公开(公告)号：CN101816060B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880110286.1

申请日：2008-10-06

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  黑田理人 ,  工藤秀雄 ,  速水善范

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

公开(公告)号：CN101816060A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880110286.1

申请日：2008-10-06

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  诹访智之 ,  黑田理人 ,  工藤秀雄 ,  速水善范

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及半导体装置，在半导体基板表面按原子台阶形成阶梯状的多个平台实质上沿同一方向形成。并且，使用该半导体基板，以在载流子移动方向(源极-漏极方向)不存在台阶的方式形成MOS晶体管。

公开(公告)号：CN100380580C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200480003583.8

申请日：2004-01-29

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山中秀记 ,  出水清史 ,  寺本章伸 ,  须川成利

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。

公开(公告)号：CN100403543C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN02824295.5

申请日：2002-11-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 三谷清 ,  出水清史 ,  横川功 ,  大见忠弘 ,  须川成利

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。这样以来，得以提供能够获得活用{110}的单晶硅晶片而具有优异特性的MIS器件的晶片。

公开(公告)号：CN1748287A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200480003583.8

申请日：2004-01-29

Applicant: 信越半导体株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  山中秀记 ,  出水清史 ,  寺本章伸 ,  须川成利

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28167 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。

公开(公告)号：CN1440565A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN01812499.2

申请日：2001-07-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  伊藤辰夫 ,  金谷晃一

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/28211 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L29/518 ,  H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  Y02E10/547 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明涉及一种单结晶晶片及太阳电池单元，单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，于[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、于[01－1]方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10－1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面为特征的单结晶晶片。由此，可经由提供即使晶片厚度为薄，可承受装置制程的单结晶晶片，可减低单结晶原料的损失。又，经由利用如此晶片，可低成本提供MIS型半导体装置或太阳电池单元。

公开(公告)号：CN1217380C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN01812499.2

申请日：2001-07-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  伊藤辰夫 ,  金谷晃一

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/28211 ,  C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  H01L29/518 ,  H01L31/028 ,  H01L31/036 ,  Y02E10/547 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明涉及一种单结晶晶片，特征在于单结晶晶片的主表面是相对于单结晶的[100]轴，于[011]方向具有α(0°＜α＜90°)、于[01-1]方向具有β(0°＜β＜90°)、于[10-1]方向或[101]方向具有γ(0°≤γ＜45°)的倾斜角度的面或与该面等效的面，且晶片的厚度(μm)/晶片的直径(mm)≤3。由此，可通过提供即使晶片厚度薄，也可承受器件工艺的单结晶晶片，可降低单结晶原料的损失。另外，通过利用如此的晶片，可低成本地提供MIS型半导体器件。

公开(公告)号：CN1599958A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02824295.5

申请日：2002-11-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 三谷清 ,  出水清史 ,  横川功 ,  大见忠弘 ,  须川成利

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明贴合晶片及其制造方法。本发明的贴合晶片，在单晶硅晶片上积层了单晶硅层，其特征为，该单晶硅层的结晶面方位为{110}，而且，前述单晶硅晶片的结晶面方位为{100}。另外，本发明的贴合晶片的制造方法，其特征为至少使结晶面方位为{110}的第1单晶硅晶片与结晶面方位为{100}的第2单晶硅晶片直接或者间隔着绝缘膜来进行贴合，然后使所述第1单晶硅晶片薄膜化。这样以来，得以提供能够获得活用{110}的单晶硅晶片而具有优异特性的MIS器件的晶片。

公开(公告)号：CN102760633B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201210243672.6

申请日：2009-06-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，能够增大主气体流路与多个支气体流路的气体流导之比。等离子体处理装置（100），其激发气体来对被处理体进行等离子体处理，并具备：处理容器（100）；供给预期的气体的气体供给源（905）；分流从气体供给源（905）供给的气体的主气体流路（330）；与主气体流路（330）的下游侧连接的多个支气体流路（螺钉325）；设置于多个支气体流路上用于缩窄支气体流路的多个节流部（细管335）；以及在每个支气体流路上设置的1个或2个以上的气体释放孔（345），其用于将经过多个支气体流路上所设置的多个节流部后的气体释放到处理容器（100）的内部。

公开(公告)号：CN103282701B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201280004505.4

申请日：2012-01-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本华尔卡工业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  佐藤広嗣 ,  内野良则 ,  岩城征道

IPC: F16J15/08

CPC classification number: F16J15/08 ,  F16J15/027 ,  F16J15/0881 ,  F16J15/0893

Abstract: 提供一种能以比现有技术小的紧固力发挥出与现有技术相比同等以上的较高密封性的金属垫片。其是由形成有周向的开口且截面呈大致C字状的环状的外环和嵌装于该外环内侧的环状的内环构成，并通过在安装于构件间的状态下沿上下方向被按压来对构件间进行密封的环状的金属垫片，内环的截面形成为多边形，包括：与外环的内侧面的上侧抵接的上侧角部；与外环的内侧面的下侧抵接的下侧角部；以位于上侧角部与下侧角部之间的方式形成于内环的内周侧的内周侧角部；以及以位于上侧角部与下侧角部之间的方式形成于内环的外周侧的外周侧角部，在上侧角部与内周侧角部及外周侧角部之间、下侧角部与内周侧角部及外周侧角部之间分别形成有内角比180°大的弯曲部。