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公开(公告)号：CN110462812A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880022717.2
申请日：2018-03-28
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 提供了一种用于处理衬底的装置。提供第一冷却剂气体压强系统、第二冷却剂气体压强系统、第三冷却剂气体压强系统和第四冷却剂气体压强系统以提供独立的气体压强。静电卡盘具有带有中心点和半径的卡盘表面，并且包括：第一多个冷却剂气体端口，其在与所述中心点相距大于第一半径处；第二多个冷却剂气体端口，其在与所述中心点相距第一半径处和与所述中心点相距第二半径处之间间隔开；第三多个冷却剂气体端口，其在与所述中心点相距第二半径处和与所述中心点相距第三半径处之间间隔开；以及第四多个冷却剂气体端口，其在与所述中心点相距所述第三半径内间隔开。外密封带围绕所述卡盘表面的所述周边延伸。
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公开(公告)号：CN104471682B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201280046142.0
申请日：2012-09-17
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： F25B21/04 , H01L21/0201 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L35/34 , Y10T29/49083 , Y10T29/49165
摘要： 用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的热板，其包括以可扩展多路复用布局方式排布的多个独立可控的平面加热器区以及独立地控制平面热区且对平面加热器区供电的电子装置。每个平面热区使用至少一个珀耳帖器件作为热电元件。并入有热板的衬底支撑组件包括静电箝位电极层和温度控制基板。用于制造热板的方法包括将具有平面热区、正线路、负线路和共用线路以及通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。
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公开(公告)号：CN106057708A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610395459.5
申请日：2012-09-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831
摘要： 一种用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的加热板，其包括以可扩展多路复用布局布置的多个独立控制的平面加热器区域，以及电子器件以独立控制平面加热器区域和为所述平面加热器区域供电。每个平面加热器区域使用至少一个二极管作为加热器元件。其中包括有加热板的衬底支撑组件包括静电夹持电极和温度控制基板。用于制造所述加热板的方法包括将具有平面加热器区域、功率供给线、功率返回线和通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。
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公开(公告)号：CN101866801B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010156439.5
申请日：2010-03-31
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 基思·科门丹特
IPC分类号： H01J37/02
摘要： 一种可用于室晶片处理系统的电介质避电器插件，该系统具有气体输入管线、避电器框架和晶片处理空间。该输入管线能够提供气体至该避电器框架。该避电器框架能够容置该电介质避电器插件。该电介质避电器插件包括气体入口部分、非直线通道和气体出口部分。该气体入口部分布置为从该输入管线接收气体。该非直线通道布置为将气体从该气体入口部分传输至该气体出口部分。该气体出口部分布置为将气体从该非直线通道传输至该晶片处理空间。
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公开(公告)号：CN101529562A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038501.7
申请日：2007-10-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3255 , H01J37/32009 , H01J37/32568 , Y10T29/49002
摘要： 一种电极总成和在用于半导体基片处理的等离子反应室中将外环围绕电极总成定中心的方法。该方法包括围绕该电极总成的背衬构件的外部表面设置外环，以及将至少一个定心元件插在该外环和该背衬构件之间。该定心元件可以是容纳在该背衬构件的外部表面的腔体中的多个弹簧加载定心元件，该定心元件具有适于接触该外环的第一端和适于容纳弹簧的第二端。该外环围绕该背衬构件的外部表面，从而该多个弹簧加载定心元件位于该背衬构件的外部表面和该外环的内部表面之间。
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公开(公告)号：CN101223000A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200680026277.5
申请日：2006-07-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： B23K31/02 , B65B53/00 , C23C16/00 , F16B4/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/68757 , H01L21/68785
摘要： 一种保护在适于在等离子体处理系统中使用的基片支撑件中的粘结层的方法。该方法包括利用粘结材料将基片支撑件的上部构件与基片支撑件的下部构件连接的步骤。粘结剂应用于该上部构件的外部周界和该下部构件的上部周界，以及保护环围绕该上部构件的外部周界和该下部构件的上部周界设置。该保护环最初制造为具有提供机械稳定性和可使用性的尺寸。然后将该保护环机械加工至与基片支撑件应用的设计一致的最终尺寸的确切设置。
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公开(公告)号：CN101821844B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200880111094.2
申请日：2008-09-30
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01N27/04 , G01R27/2623 , Y10T29/49117
摘要： 由导电材料形成的室连接于地电势。由导电材料形成的热电极置于该室内、在基本上横向方位上并与该室物理分隔。该热电极包括被限定为支撑待测部件的上表面。射频(RF)传输杆连接以通过该室的底部中的开口从该热电极的该底部表面延伸并与该室物理分割。该射频传输杆被限定为从电气组件外壳中的导体板向该热电极传输射频电力。由导电材料形成的上电极被置于该室内、在基本上横向方位上。该上电极电气连接于该室并被限定为可以在竖直方向上移动。
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公开(公告)号：CN101529558B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200780038609.6
申请日：2007-10-16
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 安东尼·德拉列拉 , 阿兰·K·龙尼 , 金在贤 , 杰森·奥古斯蒂诺 , 拉金德尔·德辛德萨 , 王云昆 , 沙鲁巴·J·乌拉尔 , 安东尼·J·诺雷尔 , 基思·科门丹特 , 小威廉姆·丹堤
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/203
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32009 , H01J37/32541 , H01J37/3255
摘要： 等离子处理装置的元件包括具有气体通道的背衬构件，该背衬构件连接于具有气体通道的上电极。为了抵消该金属背衬构件和上电极间的热膨胀系数的差异，气体通道的位置和大小被调整为在室温下是没有对齐的，而在升高的处理温度下是大体上同心的。因为热膨胀，该弹性体粘合材料中会产生不一致的切变应力。应用可变厚度的弹性体粘合材料或使用包含多个块的背衬构件可调节切变应力。
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公开(公告)号：CN101529562B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200780038501.7
申请日：2007-10-10
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3255 , H01J37/32009 , H01J37/32568 , Y10T29/49002
摘要： 一种电极总成和在用于半导体基片处理的等离子反应室中将外环围绕电极总成定中心的方法。该方法包括围绕该电极总成的背衬构件的外部表面设置外环，以及将至少一个定心元件插在该外环和该背衬构件之间。该定心元件可以是容纳在该背衬构件的外部表面的腔体中的多个弹簧加载定心元件，该定心元件具有适于接触该外环的第一端和适于容纳弹簧的第二端。该外环围绕该背衬构件的外部表面，从而该多个弹簧加载定心元件位于该背衬构件的外部表面和该外环的内部表面之间。
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