公开(公告)号：CN101886266B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010183534.4

申请日：2010-05-14

申请人： 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

发明人： 金俸均 ,  郑钟铉 ,  李炳珍 ,  洪瑄英 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28

CPC分类号： C23F1/26 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN102939407A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180014543.3

申请日：2011-02-17

申请人： 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

发明人： 徐南锡 ,  洪瑄英 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  李旺宇 ,  金图元 ,  金相佑 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC分类号： C23F1/34 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

摘要： 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：CN102939407B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180014543.3

申请日：2011-02-17

申请人： 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

发明人： 徐南锡 ,  洪瑄英 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  李旺宇 ,  金图元 ,  金相佑 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC分类号： C23F1/34 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

摘要： 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：CN101886266A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010183534.4

申请日：2010-05-14

申请人： 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

发明人： 金俸均 ,  郑钟铉 ,  李炳珍 ,  洪瑄英 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28

CPC分类号： C23F1/26 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN101265579A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810085047.7

申请日：2008-03-14

申请人： 东进世美肯株式会社

发明人： 郑锺铉 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  李骐范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  朴贵弘 ,  河泰成

IPC分类号： C23F1/18

摘要： 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。

公开(公告)号：CN113061891A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110309236.3

申请日：2014-10-15

申请人： 东进世美肯株式会社

发明人： 徐源国 ,  申贤哲 ,  金奎布 ,  曹三永 ,  李骐范

IPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/02

摘要： 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极‑漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。

公开(公告)号：CN104562009A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410543417.2

申请日：2014-10-15

申请人： 东进世美肯株式会社

发明人： 徐源国 ,  申贤哲 ,  金奎布 ,  曹三永 ,  李骐范

IPC分类号： C23F1/14

摘要： 本发明公开一种蚀刻金属膜而形成构成半导体电路的薄膜晶体管的栅极以及源极-漏极区域的金属配线蚀刻液组合物及利用该组合物的金属配线形成方法。上述金属配线蚀刻液组合物包含：15至25重量％的过氧化氢；0.1至1重量％的氟化合物；0.5至3重量％的含有羧基的胺类；0.1至1重量％的唑类化合物；0.01至2重量％的磷酸类化合物或其盐；0.1至3重量％的硫酸盐；以及，其余重量％的水。

公开(公告)号：CN105579618A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480052773.2

申请日：2014-09-16

申请人： 三星显示有限公司 ,  东进世美肯科技有限公司

发明人： 金仁培 ,  郑锺铉 ,  文英慜 ,  朴弘植 ,  金奎佈 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  韩胜然

IPC分类号： C23F1/16 ,  C23F1/18

CPC分类号： H01L21/30604 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45

摘要： 根据本发明的实施例的蚀刻剂组合物包括：基于蚀刻剂组合物的总重量，0.5wt％至20wt％的过硫酸盐、0.01wt％至1wt％的氟化合物、1wt％至大约10wt％的无机酸、0.01wt％至2wt％的吡咯类化合物、0.1wt％至5wt％的氯化合物、0.05wt％至3wt％的铜盐、0.01wt％至5wt％的抗氧化剂或其盐以及水以使蚀刻剂组合物的总重量到100wt％。所述蚀刻剂组合物可以用于通过蚀刻包括铜的金属膜来形成金属布线或制造薄膜晶体管基底。

公开(公告)号：CN105734570B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201510994298.7

申请日：2015-12-25

申请人： 三星显示有限公司 ,  株式会社 ,  东进世美肯

发明人： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  文英慜 ,  梁熙星 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  金在明

IPC分类号： C23F1/18 ,  H01L21/768

摘要： 本文公开了蚀刻剂组合物，其包含：10重量％至20重量％的过硫酸盐；0.1重量％至10重量％的磷酸(H3PO4)或亚磷酸(H3PO3)；0.1重量％至2重量％的基于氮的环状化合物；0.1重量％至5重量％的磺酸化合物；0.1重量％至2重量％的铜腐蚀抑制剂；0.1重量％至2重量％的氟化合物；和使所有成份的总重量为100重量％的余量水。本文还公开了使用该蚀刻剂组合物制造金属接线的方法。

公开(公告)号：CN103715177A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310260941.4

申请日：2013-06-26

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 朴弘植 ,  李旺宇 ,  金俸均 ,  郑钟铉 ,  林永祐 ,  金奎布 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  韩筵昊 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L29/45 ,  H01L27/12

CPC分类号： H05K3/067 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H05K1/09

摘要： 一种图案化的金属导线和基板的组合，所述基板具有在其上形成的所述金属导线，所述金属导线包括：包含铟和锌的氧化物层；以及铜基层，设置在所述包含铟和锌的氧化物层之上或之下，其中，所述包含铟和锌的氧化物层的氧化锌量等于或高于按重量计10%并且低于按重量计约35%。用于蚀刻铜基配线层的湿法蚀刻组合物，包含按重量计约40%至按重量计约60%之间的磷酸、按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸、按重量计约3%至按重量计约15%之间的乙酸、按重量计约0.01%至按重量计约0.1%之间的铜离子化合物、按重量计约1%至按重量计约10%之间的硝酸盐、按重量计约1%至按重量计约10%之间的乙酸盐，和余量的水。