公开(公告)号：CN1979862A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610164072.5

申请日：2006-12-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 濑户千夏 ,  内田干也 ,  三室研 ,  金崎惠美

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/146 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/8236 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0883

Abstract: 本发明提供一种集成电路、包括集成电路的固体摄像器件以及它们的制造方法，该集成电路具有阈值电压、调制度的偏差小且调制度大的第2导电类型晶体管中具有阈值电压不同的晶体管的、增强型和耗尽型两种MOS晶体管。本发明的集成电路包括：具有包含第1导电类型杂质的阱区的半导体衬底；和形成在上述阱区、且在栅电极之下具有沟道区的增强型MOS晶体管及多个耗尽型MOS晶体管；耗尽型MOS晶体管的至少一个晶体管，在沟道区具有注入用于调整阈值电压的第2导电类型杂质的注入区域；注入区域具有第1导电类型杂质和第2导电类型杂质，第2导电类型杂质的浓度比第1导电类型杂质的浓度还高。