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公开(公告)号：CN114496991B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202111305499.3
申请日：2021-11-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/544
Abstract: 目的在于提供能够容易地识别产品的型号名称、抑制向基板的误搭载的半导体装置。半导体装置(100)具有：封装件(1)，其将半导体元件封装；引线框(2)，其一个端部与半导体元件连接，另一个端部从封装件(1)的侧面凸出；多个螺孔(3)，它们形成于封装件(1)以使得能够将封装件(1)固定于基板；以及树脂部(7)，其能够将多个螺孔(3)堵塞。半导体装置(100)的型号名称由各个螺孔(3)的开闭状态表示。
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公开(公告)号：CN113764398B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202110592081.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供能够利用由将多个元件进行层叠带来的优点，并且不使用复杂的结构就能够降低分流电压带给控制元件的不良影响的功率模块。第2半导体开关元件(141b)与第1半导体开关元件(141a)串联连接，在厚度方向上与第1半导体开关元件(141a)至少局部地层叠。第1控制元件(102)对第1半导体开关元件(141a)以及第2半导体开关元件(141b)进行控制，参照分流电压而进行过电流保护动作。第1控制元件(102)在面内方向上与第1半导体开关元件(141a)以及第2半导体开关元件(141b)错开地配置。
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公开(公告)号：CN119182280A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202410776329.0
申请日：2024-06-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/088 , H02M1/32 , H01L25/07 , H01L23/48 , H01L23/535
Abstract: 目的在于提供能够抑制由第2半导体开关元件产生的热的技术。半导体装置具有并联电路和栅极驱动电路，该并联电路构成为，并联连接有第1半导体开关元件和第2半导体开关元件。栅极驱动电路在输入信号的状态持续的时间即状态持续时间大于或等于阈值的情况下，一边维持第1半导体开关元件的接通，一边使第2半导体开关元件断开，或者一边维持第1半导体开关元件的接通，一边使第2半导体开关元件的通电能力下降。
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公开(公告)号：CN111725075B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010175930.6
申请日：2020-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L25/07
Abstract: 本发明目的是提供可提高向基板的安装性的半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序：(a)准备引线框(9)，引线框具有与2个端子连接的功率芯片用管芯焊盘(12)、与1个端子连接的控制元件用管芯焊盘(13)和将包含2个端子在内的多个端子间连结的系杆部(14、15)；(b)将功率芯片(2)及续流二极管(3)载置于功率芯片用管芯焊盘(12)，将IC(10、11)载置于控制元件用管芯焊盘(13)；(c)以系杆部(14、15)露出至外部且包含2个端子以及1个端子在内的多个端子凸出至外侧的方式通过模塑树脂(8)进行封装；以及(d)以保留将2个端子连结的系杆部(14)的方式去除系杆部(14、15)。
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公开(公告)号：CN113764398A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110592081.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供能够利用由将多个元件进行层叠带来的优点，并且不使用复杂的结构就能够降低分流电压带给控制元件的不良影响的功率模块。第2半导体开关元件(141b)与第1半导体开关元件(141a)串联连接，在厚度方向上与第1半导体开关元件(141a)至少局部地层叠。第1控制元件(102)对第1半导体开关元件(141a)以及第2半导体开关元件(141b)进行控制，参照分流电压而进行过电流保护动作。第1控制元件(102)在面内方向上与第1半导体开关元件(141a)以及第2半导体开关元件(141b)错开地配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924883A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580082525.7
申请日：2015-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/28
Abstract: 逆变器控制元件(710、750)通过使用供给至逆变器控制系统电源端子(711、751)的电源电位进行动作，从而输出对逆变器开关元件(51～56)进行控制的信号。制动控制元件(810)通过使用供给至制动控制系统电源端子(811)的电源电位进行动作，从而输出对制动开关元件(59)进行控制的信号。第1金属部件(151)通过具有埋入至封装树脂体(300)中的部分而支撑于封装树脂体(300)，与逆变器控制系统电源端子(711、751)及制动控制系统电源端子(811)各自电连接，具有从封装树脂体(300)凸出的多个凸出部。
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公开(公告)号：CN107665875A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710631475.4
申请日：2017-07-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L25/07
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够将热干涉减少，且使散热性提高，并且抑制产品成本的增加的半导体装置。半导体装置(1)具备：功率芯片(8、9)；IC芯片(10)，其对功率芯片(8、9)进行驱动；以及引线框(2)，其具有薄壁部(3、3a)以及比薄壁部(3、3a)的厚度厚的厚壁部(4)。功率芯片(8、9)搭载于厚壁部(4)。另外，IC芯片(10)搭载于薄壁部(3a)。
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公开(公告)号：CN119382677A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410972204.5
申请日：2024-07-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够对第1半导体开关元件及第2半导体开关元件的发热进行抑制的技术。半导体装置具有栅极驱动电路，该栅极驱动电路基于输入信号，对第1半导体开关元件及第2半导体开关元件的每一者进行驱动。栅极驱动电路在为了将第1半导体开关元件接通而施加于第1栅极的第1栅极电压低于第1阈值的情况下，与输入信号无关地，在将第2半导体开关元件断开后，将第1半导体开关元件断开。
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公开(公告)号：CN118738039A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410334367.0
申请日：2024-03-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/538 , H01L25/00 , H01L21/60
Abstract: 本发明的目的在于提供能够充分地运用MOSFET的特性的半导体装置及其制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：下桥臂侧MOSFET(19)；下桥臂侧IGBT(18)；上桥臂侧MOSFET(6)；上桥臂侧IGBT(8)；上桥臂侧控制IC(3)，其对上桥臂侧MOSFET(6)以及上桥臂侧IGBT(8)的驱动进行控制；MOSFET栅极导线(4)，其将上桥臂侧MOSFET(6)的栅极电极与上桥臂侧控制IC(3)连接；IGBT栅极导线(5)，其将上桥臂侧IGBT(8)的栅极电极与上桥臂侧控制IC(3)连接；以及IGBT发射极感测导线(7)，其将上桥臂侧IGBT(8)的发射极电极与上桥臂侧控制IC(3)直接连接，上桥臂侧MOSFET(6)的源极电极经由上桥臂侧IGBT(8)的发射极电极而与上桥臂侧控制IC(3)电连接。
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公开(公告)号：CN114496991A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111305499.3
申请日：2021-11-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/544
Abstract: 目的在于提供能够容易地识别产品的型号名称、抑制向基板的误搭载的半导体装置。半导体装置(100)具有：封装件(1)，其将半导体元件封装；引线框(2)，其一个端部与半导体元件连接，另一个端部从封装件(1)的侧面凸出；多个螺孔(3)，它们形成于封装件(1)以使得能够将封装件(1)固定于基板；以及树脂部(7)，其能够将多个螺孔(3)堵塞。半导体装置(100)的型号名称由各个螺孔(3)的开闭状态表示。
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