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公开(公告)号:CN103187517A
公开(公告)日:2013-07-03
申请号:CN201210587509.1
申请日:2012-12-28
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/02 , C09K11/7734 , H01L33/005 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供封装片、光半导体装置的制造方法、光半导体装置及照明装置。一种封装片,其用于封装光半导体元件,其具备:含有荧光体的第一层,以及含有荧光体、层叠在第一层上、用于封装光半导体元件的第二层。第一层中的前述荧光体的体积与第二层中的荧光体的体积之比为90:10~55:45。
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公开(公告)号:CN103579454A
公开(公告)日:2014-02-12
申请号:CN201310300974.7
申请日:2013-07-17
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/48
CPC classification number: H01L33/52 , H01L21/56 , H01L33/005 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法,所述方法包括如下工序:准备工序,准备形成有凹部的基板、在凹部内或其周围配置的端子和在凹部内配置的半导体元件;引线接合工序,用引线连接端子和半导体元件;压接工序,在减压气氛下,以封装片与凹部周围的上表面密合、且与凹部的上表面分离的方式使封装片压接在基板上;以及大气压释放工序,使基板和封装片释放到大气压气氛下。
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公开(公告)号:CN103715336A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310462965.8
申请日:2013-10-08
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , B32B3/08 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/18 , B32B27/283 , B32B2307/306 , B32B2307/54 , B32B2457/00 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L24/06 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L33/005 , H01L33/0095 , H01L33/54 , H01L2221/68331 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/1403 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/10157 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供被覆有封装片的半导体元件及其制造方法、半导体装置及其制造方法。被覆有封装片的半导体元件具备:具有用于与基板接触的一面、和配置在与一面所在侧相反侧即另一侧的另一面的半导体元件,和被覆半导体元件的至少另一面的封装片。封装片具备在由一侧向另一侧投影时不包含在半导体元件的一面中并且从一面露出的露出面。露出面具有位于比半导体元件的一面靠另一侧的位置的另一侧部分。
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公开(公告)号:CN103786975A
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201310478498.8
申请日:2013-10-14
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B65D75/32
CPC classification number: B65D81/05 , H01L23/053 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种能够保护密封片的密封层的密封片收纳器。该密封片收纳器用于收纳密封片,该密封片包括基材和层叠于基材的密封层,其中,密封片收纳器包括:托盘,其形成有用于载置基材的载置区域;以及罩,其以不与密封层接触并与载置区域隔开间隔的方式重叠于托盘之上。
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公开(公告)号:CN103531697A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201310272150.3
申请日:2013-07-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/501 , H01L21/568 , H01L23/28 , H01L33/0095 , H01L33/52 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置,该制造方法具有:准备工序,准备具有硬质的支承板的支承片;半导体元件配置工序,将半导体元件配置于支承片的厚度方向一侧;层配置工序,在半导体元件配置工序之后,将由含有固化性树脂的密封树脂组合物形成的密封层以覆盖半导体元件的方式配置于支承片的厚度方向一侧;密封工序,使密封层固化,利用挠性的密封层密封半导体元件;切断工序,在密封工序之后,与半导体元件相对应的将挠性的密封层切断,从而获得具有半导体元件和覆盖半导体元件的密封层的覆有密封层的半导体元件;以及半导体元件剥离工序,在切断工序之后,将覆有密封层的半导体元件从支承片剥离下来。
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公开(公告)号:CN103531514A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201310272048.3
申请日:2013-07-01
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L33/48
CPC classification number: H01L33/505 , H01L21/56 , H01L23/28 , H01L33/0095 , H01L33/52 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种覆有密封层的半导体元件、其制造方法及半导体装置。该制造方法具有:准备工序,准备具有形成有在厚度方向上贯通的通孔的硬质的支承板和以覆盖通孔的方式层叠在支承板的厚度方向一侧的表面的粘合层的支承片;半导体元件配置工序,将半导体元件配置在粘合层的在厚度方向上与贯通孔相对的厚度方向一侧的表面;半导体元件覆盖工序,利用密封层覆盖半导体元件,从而获得覆有密封层的半导体元件;以及半导体元件剥离工序,通过使推压部件从厚度方向另一侧插入上述通孔,从而将覆有密封层的半导体元件从粘合层剥离下来。
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公开(公告)号:CN103066190A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201210397782.8
申请日:2012-10-18
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , C08G77/045 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/20 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , C08K5/56 , C08L83/04 , H01L33/501 , H01L33/54 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , C08L83/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供封装用片及光半导体元件装置,所述封装用片由含有封装树脂和有机硅微粒的封装树脂组合物形成。有机硅微粒的配混比率相对于封装树脂组合物为20~50质量%。
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公开(公告)号:CN105518882A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201480048971.1
申请日:2014-09-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09K11/08 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/56
Abstract: 一种光半导体元件封装组合物,其是含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物。封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下。光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量%以上且10质量%以下。光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。
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公开(公告)号:CN104471692A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201380038238.7
申请日:2013-07-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 封装层覆盖半导体元件的制造方法具有以下工序:配置工序,将半导体元件配置于支撑台上;封装工序,利用具有剥离层、层叠于剥离层下方且由热固性树脂形成的完全固化前的封装层的封装片中的封装层将半导体元件埋设而进行封装;以及加热工序,在封装工序之后,对封装层进行加热使其固化。加热工序具有:第1加热工序,边将封装片朝向支撑台进行机械加压边在第1温度下进行加热;以及第2加热工序,在前述第1加热工序之后,在高于前述第1温度的第2温度下对封装片进行加热。
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公开(公告)号:CN104428880A
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201380032630.0
申请日:2013-07-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法。覆有封装层的半导体元件的制造方法包括:配置工序,在该配置工序中,将半导体元件配置在支承台之上;封装工序,在该封装工序中,利用具有剥离层和层叠在剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的封装层来埋设半导体元件而将半导体元件封装;以及加热工序,该加热工序在封装工序之后对封装层加热而使封装层固化。加热工序具有:第1加热工序,在该第1加热工序中,利用第1温度在常压下对封装片加热;剥离工序,该剥离工序在第1加热工序之后将剥离层自封装层剥离;以及第2加热工序,该第2加热工序在剥离工序之后利用温度高于第1温度的第2温度对封装层加热。
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