发明授权
- 专利标题： 具有用于半导体处理的平面热区的热板
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申请号： CN201280046142.0申请日： 2012-09-17
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公开(公告)号： CN104471682B公开(公告)日： 2017-03-22
- 发明人: 基思·威廉·加夫 , 基思·科门丹特 , 安东尼·里奇
- 申请人： 朗姆研究公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人： 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海胜康律师事务所
- 代理商 李献忠
- 优先权： 13/238,396 2011.09.21 US
- 国际申请： PCT/IB2012/054903 2012.09.17
- 国际公布： WO2013/042027 EN 2013.03.28
- 进入国家日期： 2014-03-21
- 主分类号： H01L21/30
- IPC分类号： H01L21/30 ; H05B3/68 ; H01C17/02
摘要：
用于半导体等离子体处理装置中的衬底支撑组件的热板，其包括以可扩展多路复用布局方式排布的多个独立可控的平面加热器区以及独立地控制平面热区且对平面加热器区供电的电子装置。每个平面热区使用至少一个珀耳帖器件作为热电元件。并入有热板的衬底支撑组件包括静电箝位电极层和温度控制基板。用于制造热板的方法包括将具有平面热区、正线路、负线路和共用线路以及通孔的陶瓷或聚合物片材结合在一起。
公开/授权文献
- CN104471682A 具有用于半导体处理的平面热区的热板 公开/授权日：2015-03-25
IPC分类:
