公开(公告)号：CN119505476A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411082041.X

申请日：2024-08-08

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 生田润 ,  木村龙一

IPC: C08L63/00 ,  C08L63/02 ,  C08L71/02 ,  H10H20/854

Abstract: 本发明涉及光半导体封装用树脂组合物、光半导体封装用树脂成型物、光半导体封装材料以及光半导体装置。本发明提供环境友好的光半导体封装用树脂组合物、以及使用该光半导体封装用树脂组合物的光半导体封装用树脂成型物、光半导体封装材料以及光半导体装置。光半导体封装用树脂组合物的生物质比率为10质量%以上。

公开(公告)号：CN107393857B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201710325250.6

申请日：2017-05-10

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村龙一 ,  高本尚英

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供片材、胶带及半导体装置的制造方法。本发明的一个方式提供能够减少切割时芯片侧面产生的龟裂的片材和胶带。本发明的一个方式涉及片材。片材包含切割薄膜。切割薄膜包含基材层及位于基材层上的粘合剂层。片材进一步包含位于粘合剂层上的半导体背面保护薄膜。半导体背面保护薄膜具有1.7kgf/mm2以上的对硅芯片的25℃剪切粘接力。

公开(公告)号：CN107017173B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201610997829.2

申请日：2016-11-11

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村龙一 ,  高本尚英 ,  志贺豪士

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  C09J7/20 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J11/04

Abstract: [课题]提供能够防止由树脂的热固化收缩导致的半导体芯片位置偏移的半导体封装体的制造方法。[解决手段]涉及一种半导体封装体的制造方法，其包括如下工序：在配置在粘合片上的半导体背面保护薄膜上配置半导体芯片的工序；使半导体背面保护薄膜固化的工序；以及，用树脂密封半导体芯片的工序。

公开(公告)号：CN114609862A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202111499877.6

申请日：2021-12-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 生田润 ,  木村龙一

IPC: G03F7/004 ,  C09J133/00 ,  C09J7/30

Abstract: 本发明涉及光固化性树脂片。本发明提供一种可操作性、光固化性和透明性优异的光固化性树脂片。一种光固化性树脂片，其中，所述光固化性树脂片包含(A)高分子化合物和(B)低分子化合物，并且环氧基、氧杂环丁烷基和光聚合引发基团各自独立地存在于高分子化合物(A)或低分子化合物(B)中。

公开(公告)号：CN101993594A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010267340.2

申请日：2010-08-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 片山博之 ,  木村龙一

IPC: C08L83/06 ,  C08K5/5425 ,  C08K5/5435 ,  C09J7/00 ,  C09J183/06 ,  C09J11/06

CPC classification number: C09J183/04 ,  C08G77/14 ,  C08K5/19 ,  C08K5/5419 ,  C08L2666/44

Abstract: 本发明涉及用于热固性有机硅树脂的组合物，其包含：(1)以式(I)表示的双末端硅烷醇型有机硅树脂，其中R1表示一价烃基，且n是20至10,000的整数，条件是全部R1基团可以相同或不同；(2)三烷氧基硅烷；和(3)缩合催化剂。

公开(公告)号：CN109148350A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810680930.4

申请日：2018-06-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村龙一 ,  志贺豪士 ,  高本尚英

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/24

Abstract: 本发明提供一种切割带一体型粘接性片，其适于在为了通过半导体晶圆的单片化得到带有粘接性薄膜的半导体芯片而使用切割带一体型粘接性片进行的割断用扩展工序中实现粘接性片的良好割断。本发明的切割带一体型粘接性片(X)具备切割带(20)和粘接性片。切割带(20)具有包含基材(21)和粘合剂层(22)的层叠结构。粘接性片以能剥离的方式与切割带(20)的粘合剂层(22)密合。粘接性片例如为半导体芯片背面保护用的薄膜(10)。粘接性片的、对宽度2mm的粘接性片试验片在初始卡盘间距16mm、‑15℃和载荷增加速度1.2N/分钟的条件下进行的拉伸试验中的断裂强度为1.2N以下、且断裂伸长率为1.2％以下。

公开(公告)号：CN109111871A

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201810642684.3

申请日：2018-06-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 志贺豪士 ,  木村龙一 ,  高本尚英

