发明公开
- 专利标题: 半导体装置
- 专利标题(英): SEMICONDUCTOR APPARATUS
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申请号: CN201611069072.7申请日: 2016-11-28
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公开(公告)号: CN107070438A公开(公告)日: 2017-08-18
- 发明人: 宫沢繁美
- 申请人: 富士电机株式会社
- 申请人地址: 日本神奈川县川崎市
- 专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人: 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县川崎市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 王颖; 杨敏
- 优先权: 2016-006366 20160115 JP
- 主分类号: H03K17/082
- IPC分类号: H03K17/082
摘要:
本发明涉及一种防止芯片尺寸扩大,并且在电源电压变得过大时将电源电压截断的半导体装置。本发明提供一种半导体装置,具备:功率半导体元件,其栅极根据控制信号而被控制;过电压检测部,对功率半导体元件的集电极端子侧的电压成为过电压的情况进行检测;以及截断部,根据检测到过电压的情况,将功率半导体元件的栅极控制为关断电压。还可以进一步具备复位部,根据使功率半导体元件导通的控制信号被输入的情况,在预定的期间内,输出复位信号。
公开/授权文献
- CN107070438B 半导体装置 公开/授权日:2022-01-14
IPC分类: