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公开(公告)号：CN110912381A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910849317.5
申请日：2019-09-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够抑制多相转换器中的浪涌电压的影响的技术。半导体装置具备：寄生电感(L1、L2)，它们分别与功率晶体管(Q1、Q2)连接；以及驱动电路(DR)，其与连接点(S1、S2)连接，该连接点(S1、S2)分别将功率晶体管(Q1、Q2)和寄生电感(L1、L2)连接，该驱动电路(DR)对功率晶体管(Q1、Q2)进行驱动。驱动电路(DR)使功率晶体管(Q1、Q2)的连接点(S1、S2)处的基准电位相互绝缘。
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公开(公告)号：CN113764398A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110592081.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供能够利用由将多个元件进行层叠带来的优点，并且不使用复杂的结构就能够降低分流电压带给控制元件的不良影响的功率模块。第2半导体开关元件(141b)与第1半导体开关元件(141a)串联连接，在厚度方向上与第1半导体开关元件(141a)至少局部地层叠。第1控制元件(102)对第1半导体开关元件(141a)以及第2半导体开关元件(141b)进行控制，参照分流电压而进行过电流保护动作。第1控制元件(102)在面内方向上与第1半导体开关元件(141a)以及第2半导体开关元件(141b)错开地配置。
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公开(公告)号：CN113764398B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202110592081.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供能够利用由将多个元件进行层叠带来的优点，并且不使用复杂的结构就能够降低分流电压带给控制元件的不良影响的功率模块。第2半导体开关元件(141b)与第1半导体开关元件(141a)串联连接，在厚度方向上与第1半导体开关元件(141a)至少局部地层叠。第1控制元件(102)对第1半导体开关元件(141a)以及第2半导体开关元件(141b)进行控制，参照分流电压而进行过电流保护动作。第1控制元件(102)在面内方向上与第1半导体开关元件(141a)以及第2半导体开关元件(141b)错开地配置。
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公开(公告)号：CN117133725A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310569306.8
申请日：2023-05-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及半导体装置及其制造方法。目的是提供能够在半导体装置中提高耐湿性且提高功率循环耐量的技术。半导体装置具有：半导体基板(1)，具有上表面和与上表面相反侧的面即下表面，在半导体基板规定了电流流过的有效区域(2)和以将有效区域(2)的外周侧包围的方式形成的末端区域(7)；氧化膜(4)，设置为与末端区域(7)的上表面相接而覆盖上表面；有机绝缘膜(6)，包含绝缘性材料，设置为覆盖氧化膜(4)的除周缘部以外的部分；以及在氧化膜(4)的被有机绝缘膜(6)覆盖的部分处向下方凹陷的槽(8)或向上方凸出的隆起(10)中的至少一者，槽(8)的宽度具有朝向上方变小的部分，隆起(10)的宽度具有朝向上方变大的部分。
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