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公开(公告)号：CN107210238A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680006146.4
申请日：2016-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，得到即使与外部端子构件连接的连接件是铝制的也能够进行高温动作、并且可靠性提高的功率模块。本发明的功率模块(100)具备搭载于电路基板(基板(2))的功率半导体元件(1)以及连接到元件(1)的表面主电极(电极(14e))的适配器(10)，适配器(10)具备连接到元件(1)的表面主电极(电极(14e))的主电极布线部件(31)，主电极布线部件(31)具备连接到元件(1)的表面主电极(电极(14e))的元件连接部(311)、配置于元件连接部(311)的外侧并且连接到电路基板(基板(2))的基板连接部(312)以及配置于元件连接部(311)的外侧并且经由连接件(导线(7))连接到外部电极的连接件连接部(导线连接部(313))。
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公开(公告)号：CN112074954B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201980029908.6
申请日：2019-04-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 功率半导体模块(1)具备第1引线端子(11)、第2引线端子(12)、芯片电容器(27)以及电子元件(25)。电子元件(25)用第1导电性粘接部(35)接合到第1引线端子(11)。芯片电容器(27)的第1电极(28a)和第2电极(28b)用第2导电性粘接部(37)分别接合到第1引线端子(11)和第2引线端子(12)。第2导电性粘接部(37)具有比第1导电性粘接部(35)高的导电性填充物的含有率。因此，功率半导体模块(1)具有高的可靠性。
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公开(公告)号：CN111492473A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201880075629.9
申请日：2018-11-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种半导体封装体，具备：绝缘基板；第一半导体芯片，有源面经由多个第一接合材料接合于绝缘基板的第一主面上；第二半导体芯片，有源面经由多个第二接合材料接合于第一主面上，厚度比第一半导体芯片薄；散热构件，下表面接合有第一半导体芯片的与有源面相反的主面以及第二半导体芯片的与有源面相反的主面；以及密封树脂，不搭上散热构件的上表面而与散热构件的侧壁的至少一部分相接，将第一半导体芯片和第二半导体芯片在绝缘基板上进行密封，其中，在散热构件中，接合有第一半导体芯片的第一接合部的厚度比接合有第二半导体芯片的第二接合部的厚度薄。
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公开(公告)号：CN107210238B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201680006146.4
申请日：2016-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于，得到即使与外部端子构件连接的连接件是铝制的也能够进行高温动作、并且可靠性提高的功率模块。本发明的功率模块(100)具备搭载于电路基板(基板(2))的功率半导体元件(1)以及连接到元件(1)的表面主电极(电极(14e))的适配器(10)，适配器(10)具备连接到元件(1)的表面主电极(电极(14e))的主电极布线部件(31)，主电极布线部件(31)具备连接到元件(1)的表面主电极(电极(14e))的元件连接部(311)、配置于元件连接部(311)的外侧并且连接到电路基板(基板(2))的基板连接部(312)以及配置于元件连接部(311)的外侧并且经由连接件(导线(7))连接到外部电极的连接件连接部(导线连接部(313))。
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公开(公告)号：CN105706236B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201580002395.1
申请日：2015-01-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 电极端子(62)具备：第一引出部(621)，与主电极接合；以及第二引出部(622)，以从与主电极隔开间隔地对置配置的一端部至与外部电路连接的另一端部连续的方式，通过板材而形成，在一端部的向主电极的对置面(622f)接合了第一引出部(621)的与主电极接合的部分的邻接部，第一引出部(621)被形成为与主电极接合的部分远离对置面(622f)，在第二引出部(622)处，形成了与主电极对应的开口部(622a)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106575628B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201580043705.4
申请日：2015-10-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 关于使铝与铜重叠而进行压焊而成的包层材料，通过利用超声波接合等将包层材料的铝侧接合于功率半导体元件的电极表面并在包层材料的铜侧进行线接合，而形成电路。进而预先在比功率半导体元件的动作温度高的温度下对包层材料进行热处理，从而在接合处理后在铝以及铜的各个界面充分地形成金属间化合物，以避免膜厚生长。
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公开(公告)号：CN105706236A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201580002395.1
申请日：2015-01-23
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/45 , H01L23/48 , H01L23/49537 , H01L24/36 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/72 , H01L24/81 , H01L25/07 , H01L25/162 , H01L25/18 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/4824 , H01L2224/48472 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84205 , H01L2224/84214 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/85205 , H01L2224/85214 , H01L2224/85232 , H01L2924/00014 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 电极端子(62)具备：第一引出部(621)，与主电极接合；以及第二引出部(622)，以从与主电极隔开间隔地对置配置的一端部至与外部电路连接的另一端部连续的方式，通过板材而形成，在一端部的向主电极的对置面(622f)接合了第一引出部(621)的与主电极接合的部分的邻接部，第一引出部(621)被形成为与主电极接合的部分远离对置面(622f)，在第二引出部(622)处，形成了与主电极对应的开口部(622a)。
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公开(公告)号：CN110326103B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201880013261.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 三菱电机株式会社 , MIYOSHI电子株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种针对热应力进一步提高可靠性的半导体装置。另外，本发明的半导体装置具备：绝缘层(32)；导电层(33)，与绝缘层(32)的一方主面接合；以及半导体元件(1)，配置为上表面与绝缘层(32)的所述一方主面朝向相同的方向，在半导体元件(1)的上表面设置有上表面电极(9)，还具备：具有中空部分(4a)的布线部件(4)，一端与半导体元件(1)的上表面电极(9)电接合，另一端与导电层(33)电接合；第1密封材料(71)；以及第2密封材料(72)，比第1密封材料(71)软，第1密封材料(71)以与半导体元件(1)接触的方式密封半导体元件(1)的至少一部分，第2密封材料(72)以与布线部件(4)接触的方式密封布线部件(4)。
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公开(公告)号：CN112074954A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980029908.6
申请日：2019-04-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 功率半导体模块(1)具备第1引线端子(11)、第2引线端子(12)、芯片电容器(27)以及电子元件(25)。电子元件(25)用第1导电性粘接部(35)接合到第1引线端子(11)。芯片电容器(27)的第1电极(28a)和第2电极(28b)用第2导电性粘接部(37)分别接合到第1引线端子(11)和第2引线端子(12)。第2导电性粘接部(37)具有比第1导电性粘接部(35)高的导电性填充物的含有率。因此，功率半导体模块(1)具有高的可靠性。
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公开(公告)号：CN110326103A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201880013261.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 三菱电机株式会社 , MIYOSHI电子株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种针对热应力进一步提高可靠性的半导体装置。另外，本发明的半导体装置具备：绝缘层(32)；导电层(33)，与绝缘层(32)的一方主面接合；以及半导体元件(1)，配置为上表面与绝缘层(32)的所述一方主面朝向相同的方向，在半导体元件(1)的上表面设置有上表面电极(9)，还具备：具有中空部分(4a)的布线部件(4)，一端与半导体元件(1)的上表面电极(9)电接合，另一端与导电层(33)电接合；第1密封材料(71)；以及第2密封材料(72)，比第1密封材料(71)软，第1密封材料(71)以与半导体元件(1)接触的方式密封半导体元件(1)的至少一部分，第2密封材料(72)以与布线部件(4)接触的方式密封布线部件(4)。
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