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公开(公告)号：CN104241264A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410265538.5
申请日：2014-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电力用半导体装置，其抑制功率芯片间的热干涉。电力用半导体装置(100)具有：多个功率芯片(20)，它们封装在封装部(50)中，且用于控制电力；以及IC(10)，其封装在封装部(50)中，且对各功率芯片(20)进行控制。IC(10)在俯视观察时配置在封装部(50)的中央部，多个功率芯片(20)配置为在俯视观察时包围IC(10)。
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公开(公告)号：CN103166615A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210542282.9
申请日：2012-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/567
CPC classification number: H02M7/537 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H02M1/088 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2224/49111
Abstract: 本发明涉及功率半导体装置。在IGBT（1～3）及MOSFET（7～9）之中，配置于栅极控制电路（18）的附近的晶体管，将从栅极控制电路（18）供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离栅极控制电路（18）较远的位置的晶体管的栅极，在IGBT（4～6）及MOSFET（10～12）之中，配置于栅极控制电路（19）的附近的晶体管，将从栅极控制电路（19）供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离栅极控制电路（19）较远的位置的晶体管。从而在作为开关器件使IGBT和MOSFET并行动作而使用的功率半导体装置中，将装置整体小型化。
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公开(公告)号：CN107924883B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201580082525.7
申请日：2015-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/28
Abstract: 逆变器控制元件(710、750)通过使用供给至逆变器控制系统电源端子(711、751)的电源电位进行动作，从而输出对逆变器开关元件(51～56)进行控制的信号。制动控制元件(810)通过使用供给至制动控制系统电源端子(811)的电源电位进行动作，从而输出对制动开关元件(59)进行控制的信号。第1金属部件(151)通过具有埋入至封装树脂体(300)中的部分而支撑于封装树脂体(300)，与逆变器控制系统电源端子(711、751)及制动控制系统电源端子(811)各自电连接，具有从封装树脂体(300)凸出的多个凸出部。
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公开(公告)号：CN104038083B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410077138.1
申请日：2014-03-04
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M3/04 , H01L2924/181 , H02M1/08 , H02M1/4225 , H03K2217/0081 , Y02B70/126 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制由线性调节器功能引起的温度上升的技术。半导体模块（11）具有电压生成部（15）、和由绝缘散热片（16）及散热片（17）构成的散热机构而构成。电压生成部（15）能够使用内置的线性调节器功能，根据通过升压转换器（59）升压后的电压，生成用于驱动升压转换器（59）的电源电压。并且，电压生成部（15）搭载在上述散热机构上。
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公开(公告)号：CN103633077A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310124301.0
申请日：2013-04-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/31 , H02M7/00
CPC classification number: H01L27/0617 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H03K17/56 , Y02B70/1483 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及功率模块。功率模块（1）具备：IGBT（2）；MOSFET（3），与IGBT（2）并联连接；引线框（10），具有搭载有IGBT（2）的第一框部（11）和搭载有MOSFET（3）的第二框部（12），并且形成有第一框部（11）位于第一高度、第二框部（12）位于比第一高度高的第二高度的阶梯差（13）；以及散热体的绝缘片（30），在引线框（10）中仅配置于第一框部（11）的背面。从而能够调整IGBT与MOSFET的损耗负担并提高成本效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924883A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580082525.7
申请日：2015-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/28
Abstract: 逆变器控制元件(710、750)通过使用供给至逆变器控制系统电源端子(711、751)的电源电位进行动作，从而输出对逆变器开关元件(51～56)进行控制的信号。制动控制元件(810)通过使用供给至制动控制系统电源端子(811)的电源电位进行动作，从而输出对制动开关元件(59)进行控制的信号。第1金属部件(151)通过具有埋入至封装树脂体(300)中的部分而支撑于封装树脂体(300)，与逆变器控制系统电源端子(711、751)及制动控制系统电源端子(811)各自电连接，具有从封装树脂体(300)凸出的多个凸出部。
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公开(公告)号：CN103166615B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210542282.9
申请日：2012-12-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/567
CPC classification number: H02M7/537 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H02M1/088 , H02M7/003 , H01L2924/00 , H01L2224/49111
Abstract: 本发明涉及功率半导体装置。在IGBT（1～3）及MOSFET（7～9）之中，配置于栅极控制电路（18）的附近的晶体管，将从栅极控制电路（18）供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离栅极控制电路（18）较远的位置的晶体管的栅极，在IGBT（4～6）及MOSFET（10～12）之中，配置于栅极控制电路（19）的附近的晶体管，将从栅极控制电路（19）供给的栅极控制信号经由其栅极供给至配置于距离栅极控制电路（19）较远的位置的晶体管。从而在作为开关器件使IGBT和MOSFET并行动作而使用的功率半导体装置中，将装置整体小型化。
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公开(公告)号：CN1638224B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200510004030.0
申请日：2005-01-05
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02H7/0833 , H01L2924/0002 , H03K17/08128 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种不使用分流电阻而实现了短路保护功能的半导体器件和内置了该半导体器件的IPM。在作为绝缘栅型晶体管的晶体管(12)的栅电极上，从控制装置(LIC)的控制信号输出端子(Uout)施加控制输出信号，但在绝缘栅型晶体管中，如果该晶体管变为短路状态，则还在控制输出信号中成为产生影响并与正常动作状态不同的信号波形。利用这一现象，并通过对绝缘栅型晶体管的控制输出信号进行监测而检测短路状态，在变为短路状态时，通过强制地停止该控制输出信号，从而进行绝缘栅型晶体管的短路保护。
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公开(公告)号：CN107210279B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201680009619.6
申请日：2016-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提高压配端子与连接器的保持力来得到小型且可靠性高的电力用半导体装置。本发明的电力用半导体装置(1)具备：多个引线图案(23、24、25)，一端侧与包括电力用半导体元件(8)的电路部件中的任意电路部件连接，并且在另一端侧的预定位置具有贯通孔；密封体(4)，密封电路部件而形成；母型连接器(5)，从密封体(4)的主面(4f)向电路面(6f)地形成；以及压配端子(2)，具有连接器插入端子，该连接器插入端子固定于母型连接器。连接器插入端子具有：锚部，设置于向母型连接器的插入前端侧，固定于母型连接器的底以及侧面；以及压配部，设置于插入深度比锚部浅的部分，与引线图案的贯通孔连接。
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公开(公告)号：CN1741372A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510071211.5
申请日：2005-05-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03F1/52
CPC classification number: H03K17/0828 , H02M1/32 , H02M2001/0009 , H02M2001/0025 , H03K17/567 , H03K17/6871
Abstract: 本发明要解决的课题是由于为了能够调整过流保护断路的电平就使电路复杂化并需要大幅度的电路变更。本发明的半导体装置具备：多个电力用开关半导体元件；用于驱动其的控制集成电路；以及保护电路，检测在上述电力用开关元件中流经的电流，当根据该检测的信号和从基准电压获取的电压的比较而检测出过流时，使上述电力用开关元件断开，进行过流保护；并且具备用于将从上述基准电压获取的电压的线引出到外部的端子(RREF)，在该端子和接地间连接外部电阻(RR)，通过调整从上述基准电压获取的电压的大小可调整过流保护断路的电平。
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