半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105518992B

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201380079394.8

    申请日:2013-09-06

    发明人: 林启

    IPC分类号: H03K17/08 H03K17/14

    摘要: 提供一种能够通过简单的结构来实现SC切断等级的调整而无需改变基准电压的半导体装置、半导体开关元件的驱动装置。半导体装置(51)具备半导体开关元件(1)、校正电压产生电路(5)、分压电路(3)、过电流保护电路(10)、驱动电路(9)。开关元件(1)能够由其感测端子(S)输出感测电流(Isense)。感测电阻(R2)接受来自感测端子(S)的感测电流(Isense)而产生感测电压(Vsense)。校正电压产生电路(5)产生校正电压(Vc)。分压电路(3)能够通过电阻(R3、R4)将感测电压(Vsense)和校正电压(Vc)进行电阻分压而输出校正后感测电压(Vin)。过电流保护电路(10)被输入校正后感测电压(Vin),在校正后感测电压(Vin)大于阈值电压(Vthresh)的情况下将停止信号输出至驱动电路(9)。

    一种退饱和检测电路、包含其的电路及其操作方法

    公开(公告)号:CN103944367A

    公开(公告)日:2014-07-23

    申请号:CN201410028258.2

    申请日:2014-01-21

    IPC分类号: H02M1/32 H02M1/092

    摘要: 公开了一种退饱和检测电路、包含其的电路及其操作方法。该退饱和检测电路包括一个具有输入端和输出端的阈值设定元件,所述输入端通过一个或多个二极管连接到功率开关器件的输出端,其中所述阈值设定元件用于在所述输入端设定阈值电压,当输入电压过高时所述阈值电压设定元件将在其输出端提供一个输出信号;所述退饱和检测电路还包括一个具有输入端和输出端的检测器,所述检测器的输入端连接到所述阈值设定元件的输出端,所述检测器的输出端能够连接到所述光耦合器的退饱和检测输入,所述检测器用于检测所述阈值设定元件的输出端的输出并作出响应以在所述检测器的输出端向所述退饱和检测输入提供一个控制信号,以触发所述光耦合器的退饱和动作。

    电负载的电流控制装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1829057A

    公开(公告)日:2006-09-06

    申请号:CN200510119205.2

    申请日:2005-10-26

    摘要: 本发明提供防止短路事故时的烧坏而且控制精度高的电负载的电流控制装置。该装置具有差动放大电路部(150)、检测误差校正手段、换算估计手段、反馈控制手段,并且微处理器(111A)包含FMEM(113A)、EEPROM(114A)、RAM存储器(112)、多路模—数变换器(115)。产生负载短路时,过电流检测电路170使开关元件121阻断,但电流检测电阻(126)使电流受到过渡性限制。差动放大电路部150放大电流检测电阻(126)的端电压,产生与负载电流对应的监视电压(Ef)。微处理器控制开关元件(121)的导通率,使从监视电压(Ef)算出的估计负载电流(Ime)与目标负载电流(Is)一致,并且在校正运转时从监视电压(Ef)、负载电流和驱动电源电压(Vb)算出校正常数,在实际运转时用校正常数从监视电压(Ef)算出估计负载电流(Ime)。

    电力半导体装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1452305A

    公开(公告)日:2003-10-29

    申请号:CN02154351.8

    申请日:2002-11-25

    IPC分类号: H02M1/00 H02H7/10

    摘要: 一种可防止因加于半导体元件开关动作控制电路的预定端子间的浪涌电压造成控制电路损坏的电力半导体装置。该电力半导体装置中设有:串联连接于高压侧与低压侧的、由半导体元件SW1、SW2串联连接而成的半电桥电路,以及控制各半导体元件SW1、SW2的开关动作的、带有连接于控制电源高电位侧的电源输入端子Vcc的控制电路IC1、IC2。该装置中还设有:连接在控制低压侧半导体元件SW1的控制电路IC1的电源输入端子Vcc和低压侧半导体元件SW1的低压侧端子即发射极端子N1之间的齐纳二极管ZD。

