公开(公告)号：CN101567389B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910141534.5

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101567388A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141533.0

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN100521115C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200480014594.6

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101567388B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910141533.0

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P-沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极-至-源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101567389A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910141534.5

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN1795547A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014594.6

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN101461062B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200780020846.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人东北大学 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘 ,  矢部弘男 ,  渡边高训

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种功率MOS晶体管的导通电阻较低且表层沟道MOS晶体管部分的处理速度较快的、功率IC器件及其制造方法。芯片(2a)表面的面方位为偏离硅的(110)结晶面-8°以上+8°以下的面方位，P沟道型沟槽功率MOS晶体管(10)具有：在芯片(2a)的表面上穿孔形成的沟槽(3)、沟槽(3)内的栅区(11)、沟槽(3)的横壁部分的反型沟区(12)、形成于芯片(2a)的表面层的源区(14)、形成于芯片(2a)的背面层的漏区(13)。表层沟道MOS晶体管(20)具有反型沟区(22)，其中，反型沟道电流的方向为偏离上述硅的 结晶方向-8°以上+8°以下的方向。

公开(公告)号：CN101461062A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020846.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立大学法人东北大学 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： A·O·阿丹 ,  菊田光洋 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘 ,  矢部弘男 ,  渡边高训

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734

Abstract: 本发明提供一种功率MOS晶体管的导通电阻较低且表层沟道MOS晶体管部分的处理速度较快的、功率IC器件及其制造方法。芯片(2a)表面的面方位为偏离硅的(110)结晶面－8°以上+8°以下的面方位，P沟道型沟槽功率MOS晶体管(10)具有：在芯片(2a)的表面上穿孔形成的沟槽(3)、沟槽(3)内的栅区(11)、沟槽(3)的横壁部分的反型沟区(12)、形成于芯片(2a)的表面层的源区(14)、形成于芯片(2a)的背面层的漏区(13)。表层沟道MOS晶体管(20)具有反型沟区(22)，其中，反型沟道电流的方向为偏离上述硅的 结晶方向－8°以上+8°以下的方向。

公开(公告)号：CN101215684B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200710198636.1

申请日：2004-02-03

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  高桥一郎 ,  山田敦彦 ,  樱井弘之

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C01G35/00 ,  C01G35/006 ,  C01P2006/42 ,  C23C14/088

Abstract: 本发明提供一种铁电膜的制造装置，其中，在容纳被处理体的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上，从而在被处理体上形成铁电膜；所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。本发明目的在于降低Sr2(Ta1-xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。

公开(公告)号：CN1510755B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200310117790.3

申请日：2003-12-02

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/318 ,  H01L29/6659

Abstract: 在一种形成在具有主(110)结晶平面取向的硅表面上的半导体器件中，硅表面通过降低OH浓度的RCA标准清洗-1工序、并通过淀积自牺牲氧化物膜而具有不大于0.15nm的规定的表面算术平均差Ra，优选地，不大于0.09nm，实现制造高迁移率的n-MOS晶体管。通过重复在氧基气氛中自牺牲氧化物膜的淀积工艺和自牺牲氧化物膜的去除工艺、或通过在脱气的H2O或低OH浓度气氛中清洗硅表面，或用氢或重氢使硅表面完全终结(terminating)，可以取得这种平整的硅表面。用各向同性氧化可以实现自牺牲氧化物膜的淀积处理。本发明还提供一种制造半导体器件的方法。