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公开(公告)号：CN116314063A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211445275.7
申请日：2022-11-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/49 , H02M1/00 , H02M7/5387
Abstract: 得到能够小型化的半导体装置及电力变换装置。多个主端子(3)从封装树脂(1)的第2侧面(1b)引出。多个主端子(3)的每一者在封装树脂(1)的内部具有与多个半导体芯片(5HU、5HV、5HW)中的一者进行导线连接的键合部(9HU、9HV、9HW)、与键合部(9HU、9HV、9HW)相邻的导热部(6HU、6HV、6HW)、安装有多个半导体芯片(5LU、5LV、5LW)中的一者的安装部(8HU、8HV、8HW)。在相邻的主端子(3)之间，在第2侧面1b设置有凹部(10)。导热部(6HU、6HV、6HW)的侧面与凹部(10)相对，键合部(9HU、9HV、9HW)的侧面不与凹部(10)相对。
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公开(公告)号：CN116153893A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211459601.X
申请日：2022-11-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够实现具有合适的端子的半导体装置的技术。半导体装置具有：半导体元件；模塑部件，其覆盖半导体元件；以及第一端子及第二端子，它们与半导体元件电连接，从模塑部件的一条边凸出，沿一条边交替地设置。第一端子包含第一弯曲部，第二端子包含第二弯曲部，该第二弯曲部相对于模塑部件的一条边位于比第一弯曲部远处，在俯视观察时具有与第一弯曲部的宽度相同的宽度。
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公开(公告)号：CN115694452A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210868258.8
申请日：2022-07-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 池田直辉
IPC: H03K17/567 , H03K17/081
Abstract: 本发明涉及驱动电路及半导体装置。目的在于提供能够适当地兼顾通断损耗的降低和截止时的浪涌电压的抑制的技术。驱动电路具有：第2驱动电路，其在对应信号的脉宽被判定为大于第2阈值的情况下，对半导体开关元件进行驱动；以及定时调整电路，其调整在通过第1驱动电路的驱动实现的半导体开关元件的截止的期间，由第2驱动电路与第1驱动电路进行协同动作而驱动半导体开关元件的定时。
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公开(公告)号：CN107039388A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710229276.0
申请日：2014-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49531 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现功率模块的小型化的技术。该功率模块具有：1个控制IC(4)和多个RC‑IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor)(21)。控制IC(4)具有高耐压IC(High‑Voltage Integrated Circuit)的功能和低耐压IC(Low‑Voltage Integrated Circuit)的功能。多个RC‑IGBT(21)配置在控制IC(4)的四个方向中的三个方向，仅经由导线(22)与控制IC(4)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681546A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410720919.8
申请日：2014-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/12 , H01L23/488 , H01L21/98 , H01L21/56
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49531 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现功率模块的小型化的技术。该功率模块具有：1个控制IC(4)和多个RC-IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor)(21)。控制IC(4)具有高耐压IC(High-Voltage Integrated Circuit)的功能和低耐压IC(Low-Voltage Integrated Circuit)的功能。多个RC-IGBT(21)配置在控制IC(4)的四个方向中的三个方向，仅经由导线(22)与控制IC(4)连接。
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公开(公告)号：CN116469874A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310039717.6
申请日：2023-01-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/60
Abstract: 目的在于提供能够在用手安装半导体装置时，抑制手接触到哑端子，抑制向哑端子施加静电的技术。半导体装置具有：多个半导体元件；封装件(20)，其在俯视观察时为矩形状，将多个半导体元件封装；多个控制端子(21)，其从封装件的第1边凸出；多个输出端子(22)，其从封装件的与第1边相对的第2边凸出；以及凹部(30)，其设置于封装件的与第1边以及第2边相邻的第3边，多个控制端子(21)之中的一部分控制端子(21)设置于引线框架(12、13)的一端部，半导体装置还具有设置于引线框架(12、13)的另一端部且从凹部凸出的哑端子(31、32)，从凹部算起的哑端子(31、32)的凸出量小于或等于0.75mm。
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公开(公告)号：CN116403997A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211721841.2
申请日：2022-12-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 目的在于提供一种能够由1个引线框架生产适当数量的半导体装置的技术。半导体装置具有：矩形状的RC‑IGBT；IC芯片，其与RC‑IGBT电连接；多个控制端子，其与IC芯片电连接；多个功率端子，其与RC‑IGBT电连接；以及矩形状的封装树脂，其将RC‑IGBT及IC芯片覆盖。RC‑IGBT的纵横比大于或等于1.62，封装树脂的长度方向的长度小于或等于44mm，半导体装置的额定电流大于或等于25A。
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公开(公告)号：CN107039388B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710229276.0
申请日：2014-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49531 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现功率模块的小型化的技术。该功率模块具有：1个控制IC(4)和多个RC‑IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor)(21)。控制IC(4)具有高耐压IC(High‑Voltage Integrated Circuit)的功能和低耐压IC(Low‑Voltage Integrated Circuit)的功能。多个RC‑IGBT(21)配置在控制IC(4)的四个方向中的三个方向，仅经由导线(22)与控制IC(4)连接。
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公开(公告)号：CN210182363U
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201921583188.1
申请日：2019-09-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 对半导体模块的尺寸变大进行抑制，并且确保引线端子的绝缘距离。半导体模块具备芯片焊盘(1)、半导体芯片(2a)、引线端子(9)以及模塑树脂(6)，该模塑树脂(6)形成为覆盖引线端子的一部分、芯片焊盘的上表面、以及半导体芯片，该半导体模块的特征在于，还具备第1绝缘树脂(11)，该第1绝缘树脂(11)被涂覆于没有被模塑树脂覆盖的引线端子，第1绝缘树脂是从所形成的模塑树脂的外表面连续地形成的，并且没有形成在与模塑树脂的外表面相比更靠内侧处。
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