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公开(公告)号：CN117936489A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311357276.0
申请日：2023-10-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/538 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电力变换装置。目的在于提供一种能够使栅极导线的配线长度缩短的技术，该栅极导线将对并联连接的第1半导体元件以及第2半导体元件的驱动进行控制的控制IC与在远离控制IC的位置处配置的半导体元件的栅极焊盘连接。第1半导体元件(7)以及第2半导体元件(9)配置为第1半导体元件(7)的长边与第2半导体元件(9)的边相对，并且HVIC(3)或LVIC(2)、第1半导体元件(7)以及第2半导体元件(9)依次沿与第1方向正交的方向配置，栅极焊盘(8)配置于第1半导体元件(7)的第1方向上的一侧，栅极焊盘(10)配置于第2半导体元件(9)的第1方向上的另一侧。
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公开(公告)号：CN108133927A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711251027.8
申请日：2017-12-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L25/18 , H02M7/00
Abstract: 半导体装置(101)具有高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)彼此重叠的结构。还具有跨越高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)且载置高电位侧集成电路(12)及低电位侧集成电路(22)的控制侧框架(31)。高电位侧模块部分(10)的高电位侧集成电路(12)和低电位侧模块部分(20)的低电位侧集成电路(22)载置于控制侧框架(31)的一个主表面之上。控制侧框架(31)在高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)的边界(B1、B2)，以高电位侧半导体芯片(11)和低电位侧半导体芯片(21)彼此相对的方式弯折。
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公开(公告)号：CN111725075A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010175930.6
申请日：2020-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L25/07
Abstract: 本发明目的是提供可提高向基板的安装性的半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序：(a)准备引线框(9)，引线框具有与2个端子连接的功率芯片用管芯焊盘(12)、与1个端子连接的控制元件用管芯焊盘(13)和将包含2个端子在内的多个端子间连结的系杆部(14、15)；(b)将功率芯片(2)及续流二极管(3)载置于功率芯片用管芯焊盘(12)，将IC(10、11)载置于控制元件用管芯焊盘(13)；(c)以系杆部(14、15)露出至外部且包含2个端子以及1个端子在内的多个端子凸出至外侧的方式通过模塑树脂(8)进行封装；以及(d)以保留将2个端子连结的系杆部(14)的方式去除系杆部(14、15)。
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公开(公告)号：CN106981479A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710038848.7
申请日：2017-01-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及功率模块、3相逆变器系统以及功率模块的检查方法。功率模块具有：下桥臂用的第一MOS晶体管(Q1)及第一肖特基势垒二极管(D1)、以及上桥臂用的第二MOS晶体管(Q2)及第二肖特基势垒二极管(D2)。在一个实施方式中，正侧以及负侧的电源端子(P、N)各设置1个，与第一及第二MOS晶体管(Q1、Q2)连接的输出端子(MO)和与第一及第二肖特基势垒二极管(D1、D2)连接的输出端子(DO)分离。
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公开(公告)号：CN114678831B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202111554319.5
申请日：2021-12-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到能够实现充分的温度保护的半导体模块及电力转换装置。开关元件(2a、2b、2c)具有栅极焊盘(3)。输出部(5a、5b、5c)具有通过线(11)而与开关元件(2a、2b、2c)的栅极焊盘(3)连接的输出焊盘(10)，从输出焊盘(10)向开关元件(2a、2b、2c)输出驱动信号。温度保护电路(6)对温度进行检测而进行保护动作。导热图案(13)与输出焊盘(10)连接，从输出焊盘(10)朝向温度保护电路(6)延伸，将由开关元件(2a、2b、2c)产生的热传导至温度保护电路(6)。
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公开(公告)号：CN111725075B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010175930.6
申请日：2020-03-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L25/07
Abstract: 本发明目的是提供可提高向基板的安装性的半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序：(a)准备引线框(9)，引线框具有与2个端子连接的功率芯片用管芯焊盘(12)、与1个端子连接的控制元件用管芯焊盘(13)和将包含2个端子在内的多个端子间连结的系杆部(14、15)；(b)将功率芯片(2)及续流二极管(3)载置于功率芯片用管芯焊盘(12)，将IC(10、11)载置于控制元件用管芯焊盘(13)；(c)以系杆部(14、15)露出至外部且包含2个端子以及1个端子在内的多个端子凸出至外侧的方式通过模塑树脂(8)进行封装；以及(d)以保留将2个端子连结的系杆部(14)的方式去除系杆部(14、15)。
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公开(公告)号：CN114678831A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111554319.5
申请日：2021-12-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到能够实现充分的温度保护的半导体模块及电力转换装置。开关元件(2a、2b、2c)具有栅极焊盘(3)。输出部(5a、5b、5c)具有通过线(11)而与开关元件(2a、2b、2c)的栅极焊盘(3)连接的输出焊盘(10)，从输出焊盘(10)向开关元件(2a、2b、2c)输出驱动信号。温度保护电路(6)对温度进行检测而进行保护动作。导热图案(13)与输出焊盘(10)连接，从输出焊盘(10)朝向温度保护电路(6)延伸，将由开关元件(2a、2b、2c)产生的热传导至温度保护电路(6)。
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公开(公告)号：CN112701093A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011110741.7
申请日：2020-10-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/495
Abstract: 得到能够提高散热性、降低制造成本的半导体模块及电力转换装置。在绝缘性的散热片(12)之上设置半导体元件(13～16)。引线框(8、9)具有一体地构成的引线端子(8a、9a)和芯片焊盘(8b、9b)。导线(20、22)对引线框(8、9)和半导体元件(13～16)进行连接，成为主电流路径。模塑树脂(6)对散热片(12)、半导体元件(13～16)、引线框(8、9)以及导线(20、22)进行封装。引线端子(8a、9a)从模塑树脂(6)引出。散热片(12)与芯片焊盘(8b、9b)的下表面直接接触。在芯片焊盘(8b、9b)与散热片(12)的接触部分的正上方，导线(20、22)键合于芯片焊盘(8b、9b)。
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公开(公告)号：CN108133927B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201711251027.8
申请日：2017-12-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L25/18 , H02M7/00
Abstract: 半导体装置(101)具有高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)彼此重叠的结构。还具有跨越高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)且载置高电位侧集成电路(12)及低电位侧集成电路(22)的控制侧框架(31)。高电位侧模块部分(10)的高电位侧集成电路(12)和低电位侧模块部分(20)的低电位侧集成电路(22)载置于控制侧框架(31)的一个主表面之上。控制侧框架(31)在高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)的边界(B1、B2)，以高电位侧半导体芯片(11)和低电位侧半导体芯片(21)彼此相对的方式弯折。
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公开(公告)号：CN106981479B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710038848.7
申请日：2017-01-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及功率模块、3相逆变器系统以及功率模块的检查方法。功率模块具有：下桥臂用的第一MOS晶体管(Q1)及第一肖特基势垒二极管(D1)、以及上桥臂用的第二MOS晶体管(Q2)及第二肖特基势垒二极管(D2)。在一个实施方式中，正侧以及负侧的电源端子(P、N)各设置1个，与第一及第二MOS晶体管(Q1、Q2)连接的输出端子(MO)和与第一及第二肖特基势垒二极管(D1、D2)连接的输出端子(DO)分离。
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