公开(公告)号：CN101816060B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880110286.1

申请日：2008-10-06

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  黑田理人 ,  工藤秀雄 ,  速水善范

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

公开(公告)号：CN101816060A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880110286.1

申请日：2008-10-06

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  黑田理人 ,  工藤秀雄 ,  速水善范

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

公开(公告)号：CN1748287A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003583.8

申请日：2004-01-29

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山中秀记 ,  出水清史 ,  寺本章伸 ,  须川成利

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。

公开(公告)号：CN100380580C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200480003583.8

申请日：2004-01-29

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山中秀记 ,  出水清史 ,  寺本章伸 ,  须川成利

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。

公开(公告)号：CN107037209B

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201611244853.5

申请日：2016-12-29

Applicant: 月桂株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 渡边浩志 ,  成田知德 ,  寺本章伸

IPC: G01N33/569 ,  A61L2/04

Abstract: 本发明关于一种灭菌型液体成分检查装置及其使用方法，于生体检查后，能够容易的将携带型病毒检查装置废弃。将从血液、唾液、汗、生体取得的检体与生理盐水混合的检体混合溶液，利用抗体抗原反应进行检体检查后，通过多个小容器内部容积的差，与设置于各小容器的阀的开关操作方法，集中至检查装置本体的最深部，使用所设置的加热装置至少加热集中处，借此有效率的将被认为存在于检体混合液中的病毒等病原体进行灭菌。

公开(公告)号：CN103443910A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280000929.3

申请日：2012-04-05

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67757 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。

公开(公告)号：CN101903562B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200880122240.1

申请日：2008-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  后藤哲也 ,  田中宏治

IPC: C23C16/511 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。

公开(公告)号：CN103262225A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201280004168.9

申请日：2012-01-23

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法，其具有：第1牺牲层形成工序，形成与第1半导体层的至少一部分接触、第1半导体层中所包含的杂质的固溶度比第1半导体层高的第1牺牲层；退火工序，对第1牺牲层及第1半导体层进行退火；除去工序，用湿法工艺除去第1牺牲层；形成覆盖第1半导体层的至少一部分的绝缘层的工序，及对第1半导体层的一部分进行蚀刻的工序的至少一个工序；形成与第1半导体层电性地连接的电极层的电极形成工序。

公开(公告)号：CN102792422A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011875.6

申请日：2011-03-02

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/28575 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66522

Abstract: 一种半导体晶体管的制造方法，在由GaN系的半导体构成的活性层上形成欧姆电极，该半导体晶体管的制造方法具备：在活性层(3)上形成由钽氮化物构成的第1层(11)、和层叠于第1层(11)上的由Al构成的第2层(12)的工序；通过以520℃以上、600℃以下的温度来对第1以及第2层(11、12)进行热处理，来形成与活性层(3)取得欧姆接触的欧姆电极(9s、9d)的工序。

公开(公告)号：CN101461062B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200780020846.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人东北大学 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘 ,  矢部弘男 ,  渡边高训

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种功率MOS晶体管的导通电阻较低且表层沟道MOS晶体管部分的处理速度较快的、功率IC器件及其制造方法。芯片(2a)表面的面方位为偏离硅的(110)结晶面-8°以上+8°以下的面方位，P沟道型沟槽功率MOS晶体管(10)具有：在芯片(2a)的表面上穿孔形成的沟槽(3)、沟槽(3)内的栅区(11)、沟槽(3)的横壁部分的反型沟区(12)、形成于芯片(2a)的表面层的源区(14)、形成于芯片(2a)的背面层的漏区(13)。表层沟道MOS晶体管(20)具有反型沟区(22)，其中，反型沟道电流的方向为偏离上述硅的 结晶方向-8°以上+8°以下的方向。