公开(公告)号：CN1979862A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610164072.5

申请日：2006-12-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 濑户千夏 ,  内田干也 ,  三室研 ,  金崎惠美

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/146 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/822 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/8236 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/0883

Abstract: 本发明提供一种集成电路、包括集成电路的固体摄像器件以及它们的制造方法，该集成电路具有阈值电压、调制度的偏差小且调制度大的第2导电类型晶体管中具有阈值电压不同的晶体管的、增强型和耗尽型两种MOS晶体管。本发明的集成电路包括：具有包含第1导电类型杂质的阱区的半导体衬底；和形成在上述阱区、且在栅电极之下具有沟道区的增强型MOS晶体管及多个耗尽型MOS晶体管；耗尽型MOS晶体管的至少一个晶体管，在沟道区具有注入用于调整阈值电压的第2导电类型杂质的注入区域；注入区域具有第1导电类型杂质和第2导电类型杂质，第2导电类型杂质的浓度比第1导电类型杂质的浓度还高。

公开(公告)号：CN1610126A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410085688.4

申请日：2004-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三室研 ,  内田干也 ,  越智元隆

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种固体成像装置，包括：形成在P型阱内的多个N型光电二极管区；栅极，具有与每一个所述光电二极管区相邻的一个边缘，以及厚度不多于10nm的栅氧化膜；N型漏区，与该栅极的另一边缘相邻；和具有浅槽隔离结构的元件隔离部分。栅极的一个边缘交叠光电二极管区。在从光电二极管区延伸到漏区的表面部分上形成第一区、第二区和第三区，形成的状态使得：设置第一区与栅极的一个边缘相距预定的距离并具有P型第一浓度C1，设置第二区具有与第一区相邻的一个边缘和交叠该栅极的另一边缘，并具有P型第二浓度C2，设置第三区具有与第二区相邻的一个边缘和与该漏区相邻的另一边缘，并具有P型第三浓度C3，其中C1＞C2＞C3或C1≈C2＞C3。它具有良好的低压读出特性，并充分抑制诸如白瑕疵和暗电流的图像缺陷。

公开(公告)号：CN101685822A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910177760.9

申请日：2009-09-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三室研 ,  地崎润

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/532 ,  H01L31/0232 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/14623 ,  H01L27/14645

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置及其制造方法。该固体摄像装置能够抑制在像素单元排列上产生斑点状图案，同时，能够不增加制造成本而进行制造，由此抑制上述斑点图像不良的发生，获得优质的图像。本发明的特征在于，在按照包围固体摄像元件的受光区域的方式开口的格子状的遮光膜图案或者配线图案中，在图案的一部分中具有一定的间隙。此外，有时周边电路和像素上的配线层用作遮光膜。在该情况下，如果将多个配线层用作遮光膜，那么，根据第一配线层的布局，决定第二层以后的配线层的布局，在受光区域上，在包围受光区域的配线的一部分上具有一定的间隙。

公开(公告)号：CN100435341C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200410085688.4

申请日：2004-10-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 三室研 ,  内田干也 ,  越智元隆

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1463

Abstract: 一种固体成像装置，包括：形成在P型阱内的多个N型光电二极管区；栅极，具有与每一个所述光电二极管区相邻的一个边缘，以及厚度不多于10nm的栅氧化膜；N型漏区，与该栅极的另一边缘相邻；和具有浅槽隔离结构的元件隔离部分。栅极的一个边缘交叠光电二极管区。在从光电二极管区延伸到漏区的表面部分上形成第一区、第二区和第三区，形成的状态使得：设置第一区与栅极的一个边缘相距预定的距离并具有P型第一浓度C1，设置第二区具有与第一区相邻的一个边缘和交叠该栅极的另一边缘，并具有P型第二浓度C2，设置第三区具有与第二区相邻的一个边缘和与该漏区相邻的另一边缘，并具有P型第三浓度C3，其中C1＞C2＞C3或C1≈C2＞C3。它具有良好的低压读出特性，并充分抑制诸如白瑕疵和暗电流的图像缺陷。

公开(公告)号：CN101053081A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200580037527.0

申请日：2005-10-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田干也 ,  三室研 ,  越智元隆

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14601

Abstract: 一种固体摄像器件，具备以矩阵状配置在半导体基板(1)上并分别具有光电二极管的多个感光单元、和具有多个晶体管并用来驱动多个感光单元的周边驱动电路。作为多个晶体管具备将被传递与由光电二极管生成的信号电荷对应的信号电位并保持该信号电位的第1扩散层(2)作为源极或漏极的第1晶体管、和将不被传递信号电荷的第2扩散层作为源极或漏极的第2晶体管。在第1晶体管的第1扩散层的表面形成的金属硅化物层(4)的端缘与栅电极(6)的端缘之间的边缘间隔(D1)，比在第2晶体管的第2扩散层的表面形成的金属硅化物层的端缘与栅电极的端缘之间的边缘间隔大。能够抑制周边驱动电路的晶体管的漏泄电流、以高精度保持已摄像的图像信息。