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公开(公告)号：CN101398639A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810211419.6
申请日：2008-09-22
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明提供了一种剥离组合物和剥离方法，其能够容易地剥离在基板上形成的颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜以当在基板上形成滤色片或有机绝缘薄膜过程中发现缺陷时重新使用该基板。在一种具体实施方式中，剥离组合物包括约0.5至约45wt％的氢氧化合物、约10至约89wt％的烷撑二醇烷基醚化合物、约5至约45wt％的链烷醇胺化合物、以及约0.01至约5wt％的无机盐化合物。有利地，剥离过程可以在不损坏下基板的薄膜晶体管同时除去颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜的情况下实施。
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公开(公告)号：CN101017333A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003266.7
申请日：2006-02-06
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，它包括：a)占10－50重量％的有机胺；b)占0－70重量％的二甘醇单烷基醚；c)占20－90重量％的非质子极性溶剂；d)基于所述三种成分的总重量，占0.01－10重量％的非离子表面活性剂。本发明正型光致抗蚀剂剥离剂组合物对经蚀刻处理等工艺而变质的光致抗蚀剂图案膜具有优异的溶解性和剥离性，并与水混合后作为清洗液(rinse)使用时，对铝或铜基板的腐蚀小、蒸发少，不仅对作业环境有利，而且稳定性高，并可用水进行清洗，特别是低温剥离性能优异，因此具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN104781732B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201380058917.0
申请日：2013-10-28
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明涉及一种示出光刻胶剥离效果和防腐效果的光刻胶剥离液组合物及光刻胶剥离方法。更详细地讲，涉及含有N,N‑二甲基丙酰胺、Solketal(丙酮缩甘油)、以及有机胺的光刻胶去除用剥离液组合物，该组合物能够替代对环境和人体有害的乙二醇醚(glycol ether)类化合物。
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公开(公告)号：CN1758144A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510102849.0
申请日：2005-09-13
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种光阻剂剥离液组合物，提供一种包含环形胺、溶剂及剥离促进剂的光阻剂剥离液组合物。并且，本发明还提供一种包含环形胺、溶剂、防腐剂及剥离促进剂的光阻剂剥离液组合物。本发明光阻剂剥离液组合物不仅在适用于现有LCD模块制备中包括异丙醇(以下简称“IPA”)清洗阶段的一般工程时，而且在适用于最近省略IPA清洗阶段的工程时，不存在对金属布线多余的腐蚀影响，特别是可大大提高剥离能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104629946B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201410641916.5
申请日：2014-11-11
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨后清洗的组合物，更具体地，涉及一种在半导体制造工艺中，用于包括金属布线及金属膜的半导体基板的清洗工艺，尤其是用于化学机械研磨后清洗裸露出金属布线的半导体基板的组合物。本发明的清洗组合物即能有效地清除附在半导体工件表面上的杂质，又不损伤金属布线，而且清洗后，不会残留在表面上造成工件污染，因此能够制造优秀的半导体。
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公开(公告)号：CN101025579A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710000701.5
申请日：2007-01-10
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种抗蚀剂剥离剂组合物，尤其涉及一种包含选自具有双氧键的环状化合物、乙二醇类化合物及碳酸类化合物中的化合物的抗蚀剂剥离剂组合物。本发明的抗蚀剂剥离剂组合物可进一步包含内酯类化合物、胺或有机酸、氧化剂或其混合物。本发明的抗蚀剂剥离剂组合物，可用于去除在电路或显示元件金属布线的图形化中所使用的抗蚀剂，其对图形化金属膜上所残留的抗蚀剂具有优秀的剥离效果，并在高温下，其因挥发而引起的成分变化及药液疲劳度极小，且能将对图形化金属膜的腐蚀降到最低。
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公开(公告)号：CN104781732A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201380058917.0
申请日：2013-10-28
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明涉及一种示出光刻胶剥离效果和防腐效果的光刻胶剥离液组合物及光刻胶剥离方法。更详细地讲，涉及含有N,N-二甲基丙酰胺、Solketal(丙酮缩甘油)、以及有机胺的光刻胶去除用剥离液组合物，该组合物能够替代对环境和人体有害的乙二醇醚(glycol ether)类化合物。
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公开(公告)号：CN104629946A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410641916.5
申请日：2014-11-11
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨后清洗的组合物，更具体地，涉及一种在半导体制造工艺中，用于包括金属布线及金属膜的半导体基板的清洗工艺，尤其是用于化学机械研磨后清洗裸露出金属布线的半导体基板的组合物。本发明的清洗组合物即能有效地清除附在半导体工件表面上的杂质，又不损伤金属布线，而且清洗后，不会残留在表面上造成工件污染，因此能够制造优秀的半导体。
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公开(公告)号：CN101424888A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810174803.3
申请日：2008-10-31
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。
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