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公开(公告)号：CN100524742C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710086302.5
申请日：2007-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/488
CPC classification number: H02M7/003 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/49113 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 功率半导体模块M由从外部供给单极性电用的框架F1、F5、串联连接在框架F1与F5之间的开关元件S6、S3、将通过各开关元件S6、S3的导通以及切断生成的交流电向外部输出用的框架F2、电连接开关元件S3与框架F5之间用的连接线L3、接近框架F2配置的框架F6、电连接开关元件S3与框架F6之间用的分支线J1等构成，在框架F2的端子W与追加的框架F6的端子T1之间连接外部的缓冲电路SN2。根据这样的结构，能够使用外部的缓冲电路充分抑制模块内部产生的电涌电压。
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公开(公告)号：CN104038083A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410077138.1
申请日：2014-03-04
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M3/04 , H01L2924/181 , H02M1/08 , H02M1/4225 , H03K2217/0081 , Y02B70/126 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制由线性调节器功能引起的温度上升的技术。半导体模块（11）具有电压生成部（15）、和由绝缘散热片（16）及散热片（17）构成的散热机构而构成。电压生成部（15）能够使用内置的线性调节器功能，根据通过升压转换器（59）升压后的电压，生成用于驱动升压转换器（59）的电源电压。并且，电压生成部（15）搭载在上述散热机构上。
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公开(公告)号：CN104038083B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410077138.1
申请日：2014-03-04
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M3/04 , H01L2924/181 , H02M1/08 , H02M1/4225 , H03K2217/0081 , Y02B70/126 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够抑制由线性调节器功能引起的温度上升的技术。半导体模块（11）具有电压生成部（15）、和由绝缘散热片（16）及散热片（17）构成的散热机构而构成。电压生成部（15）能够使用内置的线性调节器功能，根据通过升压转换器（59）升压后的电压，生成用于驱动升压转换器（59）的电源电压。并且，电压生成部（15）搭载在上述散热机构上。
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公开(公告)号：CN103259420A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201210557699.2
申请日：2012-12-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 加藤正博
CPC classification number: G05F1/70 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H02M1/42 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及功率模块和空调装置，其目的在于提供一种能够抑制在一对半导体开关元件中产生的噪声的技术。功率模块（1）是具有PFC（PowerFactorCorrection）功能的功率模块，其中，具备：一对IGBT（11a、11b）；一对第一二极管（12a、12b），与一对IGBT（11a、11b）分别连接，构成反向导通元件；以及一对第二二极管（13a、13b），与一对IGBT（11a、11b）分别连接，具有整流功能。而且，功率模块（1）具备：驱动IC（14），驱动一对IGBT（11a、11b）；以及一对P端子（21a、21b），互相独立设置，分别连接于一对第一二极管（12a、12b）的与一对IGBT（11a、11b）连接的一端相反的另一端。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103325759B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310265179.9
申请日：2011-12-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H02M1/42
CPC classification number: H02M7/217 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/73 , H01L25/165 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H02M1/4208 , Y02B70/126 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体模块，提供一种恢复特性优良并且低损失且低成本的PFC模块。PFC模块具有：二极管桥，由上臂的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）及下臂的第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）构成；功率因数改善用的第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）。其中的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）是采用宽带隙半导体形成的肖特基势垒二极管，第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）及第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）是采用硅形成的二极管。
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公开(公告)号：CN103325759A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310265179.9
申请日：2011-12-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H02M1/42
CPC classification number: H02M7/217 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/73 , H01L25/165 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H02M1/4208 , Y02B70/126 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体模块，提供一种恢复特性优良并且低损失且低成本的PFC模块。PFC模块具有：二极管桥，由上臂的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）及下臂的第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）构成；功率因数改善用的第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）。其中的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）是采用宽带隙半导体形成的肖特基势垒二极管，第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）及第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）是采用硅形成的二极管。
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公开(公告)号：CN102637679A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110453505.X
申请日：2011-12-30
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M7/217 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L24/73 , H01L25/165 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13055 , H02M1/4208 , Y02B70/126 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体模块，提供一种恢复特性优良并且低损失且低成本的PFC模块。PFC模块具有：二极管桥，由上臂的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）及下臂的第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）构成；功率因数改善用的第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）。其中的第一以及第二二极管（D1R）、（D1S）是采用宽带隙半导体形成的肖特基势垒二极管，第三以及第四二极管（D2R）、（D2S）及第一以及第二开关元件（SWR）、（SWS）是采用硅形成的肖特基势垒二极管。
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公开(公告)号：CN101110410A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710086302.5
申请日：2007-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/18 , H01L23/488
CPC classification number: H02M7/003 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/49113 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 功率半导体模块M由从外部供给单极性电用的框架F1、F5、串联连接在框架F1与F5之间的开关元件S6、S3、将通过各开关元件S6、S3的导通以及切断生成的交流电向外部输出用的框架F2、电连接开关元件S3与框架F5之间用的连接线L3、接近框架F2配置的框架F6、电连接开关元件S3与框架F6之间用的分支线J1等构成，在框架F2的端子W与追加的框架F6的端子T1之间连接外部的缓冲电路SN2。根据这样的结构，能够使用外部的缓冲电路充分抑制模块内部产生的电涌电压。
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