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公开(公告)号：CN101017333A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610003266.7
申请日：2006-02-06
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明公开了一种正型光致抗蚀剂剥离剂组合物，它包括：a)占10－50重量％的有机胺；b)占0－70重量％的二甘醇单烷基醚；c)占20－90重量％的非质子极性溶剂；d)基于所述三种成分的总重量，占0.01－10重量％的非离子表面活性剂。本发明正型光致抗蚀剂剥离剂组合物对经蚀刻处理等工艺而变质的光致抗蚀剂图案膜具有优异的溶解性和剥离性，并与水混合后作为清洗液(rinse)使用时，对铝或铜基板的腐蚀小、蒸发少，不仅对作业环境有利，而且稳定性高，并可用水进行清洗，特别是低温剥离性能优异，因此具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN104969129A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007310.4
申请日：2014-01-24
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42 , G03F7/32 , H01L21/027 , G03F7/09
Abstract: 本发明涉及一种稀释剂组合物及其用途。本发明的稀释剂组合物对各种光阻剂都具有优异的溶解力，且具有最适当的挥发性，因此能够在短时间内于边缘球状物移除工艺或类似工艺中有效地去除不必要附着的光阻剂，并且可应用于半导体基板的预润湿工艺，用少量的光阻剂也能够有效地形成感光膜。
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公开(公告)号：CN104969129B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201480007310.4
申请日：2014-01-24
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G03F7/42 , G03F7/32 , H01L21/027 , G03F7/09
Abstract: 本发明涉及一种稀释剂组合物及其用途。本发明的稀释剂组合物对各种光阻剂都具有优异的溶解力，且具有最适当的挥发性，因此能够在短时间内于边缘球状物移除工艺或类似工艺中有效地去除不必要附着的光阻剂，并且可应用于半导体基板的预润湿工艺，用少量的光阻剂也能够有效地形成感光膜。
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公开(公告)号：CN101424888A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810174803.3
申请日：2008-10-31
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。
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公开(公告)号：CN101398639A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810211419.6
申请日：2008-09-22
IPC: G03F7/42
CPC classification number: G03F7/425
Abstract: 本发明提供了一种剥离组合物和剥离方法，其能够容易地剥离在基板上形成的颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜以当在基板上形成滤色片或有机绝缘薄膜过程中发现缺陷时重新使用该基板。在一种具体实施方式中，剥离组合物包括约0.5至约45wt％的氢氧化合物、约10至约89wt％的烷撑二醇烷基醚化合物、约5至约45wt％的链烷醇胺化合物、以及约0.01至约5wt％的无机盐化合物。有利地，剥离过程可以在不损坏下基板的薄膜晶体管同时除去颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜的情况下实施。
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