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公开(公告)号：CN103166615A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210542282.9
申请日：2012-12-14
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H03K17/567
CPC分类号： H02M7/537 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H02M1/088 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2224/49111
摘要： 本发明涉及功率半导体装置。在IGBT（1～3）及MOSFET（7～9）之中，配置于栅极控制电路（18）的附近的晶体管，将从栅极控制电路（18）供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离栅极控制电路（18）较远的位置的晶体管的栅极，在IGBT（4～6）及MOSFET（10～12）之中，配置于栅极控制电路（19）的附近的晶体管，将从栅极控制电路（19）供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离栅极控制电路（19）较远的位置的晶体管。从而在作为开关器件使IGBT和MOSFET并行动作而使用的功率半导体装置中，将装置整体小型化。
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公开(公告)号：CN109964314A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201680090950.5
申请日：2016-11-22
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 本发明具备：至少1组第1及第2开关器件，它们串联地插入至第1电位与比第1电位低的第2电位之间，互补地进行动作；第1及第2驱动电路，它们进行第1及第2开关器件的驱动控制，在半导体模块中，第1及第2驱动电路、至少1组第1及第2开关器件被封装于俯视形状为矩形的封装件，该半导体模块具备：控制端子，其设置为从封装件的第1及第2长边中的第1长边的侧面凸出，被输入第1及第2驱动电路的控制信号；输出端子，其设置为从第2长边的侧面凸出；第1主端子，其设置为从封装件的第1及第2短边中的第1短边的侧面凸出，被赋予第1电位；以及第2主端子(2)，其设置为从第2短边的侧面凸出，被赋予第2电位。
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公开(公告)号：CN100334705C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410059314.5
申请日：2004-06-15
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L23/34 , H01L23/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M7/003 , H02M2001/0009 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体功率模块，检测主电路电流而不使用分流电阻，同时可降低模块的布线电感。该半导体功率模块包括检测流过半导体功率元件的主电路电流的检测部(12b)。检测部包括：第一和第二电路图形(14b、15b)；与第一和第二电路图形在键合点(C、D)连接的键合线(16)；以及从键合点(C、D)附近分别突出的一对端子图形(18b、19b)。通过从第一电路图形通过键合线向第二电路图形流过主电路电流，并检测一对端子图形间的电位差，检测在键合线的两端间产生的电位差。第一或第二电路图形包括与键合线相邻并且大致平行地延长的区域(G)。流过区域(G)和键合线的主电路电流的方向为大致相反方向。
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公开(公告)号：CN103166615B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210542282.9
申请日：2012-12-14
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H03K17/567
CPC分类号： H02M7/537 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H02M1/088 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2224/49111
摘要： 本发明涉及功率半导体装置。在IGBT（1～3）及MOSFET（7～9）之中，配置于栅极控制电路（18）的附近的晶体管，将从栅极控制电路（18）供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离栅极控制电路（18）较远的位置的晶体管的栅极，在IGBT（4～6）及MOSFET（10～12）之中，配置于栅极控制电路（19）的附近的晶体管，将从栅极控制电路（19）供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离栅极控制电路（19）较远的位置的晶体管。从而在作为开关器件使IGBT和MOSFET并行动作而使用的功率半导体装置中，将装置整体小型化。
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公开(公告)号：CN1577785A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059314.5
申请日：2004-06-15
