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发明公开
半导体封装体及其制造方法无效

公开(公告)号：CN111492473A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201880075629.9

申请日：2018-11-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤野纯司 , 坂元创一 , 宫脇胜巳 , 一户洋晓

IPC: H01L23/29 , H01L21/56 , H01L23/28 , H01L23/31 , H01L23/36

Abstract: 本发明涉及一种半导体封装体，具备：绝缘基板；第一半导体芯片，有源面经由多个第一接合材料接合于绝缘基板的第一主面上；第二半导体芯片，有源面经由多个第二接合材料接合于第一主面上，厚度比第一半导体芯片薄；散热构件，下表面接合有第一半导体芯片的与有源面相反的主面以及第二半导体芯片的与有源面相反的主面；以及密封树脂，不搭上散热构件的上表面而与散热构件的侧壁的至少一部分相接，将第一半导体芯片和第二半导体芯片在绝缘基板上进行密封，其中，在散热构件中，接合有第一半导体芯片的第一接合部的厚度比接合有第二半导体芯片的第二接合部的厚度薄。

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