公开(公告)号：CN116770304A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310262294.4

申请日：2023-03-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金荣绿 ,  朴圭淳 ,  郑钟铉 ,  曹雨辰 ,  金奎佈 ,  金成玟 ,  金在明 ,  申贤哲 ,  金晙东 ,  黄俊荣

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02

Abstract: 本申请提供了蚀刻剂组合物和使用其的显示装置的制造方法。蚀刻剂组合物包括约5.0wt％至约20.0wt％的过硫酸盐、约0.01wt％至约15.0wt％的磺酸、约0.01wt％至约2.0wt％的氟化合物、约0.01wt％至约5.0wt％的4‑氮环状化合物、约0.01wt％至约1.0wt％的包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸和水。氨基酸与4‑氮环状化合物的重量比在约1:16至约1:60的范围内。

公开(公告)号：CN109097774B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201810631619.0

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  梁熙星 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李秉雄 ,  李相赫 ,  李大雨

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/12

Abstract: 提供蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、氟化物、基于四个氮的环状化合物、基于一个氮的环状化合物、含硫(S)原子的基于三个氮的环状化合物、和水，和所述蚀刻剂组合物可通过蚀刻包括铜和钛的金属膜而用于制造金属图案，或者可用于制造薄膜晶体管基板。

公开(公告)号：CN102939407B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180014543.3

申请日：2011-02-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 徐南锡 ,  洪瑄英 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  李旺宇 ,  金图元 ,  金相佑 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC: C23F1/34 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC classification number: C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

Abstract: 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：CN109097774A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810631619.0

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  梁熙星 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李秉雄 ,  李相赫 ,  李大雨

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/12

Abstract: 提供蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、氟化物、基于四个氮的环状化合物、基于一个氮的环状化合物、含硫(S)原子的基于三个氮的环状化合物、和水，和所述蚀刻剂组合物可通过蚀刻包括铜和钛的金属膜而用于制造金属图案，或者可用于制造薄膜晶体管基板。

公开(公告)号：CN105734570A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510994298.7

申请日：2015-12-25

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  文英慜 ,  梁熙星 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  金在明

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/768

Abstract: 本文公开了蚀刻剂组合物，其包含：10重量％至20重量％的过硫酸盐；0.1重量％至10重量％的磷酸(H3PO4)或亚磷酸(H3PO3)；0.1重量％至2重量％的基于氮的环状化合物；0.1重量％至5重量％的磺酸化合物；0.1重量％至2重量％的铜腐蚀抑制剂；0.1重量％至2重量％的氟化合物；和使所有成份的总重量为100重量％的余量水。本文还公开了使用该蚀刻剂组合物制造金属接线的方法。

公开(公告)号：CN101886266B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010183534.4

申请日：2010-05-14

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 金俸均 ,  郑钟铉 ,  李炳珍 ,  洪瑄英 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23F1/26 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN102939407A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180014543.3

申请日：2011-02-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 徐南锡 ,  洪瑄英 ,  郑钟铉 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  李旺宇 ,  金图元 ,  金相佑 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC: C23F1/34 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC classification number: C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

Abstract: 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。

公开(公告)号：CN105734570B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201510994298.7

申请日：2015-12-25

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社 ,  东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  文英慜 ,  梁熙星 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  金在明

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/768

Abstract: 本文公开了蚀刻剂组合物，其包含：10重量％至20重量％的过硫酸盐；0.1重量％至10重量％的磷酸(H3PO4)或亚磷酸(H3PO3)；0.1重量％至2重量％的基于氮的环状化合物；0.1重量％至5重量％的磺酸化合物；0.1重量％至2重量％的铜腐蚀抑制剂；0.1重量％至2重量％的氟化合物；和使所有成份的总重量为100重量％的余量水。本文还公开了使用该蚀刻剂组合物制造金属接线的方法。

公开(公告)号：CN101886266A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010183534.4

申请日：2010-05-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 金俸均 ,  郑钟铉 ,  李炳珍 ,  洪瑄英 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23F1/26 ,  C23F1/18 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN101398639A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810211419.6

申请日：2008-09-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 李智鲜 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  金柄郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 本发明提供了一种剥离组合物和剥离方法，其能够容易地剥离在基板上形成的颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜以当在基板上形成滤色片或有机绝缘薄膜过程中发现缺陷时重新使用该基板。在一种具体实施方式中，剥离组合物包括约0.5至约45wt％的氢氧化合物、约10至约89wt％的烷撑二醇烷基醚化合物、约5至约45wt％的链烷醇胺化合物、以及约0.01至约5wt％的无机盐化合物。有利地，剥离过程可以在不损坏下基板的薄膜晶体管同时除去颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜的情况下实施。