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公开(公告)号：CN104124322A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410036367.9
申请日：2014-01-26
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: F21V23/06 , F21K9/20 , F21V19/004 , F21Y2115/10 , H01L2224/48137 , F21Y2101/00
Abstract: 本发明提供发光装置的电连接构件、发光装置组件及其制造方法。发光装置的电连接构件构成为与发光装置的电极电连接，该发光装置包括基板、安装于基板的光半导体元件以及以与光半导体元件电连接的方式设置于基板的电极。电连接构件包括：夹持构件，其构成为在基板的厚度方向上夹持基板；以及导通构件，其构成为在夹持构件的作用力的作用下与电极相接触。能够简单地确保导通构件与电极之间的导通。
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公开(公告)号：CN103715336A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310462965.8
申请日：2013-10-08
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , B32B3/08 , B32B7/12 , B32B15/08 , B32B15/18 , B32B27/283 , B32B2307/306 , B32B2307/54 , B32B2457/00 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L24/06 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L33/005 , H01L33/0095 , H01L33/54 , H01L2221/68331 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/0401 , H01L2224/06102 , H01L2224/1403 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/10157 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供被覆有封装片的半导体元件及其制造方法、半导体装置及其制造方法。被覆有封装片的半导体元件具备：具有用于与基板接触的一面、和配置在与一面所在侧相反侧即另一侧的另一面的半导体元件，和被覆半导体元件的至少另一面的封装片。封装片具备在由一侧向另一侧投影时不包含在半导体元件的一面中并且从一面露出的露出面。露出面具有位于比半导体元件的一面靠另一侧的位置的另一侧部分。
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公开(公告)号：CN102807756B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201210182088.4
申请日：2012-06-04
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L23/296 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08J5/18 , C08J2383/05 , C08J2383/07 , C08K5/19 , C08K5/57 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L2924/0002 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供有机硅树脂组合物、薄片及其制造方法、光半导体元件装置。所述有机硅树脂组合物含有：1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷，和不包含乙烯系不饱和烃基、1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷，和氢化硅烷化催化剂，和氢化硅烷化抑制剂。
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公开(公告)号：CN105051922A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480016977.0
申请日：2014-03-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/56
CPC classification number: H01L33/52 , H01L33/56 , H01L2224/48091 , H01L2933/005 , H01S5/02228 , H01L2924/00014
Abstract: 利用密封片(1)来密封LED(4)而制造LED装置(5)的LED装置(5)的制造方法，其包括片制造工序和密封工序，在该片制造工序中制造密封片(1)，在该密封工序中利用密封片(1)来密封LED(4)，从在片制造工序中制得密封片(1)之后到在密封工序中利用密封片(1)来密封了LED(4)之前的这段时间T为24小时以内。
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公开(公告)号：CN104995755A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201380072837.0
申请日：2013-12-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的光半导体装置的制造方法是制造利用荧光体片被覆光半导体元件的光半导体装置的方法。其具备以下工序：试制工序，试制试制品来进行评价；决定工序，根据试制品的评价来决定用于制造光半导体装置的制造条件；以及，制造光半导体装置的制造工序，根据在决定工序中决定的制造条件，利用B阶的荧光体片被覆光半导体元件，将该荧光体片C阶化。试制工序具备如下工序：清漆制备工序，制备含有荧光体及固化性树脂的清漆；B阶化工序，由清漆形成B阶的荧光体片；C阶化工序，将B阶的荧光体片C阶化；以及评价工序，对C阶的荧光体片进行评价。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105637334A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480056881.7
申请日：2014-09-19
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G01N21/59 , G01N21/64 , G01N2021/6491 , G01N2201/0655 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 一种荧光体片的评价方法，是评价由含有荧光体和树脂的液态组合物形成的荧光体片的方法，所述评价方法具备下述工序：间隔件配置工序，在基材上配置间隔件；注入工序，向间隔件的内侧注入液态组合物直至达到规定高度；以及，测定工序，测定规定高度的液态组合物的色度。
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公开(公告)号：CN105518882A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480048971.1
申请日：2014-09-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09K11/08 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/56
Abstract: 一种光半导体元件封装组合物，其是含有封装树脂和光扩散性有机颗粒的光半导体元件封装组合物。封装树脂的折射率与光扩散性有机颗粒的折射率之差的绝对值为0.020以上且0.135以下。光扩散性有机颗粒相对于光半导体元件封装组合物的含有比率为1质量％以上且10质量％以下。光半导体元件封装组合物用于光半导体元件的封装。
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公开(公告)号：CN105051874A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480016394.8
申请日：2014-03-13
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , H01L21/563 , H01L21/566 , H01L21/568 , H01L25/0753 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 一种光半导体装置的制造方法，其具备：清漆制造工序，在该清漆制造工序中，制造包含颗粒和固化性树脂的清漆；覆盖层制造工序，在该覆盖层制造工序中，从清漆制造A阶段的覆盖层；以及覆盖工序，在该覆盖工序中，利用A阶段的覆盖层来覆盖光半导体元件。
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公开(公告)号：CN104471692A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380038238.7
申请日：2013-07-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 封装层覆盖半导体元件的制造方法具有以下工序：配置工序，将半导体元件配置于支撑台上；封装工序，利用具有剥离层、层叠于剥离层下方且由热固性树脂形成的完全固化前的封装层的封装片中的封装层将半导体元件埋设而进行封装；以及加热工序，在封装工序之后，对封装层进行加热使其固化。加热工序具有：第1加热工序，边将封装片朝向支撑台进行机械加压边在第1温度下进行加热；以及第2加热工序，在前述第1加热工序之后，在高于前述第1温度的第2温度下对封装片进行加热。
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公开(公告)号：CN104428880A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201380032630.0
申请日：2013-07-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供覆有封装层的半导体元件和半导体装置的制造方法。覆有封装层的半导体元件的制造方法包括：配置工序，在该配置工序中，将半导体元件配置在支承台之上；封装工序，在该封装工序中，利用具有剥离层和层叠在剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层的封装片的封装层来埋设半导体元件而将半导体元件封装；以及加热工序，该加热工序在封装工序之后对封装层加热而使封装层固化。加热工序具有：第1加热工序，在该第1加热工序中，利用第1温度在常压下对封装片加热；剥离工序，该剥离工序在第1加热工序之后将剥离层自封装层剥离；以及第2加热工序，该第2加热工序在剥离工序之后利用温度高于第1温度的第2温度对封装层加热。
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