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L23/34 , H01L23/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02M7/003 , H02M2001/0009 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体功率模块，检测主电路电流而不使用分流电阻，同时可降低模块的布线电感。该半导体功率模块包括检测流过半导体功率元件的主电路电流的检测部(12b)。检测部包括：第一和第二电路图形(14b、15b)；与第一和第二电路图形在键合点(C、D)连接的键合线(16)；以及从键合点(C、D)附近分别突出的一对端子图形(18b、19b)。通过从第一电路图形通过键合线向第二电路图形流过主电路电流，并检测一对端子图形间的电位差，检测在键合线的两端间产生的电位差。第一或第二电路图形包括与键合线相邻并且大致平行地延长的区域(G)。流过区域(G)和键合线的主电路电流的方向为大致相反方向。
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公开(公告)号：CN1452305A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN02154351.8
申请日：2002-11-25
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H03K17/16 , H02J17/00 , H03K17/0826
摘要： 一种可防止因加于半导体元件开关动作控制电路的预定端子间的浪涌电压造成控制电路损坏的电力半导体装置。该电力半导体装置中设有：串联连接于高压侧与低压侧的、由半导体元件SW1、SW2串联连接而成的半电桥电路，以及控制各半导体元件SW1、SW2的开关动作的、带有连接于控制电源高电位侧的电源输入端子Vcc的控制电路IC1、IC2。该装置中还设有：连接在控制低压侧半导体元件SW1的控制电路IC1的电源输入端子Vcc和低压侧半导体元件SW1的低压侧端子即发射极端子N1之间的齐纳二极管ZD。
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公开(公告)号：CN109604191A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811152212.6
申请日：2018-09-29
申请人： 三菱电机株式会社
摘要： 目的在于提供能够使半导体装置具有表示多个电气特性的信息的技术。半导体装置分拣系统(10)具有：特性测定部(4)，其对半导体装置(1)的电气特性进行测定；等级判别数据库(2)，其用于将电气特性分类成等级；运算部(3)，其将由特性测定部(4)测定出的半导体装置(1)的多个电气特性参照等级判别数据库(2)分别分类成多个等级；写入部(5)，其将由运算部(3)分类出的多个等级变换成图形符号代码，将该图形符号代码形成于半导体装置(1)；读取部(6)，其从形成于半导体装置(1)的图形符号代码读取多个等级；以及分拣部(7)，其基于由读取部(6)读取到的多个等级而对半导体装置(1)进行分拣。
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公开(公告)号：CN105321935B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201510455805.X
申请日：2015-07-29
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L25/04
摘要： 本发明得到一种将转换器部及逆变器部一体化的半导体装置，其实现外部连接时的配线的容易化。将转换器部(10)的转换器输出端子(8P、8N)相邻配置在第1侧面侧，此外，与转换器输出端子(8N)相邻地配置有复合模块(1)的外部连接用的外部端子(18)。将转换器部(10)的AC输入端子(7R、7S、7T)配置在第2侧面侧。并且，转换器输出端子(8P、8N)之间、以及转换器输出端子(8N)与外部端子(18)之间分别设定为形成节距d1，AC输入端子(7R、7S)之间、以及AC输入端子(7S、7T)之间分别设定为形成节距d2，形成节距d1和形成节距d2设定为相同长度(d1＝d2)。
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公开(公告)号：CN105321935A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510455805.X
申请日：2015-07-29
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L25/04
CPC分类号： H02M7/003 , H01L2224/48139 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H02M5/4585 , H02M7/06 , H02M7/537 , H05K7/1432
摘要： 本发明得到一种将转换器部及逆变器部一体化的半导体装置，其实现外部连接时的配线的容易化。将转换器部(10)的转换器输出端子(8P、8N)相邻配置在第1侧面侧，此外，与转换器输出端子(8N)相邻地配置有复合模块(1)的外部连接用的外部端子(18)。将转换器部(10)的AC输入端子(7R、7S、7T)配置在第2侧面侧。并且，转换器输出端子(8P、8N)之间、以及转换器输出端子(8N)与外部端子(18)之间分别设定为形成节距d1，AC输入端子(7R、7S)之间、以及AC输入端子(7S、7T)之间分别设定为形成节距d2，形成节距d1和形成节距d2设定为相同长度(d1＝d2)。
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公开(公告)号：CN1773858A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510119449.0
申请日：2005-11-10
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H03K17/08
CPC分类号： H02M7/53873 , H02M1/088
摘要： 本发明提供一种抑制电涌的功率半导体装置。在功率半导体装置中，具备：串联连接的1对高压侧以及低压侧的功率开关半导体元件、反向连接在各功率开关半导体元件上的飞轮二极管、以及按每个功率开关半导体元件进行配置并基于输入信号向该功率开关半导体元件的栅极提供驱动信号的栅极驱动电路，并且，为抑制电涌的影响，例如在低压侧的栅极驱动电路和向该栅极驱动电路提供电源电压的控制电源电路之间插入二极管。或在栅极驱动电路和用于提供输入信号的输入端子之间插入二极管。
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