面上的不均匀较小的高性能固体摄像装置。固体摄像装置具有：在半导体基板上配置成矩阵状的多个像素单元；和为了驱动各像素单元而设置的驱动单元，各像素单元包括：光电二极管和MOS晶体管，以及元件分离部(2)，由挖掘所述半导体基板的STI(Shallow Trench Isolation)形成，用于分离光电二极管和MOS晶体管，在半导体基板(7)上形成导入了导电型与MOS晶体管的源极—漏极区域的导电型相反的杂质的STI泄漏抑止器(1)，以包围元件分离部(2)的侧壁和底面。

公开(公告)号：CN101079435A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710104198.8

申请日：2007-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田干也

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643

Abstract: 提供一种通过像素单元的放大晶体管及外围电路的模拟电路实现1/f噪音的降低的固体摄像装置及其制造方法。有关本发明的固体摄像装置是在半导体基板(10)上具备以矩阵状排列的多个像素单元、和从上述像素单元经由规定的信号线输出信号的外围电路的固体摄像装置，其特征在于，作为构成上述固体摄像装置的多个晶体管的栅绝缘膜，包括氮化的栅绝缘膜(105)和没有氮化的栅绝缘膜(103)两者。

公开(公告)号：CN101075625A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710084725.3

申请日：2007-02-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 加纳孝俊 ,  内田干也

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供了一种降低所产生的噪声并容易使用的固态成像器件以及制造这种固态成像器件的方法。在包括固态成像器件1的多个MOS晶体管中，使用引入了P型杂质的多晶硅来形成像素5中所包括的N型MOS晶体管109a和109b的栅极108a和108b中的至少一个。在这种情况下，同时进行将P型杂质引入到N型MOS晶体管109a或109b的栅极108a或108b中以及将P型杂质引入到P型MOS晶体管109c的栅极108c中。

公开(公告)号：CN1979862A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610164072.5

申请日：2006-12-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 濑户千夏 ,  内田干也 ,  三室研 ,  金崎惠美

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/146 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/8236 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0883

Abstract: 本发明提供一种集成电路、包括集成电路的固体摄像器件以及它们的制造方法，该集成电路具有阈值电压、调制度的偏差小且调制度大的第2导电类型晶体管中具有阈值电压不同的晶体管的、增强型和耗尽型两种MOS晶体管。本发明的集成电路包括：具有包含第1导电类型杂质的阱区的半导体衬底；和形成在上述阱区、且在栅电极之下具有沟道区的增强型MOS晶体管及多个耗尽型MOS晶体管；耗尽型MOS晶体管的至少一个晶体管，在沟道区具有注入用于调整阈值电压的第2导电类型杂质的注入区域；注入区域具有第1导电类型杂质和第2导电类型杂质，第2导电类型杂质的浓度比第1导电类型杂质的浓度还高。

公开(公告)号：CN100490164C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200410031962.X

申请日：2004-03-31

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田干也 ,  松长诚之 ,  稻垣诚

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14601 ,  H01L27/14609

Abstract: 一种固态成像装置(100)，包括多个光敏单元(8)和用于驱动多个光敏单元(8)的驱动单元。每个光敏单元(8)包括：光电二极管(5)，形成为暴露在半导体衬底的表面上，用于积累通过对入射光进行光电转换而获得的信号电荷；转移晶体管，用于转移由光电二极管(5)积累的信号电荷；浮动扩散层(1)，用于暂时积累由转移晶体管转移的信号电荷；以及放大器晶体管(2)，用于放大暂时积累在浮动扩散层(1)中的信号电荷。设置在放大器晶体管(2)中的源/漏扩散层(3)被自对准金属硅化物层(4)覆盖，并且浮动扩散层(1)形成为暴露在半导体衬底的表面上。

公开(公告)号：CN1839477A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200580000710.3

申请日：2005-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田宗吾 ,  内田干也

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/37457 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14641

Abstract: 本发明公开了一种三晶体管CMOS型固体摄像装置，包括包含相邻的第一像素230及第二像素231的多个像素，各个像素中分别设有：将光变换成信号电荷的光电二极管201；用以读出在光电二极管201所产生的信号电荷的传送用晶体管。在第一像素230中设有：一端连接在第一像素230内及第二像素231内的两个光电二极管201上，另一端接收电源电压的重置晶体管；在第二像素231中设有：具有连接在第一像素230内及第二像素231内的两个传送用晶体管上的栅极电极204，在漏极接收电源电压的放大用晶体管。

公开(公告)号：CN1610126A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410085688.4

申请日：2004-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三室研 ,  内田干也 ,  越智元隆

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种固体成像装置，包括：形成在P型阱内的多个N型光电二极管区；栅极，具有与每一个所述光电二极管区相邻的一个边缘，以及厚度不多于10nm的栅氧化膜；N型漏区，与该栅极的另一边缘相邻；和具有浅槽隔离结构的元件隔离部分。栅极的一个边缘交叠光电二极管区。在从光电二极管区延伸到漏区的表面部分上形成第一区、第二区和第三区，形成的状态使得：设置第一区与栅极的一个边缘相距预定的距离并具有P型第一浓度C1，设置第二区具有与第一区相邻的一个边缘和交叠该栅极的另一边缘，并具有P型第二浓度C2，设置第三区具有与第二区相邻的一个边缘和与该漏区相邻的另一边缘，并具有P型第三浓度C3，其中C1＞C2＞C3或C1≈C2＞C3。它具有良好的低压读出特性，并充分抑制诸如白瑕疵和暗电流的图像缺陷。