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公开(公告)号：CN101886266A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010183534.4
申请日：2010-05-14
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN101398639A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810211419.6
申请日：2008-09-22
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明提供了一种剥离组合物和剥离方法，其能够容易地剥离在基板上形成的颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜以当在基板上形成滤色片或有机绝缘薄膜过程中发现缺陷时重新使用该基板。在一种具体实施方式中，剥离组合物包括约0.5至约45wt％的氢氧化合物、约10至约89wt％的烷撑二醇烷基醚化合物、约5至约45wt％的链烷醇胺化合物、以及约0.01至约5wt％的无机盐化合物。有利地，剥离过程可以在不损坏下基板的薄膜晶体管同时除去颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜的情况下实施。
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公开(公告)号：CN102939407B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201180014543.3
申请日：2011-02-17
CPC classification number: C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H05K3/067
Abstract: 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。
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公开(公告)号：CN101886266B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201010183534.4
申请日：2010-05-14
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102939407A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180014543.3
申请日：2011-02-17
CPC classification number: C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H05K3/067
Abstract: 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101424888A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810174803.3
申请日：2008-10-31
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。
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公开(公告)号：CN101265579A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810085047.7
申请日：2008-03-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/18
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。
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公开(公告)号：CN101447490A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810173348.5
申请日：2008-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金彰洙 , 宁洪龙 , 金俸均 , 朴弘植 , 金时烈 , 郑敞午 , 金湘甲 , 尹在亨 , 李禹根 , 裴良浩 , 尹弼相 , 郑钟铉 , 洪瑄英 , 金己园 , 李炳珍 , 李永旭 , 金钟仁 , 金炳范 , 徐南锡
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。
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公开(公告)号：CN1976044A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610140028.0
申请日：2006-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：像素电极，形成在基板上；栅极线，形成在像素电极上；栅极绝缘薄膜，形成在栅极线上；半导体，形成在栅极绝缘薄膜上；数据线和漏电极，形成在栅极绝缘薄膜上；以及钝化层，形成在数据线和漏电极的部分上。栅极线包括与像素电极形成在相同层上并且具有相同材料的第一薄膜以及形成在第一薄膜上的第二薄膜。
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公开(公告)号：CN101256366B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810092008.X
申请日：2008-02-20
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％-约98.5重量％的γ-丁内酯、约1重量％-约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％-约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％-约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。
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