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公开(公告)号：CN108575108B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201680079195.0
申请日：2016-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/48
Abstract: 具有：逆变器电路，其构成为，将高电位侧MOSFET和低电位侧MOSFET进行图腾柱连接；第1栅极驱动电路，其使该低电位侧MOSFET进行通断；第2栅极驱动电路，其使该高电位侧MOSFET进行通断；自举电路，其对该第2栅极驱动电路赋予电压；以及检测部，其在大于预先设定的值的电流流过该逆变器电路时发出异常信号，如果发出了该异常信号，则使该低电位侧MOSFET截止，使该高电位侧MOSFET截止，然后，在续流电流流过该低电位侧MOSFET的状态下将该低电位侧MOSFET导通，防止使该自举电路的自举电容器过充电。
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公开(公告)号：CN107039388B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710229276.0
申请日：2014-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49531 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现功率模块的小型化的技术。该功率模块具有：1个控制IC(4)和多个RC‑IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor)(21)。控制IC(4)具有高耐压IC(High‑Voltage Integrated Circuit)的功能和低耐压IC(Low‑Voltage Integrated Circuit)的功能。多个RC‑IGBT(21)配置在控制IC(4)的四个方向中的三个方向，仅经由导线(22)与控制IC(4)连接。
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公开(公告)号：CN108964424A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810479906.4
申请日：2018-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08 , H02M1/44 , H03K17/687
CPC classification number: H03K17/063 , H02M7/537 , H02M7/5387 , H03K17/08128 , H03K17/107 , H03K17/163 , H03K2217/0063 , H02M1/08 , H02M1/44 , H03K17/687 , H03K2217/0081
Abstract: 本发明的目的是，在高电位侧栅极驱动电路中，对信号的传递损耗和延迟时间的增加进行抑制，且对噪声的影响进行抑制。高电位侧栅极驱动电路(103)具有：脉冲生成电路，其生成与输入信号同步的第1脉冲；以及电平移位电路，其将第1脉冲的基准电压向高电位侧开关元件的电源电压进行电平移位。电平移位电路具有由第1脉冲驱动的MOSFET。高电位侧栅极驱动电路(103)具有：遮蔽信号生成电路(26)，其生成在MOSFET的源极电位成为高电平的期间成为高电平的遮蔽信号；以及再发出电路(36、37)，它们在遮蔽信号为高电平的期间即遮蔽期间中第1脉冲被输入至电平移位电路的情况下，在遮蔽期间后，将第2脉冲输入至电平移位电路。
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公开(公告)号：CN108575108A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201680079195.0
申请日：2016-01-22
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/48
Abstract: 具有：逆变器电路，其构成为，将高电位侧MOSFET和低电位侧MOSFET进行图腾柱连接；第1栅极驱动电路，其使该低电位侧MOSFET进行通断；第2栅极驱动电路，其使该高电位侧MOSFET进行通断；自举电路，其对该第2栅极驱动电路赋予电压；以及检测部，其在大于预先设定的值的电流流过该逆变器电路时发出异常信号，如果发出了该异常信号，则使该低电位侧MOSFET截止，使该高电位侧MOSFET截止，然后，在续流电流流过该低电位侧MOSFET的状态下将该低电位侧MOSFET导通，防止使该自举电路的自举电容器过充电。
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公开(公告)号：CN115483914A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210581242.9
申请日：2022-05-26
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 小田寿志
IPC: H03K17/081 , H03K17/567 , H02M1/088
Abstract: 本发明的目的在于降低功率半导体装置的损耗及提高短路耐量。本发明的功率半导体装置(101)具有：第1开关元件(SW1)；第2开关元件(SW2)，其与第1开关元件并联连接，短路耐量比第1开关元件高；驱动电路(23、24)，其对第1开关元件及第2开关元件进行驱动；以及判定电路(25、26)，其将流过第1开关元件及第2开关元件的电流的合计即对象电流与第1阈值及大于第1阈值的第2阈值进行比较。如果由判定电路判定为对象电流大于或等于第1阈值，则驱动电路将第1开关元件设为断开状态，如果由判定电路判定为对象电流大于或等于第2阈值，则驱动电路将第2开关元件设为断开状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107534015B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201580079394.7
申请日：2015-04-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/04 , H02H9/02
Abstract: 本技术涉及能够对主电流的损耗进行抑制，并对与感测区域的确保相伴的制造成本的增加进行抑制的MOSFET的保护电路及具有该保护电路的保护电路系统。保护电路具有：电力用的第一MOSFET(1)，主电流流过该第一MOSFET；IGBT(5)，其与第一MOSFET并联连接，且来自主电流的分流流过该IGBT；检测用电阻(6)，其与IGBT串联连接；以及第一控制电路(4)，其基于施加至检测用电阻的电压值，对第一MOSFET的栅极电压进行控制，流过IGBT的分流的电流值相对于流过第一MOSFET的主电流的电流值之比大于或等于0.018％而小于或等于0.022％。
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公开(公告)号：CN111082643A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910972782.8
申请日：2019-10-14
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 得到能够维持过电流的检测精度并且降低制造成本的逆变器驱动装置。驱动电路(7)对开关元件(2)进行驱动。电流检测部(Rshunt)产生与在开关元件(2)中流过的电流相对应的电压信号。噪声滤波器(5)将叠加于电压信号的噪声除去。如果经由噪声滤波器(5)输入进来的电压信号超过第1阈值，则过电流检测电路(6)输出过电流检测信号。如果输入了过电流检测信号，或者并未经由噪声滤波器(5)地输入进来的电压信号超过第2阈值，则短路检测电路(13)输出错误信号。
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公开(公告)号：CN107534015A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201580079394.7
申请日：2015-04-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/04 , H02H9/02
Abstract: 本技术涉及能够对主电流的损耗进行抑制，并对与感测区域的确保相伴的制造成本的增加进行抑制的MOSFET的保护电路及具有该保护电路的保护电路系统。保护电路具有：电力用的第一MOSFET(1)，主电流流过该第一MOSFET；IGBT(5)，其与第一MOSFET并联连接，且来自主电流的分流流过该IGBT；检测用电阻(6)，其与IGBT串联连接；以及第一控制电路(4)，其基于施加至检测用电阻的电压值，对第一MOSFET的栅极电压进行控制，流过IGBT的分流的电流值相对于流过第一MOSFET的主电流的电流值之比大于或等于0.018％而小于或等于0.022％。
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公开(公告)号：CN107039388A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710229276.0
申请日：2014-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/4334 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49531 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现功率模块的小型化的技术。该功率模块具有：1个控制IC(4)和多个RC‑IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor)(21)。控制IC(4)具有高耐压IC(High‑Voltage Integrated Circuit)的功能和低耐压IC(Low‑Voltage Integrated Circuit)的功能。多个RC‑IGBT(21)配置在控制IC(4)的四个方向中的三个方向，仅经由导线(22)与控制IC(4)连接。
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公开(公告)号：CN104681546A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410720919.8
申请日：2014-12-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/12 , H01L23/488 , H01L21/98 , H01L21/56
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49531 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/13055 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现功率模块的小型化的技术。该功率模块具有：1个控制IC(4)和多个RC-IGBT(Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor)(21)。控制IC(4)具有高耐压IC(High-Voltage Integrated Circuit)的功能和低耐压IC(Low-Voltage Integrated Circuit)的功能。多个RC-IGBT(21)配置在控制IC(4)的四个方向中的三个方向，仅经由导线(22)与控制IC(4)连接。
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