半导体模块
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107622998B

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN201710575595.7

    申请日:2017-07-14

    Abstract: 半导体模块在配置有多个功率端子的位置与配置有HVIC、LVIC的位置之间包含芯片焊盘区域。在芯片焊盘区域内的与HVIC、LVIC相比更靠近多个功率端子的位置配置多个RC‑IGBT。

    功率模块
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109671687B

    公开(公告)日:2023-01-13

    申请号:CN201811189176.0

    申请日:2018-10-12

    Abstract: 本发明得到功率模块,其能够减小所安装的散热鳍片的晃动,将由晃动引起的应力分散。向功率芯片(5a~5f)连接有功率端子(2)。向对功率芯片(5a~5f)进行控制的控制芯片(6、7)连接有控制端子(3)。将功率芯片(5a~5f)、控制芯片(6、7)、功率端子(2)以及控制端子(3)由模塑树脂覆盖而构成封装件(1)。在封装件(1)的没有功率端子(2)以及控制端子(3)凸出的彼此相对的侧面,分别设置有用于安装散热鳍片(10)的第1及第2凹部(4a、4b)。第1及第2凹部(4a、4b)不相对而是配置于彼此错开的位置。

    半导体装置分拣系统及半导体装置

    公开(公告)号:CN109604191A

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201811152212.6

    申请日:2018-09-29

    Abstract: 目的在于提供能够使半导体装置具有表示多个电气特性的信息的技术。半导体装置分拣系统(10)具有:特性测定部(4),其对半导体装置(1)的电气特性进行测定;等级判别数据库(2),其用于将电气特性分类成等级;运算部(3),其将由特性测定部(4)测定出的半导体装置(1)的多个电气特性参照等级判别数据库(2)分别分类成多个等级;写入部(5),其将由运算部(3)分类出的多个等级变换成图形符号代码,将该图形符号代码形成于半导体装置(1);读取部(6),其从形成于半导体装置(1)的图形符号代码读取多个等级;以及分拣部(7),其基于由读取部(6)读取到的多个等级而对半导体装置(1)进行分拣。

    半导体装置的制造方法及半导体装置

    公开(公告)号:CN111725075A

    公开(公告)日:2020-09-29

    申请号:CN202010175930.6

    申请日:2020-03-13

    Abstract: 本发明目的是提供可提高向基板的安装性的半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序:(a)准备引线框(9),引线框具有与2个端子连接的功率芯片用管芯焊盘(12)、与1个端子连接的控制元件用管芯焊盘(13)和将包含2个端子在内的多个端子间连结的系杆部(14、15);(b)将功率芯片(2)及续流二极管(3)载置于功率芯片用管芯焊盘(12),将IC(10、11)载置于控制元件用管芯焊盘(13);(c)以系杆部(14、15)露出至外部且包含2个端子以及1个端子在内的多个端子凸出至外侧的方式通过模塑树脂(8)进行封装;以及(d)以保留将2个端子连结的系杆部(14)的方式去除系杆部(14、15)。

    功率模块
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109671687A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201811189176.0

    申请日:2018-10-12

    Abstract: 本发明得到功率模块,其能够减小所安装的散热鳍片的晃动,将由晃动引起的应力分散。向功率芯片(5a~5f)连接有功率端子(2)。向对功率芯片(5a~5f)进行控制的控制芯片(6、7)连接有控制端子(3)。将功率芯片(5a~5f)、控制芯片(6、7)、功率端子(2)以及控制端子(3)由模塑树脂覆盖而构成封装件(1)。在封装件(1)的没有功率端子(2)以及控制端子(3)凸出的彼此相对的侧面,分别设置有用于安装散热鳍片(10)的第1及第2凹部(4a、4b)。第1及第2凹部(4a、4b)不相对而是配置于彼此错开的位置。

    半导体模块
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107622998A

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201710575595.7

    申请日:2017-07-14

    Abstract: 半导体模块在配置有多个功率端子的位置与配置有HVIC、LVIC的位置之间包含芯片焊盘区域。在芯片焊盘区域内的与HVIC、LVIC相比更靠近多个功率端子的位置配置多个RC-IGBT。

    半导体装置的制造方法及半导体装置

    公开(公告)号:CN111725075B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202010175930.6

    申请日:2020-03-13

    Abstract: 本发明目的是提供可提高向基板的安装性的半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序:(a)准备引线框(9),引线框具有与2个端子连接的功率芯片用管芯焊盘(12)、与1个端子连接的控制元件用管芯焊盘(13)和将包含2个端子在内的多个端子间连结的系杆部(14、15);(b)将功率芯片(2)及续流二极管(3)载置于功率芯片用管芯焊盘(12),将IC(10、11)载置于控制元件用管芯焊盘(13);(c)以系杆部(14、15)露出至外部且包含2个端子以及1个端子在内的多个端子凸出至外侧的方式通过模塑树脂(8)进行封装;以及(d)以保留将2个端子连结的系杆部(14)的方式去除系杆部(14、15)。

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