    传感器系统
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105564347B

    公开(公告)日:2018-01-02

    申请号:CN201510709610.3

    申请日:2015-10-28

    发明人: E.维特赫格

    IPC分类号: B60R16/023 E05F15/73

    摘要: 本发明涉及一种传感器系统,其被配置成将栅极电源(12)与传感器(14)对接,且包含用于检测用户(46)的传感器(14),用于向装置(16)提供功率的栅极电源(12)。装置(16)包含被连接到栅极电源(12)的用于接收来自栅极电源(12)的功率的输入(28),用于提高从栅极电源(12)接收的功率水平的电路(17),以及被连接到传感器(14)的用于向传感器(14)提供经提高水平的功率的输出(26)。电路(17)包含具有基极(34)、集电极(32)以及发射极(30)的NPN双极晶体管(22)。电路还包括具有另一基极(39)、另一集电极(38)以及另一发射极(36)的PNP双极晶体管(24)。

    负载驱动电路及保护方法

    公开(公告)号:CN101119099A

    公开(公告)日:2008-02-06

    申请号:CN200710137195.4

    申请日:2007-07-30

    发明人: 新山贤一

    IPC分类号: H03F1/00 H03F1/52

    CPC分类号: H03K17/0826

    摘要: 本发明提供一种负载驱动电路及保护方法,实现在发生地线-输出短路或电源-输出短路时很好地保护电路的保护功能。负载驱动电路(10)包括串联连接于第1固定电压(Vdd)和第2固定电压(GND)之间的双极型晶体管的第1晶体管(Q1)和第2晶体管(Q2),且对与两个晶体管的连接点的输出端子(T1)相连的负载提供与两个晶体管的导通截止状态相应的驱动电流(Idrv)。电流源(12)控制提供给第1晶体管的基极电流(Ib1)。保护电路(20)将输出端子的输出电压(Vout)与预定的阈值电压(Vth)进行比较,并监视第1晶体管的导通截止状态。保护电路在输出电压<阈值电压且第1晶体管导通的状态下,减少第1晶体管的基极电流。

    晶体管装置的过电压保护

    公开(公告)号:CN109217858A

    公开(公告)日:2019-01-15

    申请号:CN201810054550.X

    申请日:2018-01-19

    IPC分类号: H03K17/082

    摘要: 一种用于晶体管的过电压保护电路起作用来当所述晶体管处于关闭状态时,一旦通道电压超过阈值就会接通所述晶体管。这利用了与所述晶体管集成一体的内部部件实现,从而避免对外部二极管或齐纳结构的需要。所述电路具有晶体管,所述晶体管具有控制端子、第一载流端子和第二载流端子。所述过电压保护电路具有电平位移器,所述电平位移器被布置来将处于所述第一载流端子与第二载流端子之间的通道电压的电平位移版本反馈给所述控制端子。在所述通道电压的预定值被越过时,所述电平位移器允许所述晶体管的所述切换阈值电压被越过。

    一种退饱和检测电路、包含其的电路及其操作方法

    公开(公告)号:CN103944367B

    公开(公告)日:2017-09-19

    申请号:CN201410028258.2

    申请日:2014-01-21

    IPC分类号: H02M1/32 H02M1/092

    摘要: 公开了一种退饱和检测电路、包含其的电路及其操作方法。该退饱和检测电路包括一个具有输入端和输出端的阈值设定元件,所述输入端通过一个或多个二极管连接到功率开关器件的输出端,其中所述阈值设定元件用于在所述输入端设定阈值电压,当输入电压过高时所述阈值电压设定元件将在其输出端提供一个输出信号;所述退饱和检测电路还包括一个具有输入端和输出端的检测器,所述检测器的输入端连接到所述阈值设定元件的输出端,所述检测器的输出端能够连接到所述光耦合器的退饱和检测输入,所述检测器用于检测所述阈值设定元件的输出端的输出并作出响应以在所述检测器的输出端向所述退饱和检测输入提供一个控制信号,以触发所述光耦合器的退饱和动作。