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公开(公告)号：CN103187517A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210587509.1
申请日：2012-12-28
CPC classification number: H01L33/504 , C09K11/02 , C09K11/7734 , H01L33/005 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供封装片、光半导体装置的制造方法、光半导体装置及照明装置。一种封装片，其用于封装光半导体元件，其具备：含有荧光体的第一层，以及含有荧光体、层叠在第一层上、用于封装光半导体元件的第二层。第一层中的前述荧光体的体积与第二层中的荧光体的体积之比为90:10~55:45。
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公开(公告)号：CN113150706A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202011459875.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/08
Abstract: 本发明的课题在于提供有助于提高剥离后的表面的洁净性的粘合片。可提供一种粘合片，其包含构成粘合面的粘合剂层，利用下式算出的清洁度为20％以上。清洁度＝1‑(B/A)，此处，上述式中的B为将粘合片从SiN晶片进行水剥离后的该SiN晶片的表面的碳量B[原子％]。上述式中的A为贴附上述粘合片之前的上述SiN晶片的表面的碳量A[原子％]。
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公开(公告)号：CN112980343A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011459228.9
申请日：2020-12-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/08 , C09J11/06 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体加工用粘合片及其利用。本发明的课题在于提供能减轻剥离时的负荷的半导体加工用粘合片。通过本申请，可提供包含构成粘合面的粘合剂层的半导体加工用粘合片。上述粘合剂层包含选自由表面活性剂及具有聚氧亚烷基骨架的化合物组成的组中的至少1种非离子性化合物A作为水剥离添加剂。
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公开(公告)号：CN104428880A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380032630.0
申请日：2013-07-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法。覆有封装层的半导体元件的制造方法包括：配置工序，在该配置工序中，将半导体元件配置在支承台之上；封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层和层叠在剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的封装层来埋设半导体元件而将半导体元件封装；以及加热工序，该加热工序在封装工序之后对封装层加热而使封装层固化。加热工序具有：第1加热工序，在该第1加热工序中，利用第1温度在常压下对封装片加热；剥离工序，该剥离工序在第1加热工序之后将剥离层自封装层剥离；以及第2加热工序，该第2加热工序在剥离工序之后利用温度高于第1温度的第2温度对封装层加热。
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公开(公告)号：CN113150706B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202011459875.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J11/08
Abstract: 本发明的课题在于提供有助于提高剥离后的表面的洁净性的粘合片。可提供一种粘合片，其包含构成粘合面的粘合剂层，利用下式算出的清洁度为20％以上。清洁度＝1‑(B/A)，此处，上述式中的B为将粘合片从SiN晶片进行水剥离后的该SiN晶片的表面的碳量B[原子％]。上述式中的A为贴附上述粘合片之前的上述SiN晶片的表面的碳量A[原子％]。
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公开(公告)号：CN112980345A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011463463.3
申请日：2020-12-11
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/30 , C09J133/08
Abstract: 本发明的课题在于提供能抑制剥离时的粘滑现象的晶片加工用粘合片。通过本申请，可提供包含构成粘合面的粘合剂层的晶片加工用粘合片。对于上述粘合片而言，使用将该粘合片的上述粘合面贴附于作为被粘物的硅晶片而制作的评价用样品，利用规定的方法测定的粘滑度[10‑3N/10mm]为30以下。
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公开(公告)号：CN118813163A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410472524.4
申请日：2024-04-19
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供能兼顾优异的凹凸的埋入性和切割性的背面研磨带。本发明的实施方式的背面研磨带具备基材、中间层和粘合剂层，该中间层的纳米压痕硬度(25℃)为0.001MPa～0.200MPa。该粘合剂层的纳米压痕硬度(25℃)为0.001MPa～0.080MPa，该中间层及该粘合剂层中的至少一者的厚度为50μm以上，该厚度为50μm以上的层的卸载曲线位移量为8000μm以下。
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公开(公告)号：CN117070160A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310553845.2
申请日：2023-05-17
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 河野广希
IPC: C09J7/50 , H01L21/304 , H01L21/683 , C09J7/30 , C09J133/08
Abstract: 提供耐热性优异的半导体加工用粘合带。本发明的实施方式的半导体加工用粘合带依次具备：粘合剂层、缓和层和基材。该缓和层的排气量为4000μg/g以下、并且应力缓和率为70％以上。该基材的热收缩率为3.0％以下。
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公开(公告)号：CN115926633A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211210351.6
申请日：2022-09-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J4/06 , C09J4/02 , C09J7/38 , C09J7/50 , C08F220/18 , C08F220/14 , C08F220/20
Abstract: 本发明涉及用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物和使用该压敏粘合剂组合物的压敏粘合带。提供一种用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物，其具有优异的凹凸嵌入性和优异的压敏粘合性，并且可以防止剥离时在被粘物上的残胶。用于半导体加工用压敏粘合带的压敏粘合剂组合物包含：基础聚合物；和光聚合引发剂，其中，所述基础聚合物是通过使包含具有羟基的聚合物和由式(1)表示的单体的单体组合物聚合而获得的聚合物：其中"n"表示1以上的整数。
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