公开(公告)号：CN100380580C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200480003583.8

申请日：2004-01-29

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山中秀记 ,  出水清史 ,  寺本章伸 ,  须川成利

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。

公开(公告)号：CN1748287A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003583.8

申请日：2004-01-29

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山中秀记 ,  出水清史 ,  寺本章伸 ,  须川成利

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。

公开(公告)号：CN100403543C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN02824295.5

申请日：2002-11-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 三谷清 ,  出水清史 ,  横川功 ,  大见忠弘 ,  须川成利

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。这样以来，得以提供能够获得活用{110}的单晶硅晶片而具有优异特性的MIS器件的晶片。

公开(公告)号：CN1440565A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN01812499.2

申请日：2001-07-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  伊藤辰夫 ,  金谷晃一

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/28211 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L29/518 ,  H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  Y02E10/547 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明涉及一种单结晶晶片及太阳电池单元，单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，于[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、于[01－1]方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10－1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面为特征的单结晶晶片。由此，可经由提供即使晶片厚度为薄，可承受装置制程的单结晶晶片，可减低单结晶原料的损失。又，经由利用如此晶片，可低成本提供MIS型半导体装置或太阳电池单元。

公开(公告)号：CN101816060B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880110286.1

申请日：2008-10-06

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  黑田理人 ,  工藤秀雄 ,  速水善范

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

公开(公告)号：CN101816060A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880110286.1

申请日：2008-10-06

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  黑田理人 ,  工藤秀雄 ,  速水善范

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

公开(公告)号：CN1217380C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN01812499.2

申请日：2001-07-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  伊藤辰夫 ,  金谷晃一

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/28211 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L29/518 ,  H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  Y02E10/547 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明涉及一种单结晶晶片，特征在于单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，于[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、于[01-1]方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10-1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面，且晶片的厚度(μm)/晶片的直径(mm)≤3。由此，可通过提供即使晶片厚度薄，也可承受器件工艺的单结晶晶片，可降低单结晶原料的损失。另外，通过利用如此的晶片，可低成本地提供MIS型半导体器件。

公开(公告)号：CN1599958A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02824295.5

申请日：2002-11-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 三谷清 ,  出水清史 ,  横川功 ,  大见忠弘 ,  须川成利

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。这样以来，得以提供能够获得活用{110}的单晶硅晶片而具有优异特性的MIS器件的晶片。

公开(公告)号：CN101567388B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910141533.0

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101215684B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200710198636.1

申请日：2004-02-03

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  高桥一郎 ,  山田敦彦 ,  樱井弘之

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C01G35/00 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/42 ,  C23C14/088

Abstract: 本发明提供一种铁电膜的制造装置，其中，在容纳被处理体的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上，从而在被处理体上形成铁电膜；所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。本发明目的在于降低Sr2(Ta1-xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。