IPC: C09J7/29 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种切割带一体型粘接性片，其具备在表面伴有辐射线固化性粘合剂层(22)的切割带(20)和作为粘接性片的薄膜(10)。薄膜(10)具有激光标记层(11)和粘接剂层(12)。薄膜(10)的粘接剂层(12)侧表面相对于Si晶圆在23℃、剥离角度180°和拉伸速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示5N/10mm以上的剥离粘合力。固化后的粘合剂层(22)与薄膜(10)之间的前述条件的剥离试验中的第1剥离粘合力为0.15N/20mm以下。在50℃下保管9天后经固化的粘合剂层(22)与薄膜(10)之间的前述条件的剥离试验中的第2剥离粘合力与第1剥离粘合力之差为0.12N/20mm以下。

公开(公告)号：CN107011816A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610972626.8

申请日：2016-11-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村龙一 ,  高本尚英

IPC: C09J7/02 ,  C09J11/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及层叠体和联合体、组合的回收方法和半导体装置的制造方法。本发明提供可以防止切割后半导体背面保护薄膜彼此密合的层叠体等。本发明涉及层叠体，所述层叠体包括双面粘合片和配置在双面粘合片上的半导体背面保护薄膜。双面粘合片包含第一粘合剂层、第二粘合剂层和基材层。基材层位于第一粘合剂层和第二粘合剂层之间。第一粘合剂层具有通过加热而剥离力降低的性质。第一粘合剂层位于半导体背面保护薄膜和基材层之间。

公开(公告)号：CN106696408A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610959486.0

申请日：2016-11-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村龙一 ,  高本尚英

IPC: B32B27/06 ,  B32B27/20 ,  B32B27/08 ,  B32B27/36 ,  B32B7/06 ,  B32B7/10 ,  B32B3/04 ,  B32B33/00 ,  H01L21/683 ,  C08J7/04 ,  C09D161/06 ,  C09D163/00 ,  C09D133/08 ,  C09D7/12 ,  C08L67/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/20 ,  B32B27/308 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B27/42 ,  B32B2250/44 ,  B32B2255/26 ,  B32B2264/10 ,  B32B2307/202 ,  B32B2307/54 ,  B32B2307/748 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2223/54486 ,  B32B27/06 ,  B32B3/04 ,  B32B7/10 ,  B32B33/00 ,  B32B2398/10 ,  B32B2398/20 ,  C08J7/047 ,  C08J2367/02 ,  C08J2461/06 ,  C08L2203/16 ,  C08L2205/025 ,  C08L2205/035 ,  C09D7/70 ,  C09D161/06 ,  C08L63/00 ,  C08L33/08 ,  C08K7/18

Abstract: 本发明涉及层叠体和联合体以及半导体装置的制造方法，本发明提供能够减少切割时在芯片侧面产生的龟裂的层叠体等。本发明涉及包括切割片和半导体背面保护薄膜的层叠体。切割片包括基材层和配置在基材层上的粘合剂层。半导体背面保护薄膜配置在粘合剂层上。固化后的半导体背面保护薄膜的拉伸储能模量在23℃～80℃全部范围下为1GPa以上。

公开(公告)号：CN106084598A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610273600.4

申请日：2016-04-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 ,  木村龙一

IPC: C08L33/00 ,  C08L63/00 ,  C08L61/06 ,  C08K3/36 ,  C08J5/18 ,  C09J7/02 ,  C09J7/04 ,  B32B25/12 ,  B32B27/30 ,  B32B27/34 ,  B32B27/28 ,  B32B27/36 ,  B32B27/38 ,  B32B27/08 ,  B32B7/12 ,  B32B15/09 ,  B32B27/10 ,  B32B27/12 ,  B32B25/08 ,  H01L21/56

CPC classification number: B32B37/14 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16225 ,  C08L33/00 ,  B32B7/12 ,  B32B15/09 ,  B32B25/08 ,  B32B25/12 ,  B32B27/08 ,  B32B27/10 ,  B32B27/12 ,  B32B27/28 ,  B32B27/30 ,  B32B27/308 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  C08J5/18 ,  C08L2203/16 ,  C08L2205/03 ,  C09J7/20 ,  C09J7/21 ,  H01L21/56 ,  C08L63/00 ,  C08L61/06 ,  C08K3/36

Abstract: 一种一体型薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。本发明的目的在于，提供在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的一体型薄膜等。第一本发明涉及一体型薄膜等。一体型薄膜包括：包含基材和配置在基材上的粘合剂层的切割带；以及，配置在粘合剂层上且用于保护半导体元件背面的背面保护薄膜。第一本发明中，背面保护薄膜的波长555nm的总透光率为3％以上。第二本发明涉及波长555nm的总透光率为3％以上的一体型薄膜等。