公开(公告)号：CN104781732B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201380058917.0

申请日：2013-10-28

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 许舜范 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  尹锡壹 ,  郑世桓 ,  张斗瑛 ,  朴善周

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种示出光刻胶剥离效果和防腐效果的光刻胶剥离液组合物及光刻胶剥离方法。更详细地讲，涉及含有N,N‑二甲基丙酰胺、Solketal(丙酮缩甘油)、以及有机胺的光刻胶去除用剥离液组合物，该组合物能够替代对环境和人体有害的乙二醇醚(glycol ether)类化合物。

公开(公告)号：CN104781732A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380058917.0

申请日：2013-10-28

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 许舜范 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  尹锡壹 ,  郑世桓 ,  张斗瑛 ,  朴善周

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明涉及一种示出光刻胶剥离效果和防腐效果的光刻胶剥离液组合物及光刻胶剥离方法。更详细地讲，涉及含有N,N-二甲基丙酰胺、Solketal(丙酮缩甘油)、以及有机胺的光刻胶去除用剥离液组合物，该组合物能够替代对环境和人体有害的乙二醇醚(glycol ether)类化合物。

公开(公告)号：CN104629946A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410641916.5

申请日：2014-11-11

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 张斗瑛 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  尹锡壹 ,  许舜范 ,  韩莹圭

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/60

Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨后清洗的组合物，更具体地，涉及一种在半导体制造工艺中，用于包括金属布线及金属膜的半导体基板的清洗工艺，尤其是用于化学机械研磨后清洗裸露出金属布线的半导体基板的组合物。本发明的清洗组合物即能有效地清除附在半导体工件表面上的杂质，又不损伤金属布线，而且清洗后，不会残留在表面上造成工件污染，因此能够制造优秀的半导体。

公开(公告)号：CN101398639A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810211419.6

申请日：2008-09-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  东进世美肯株式会社

Inventor： 李智鲜 ,  朴弘植 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  金柄郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 本发明提供了一种剥离组合物和剥离方法，其能够容易地剥离在基板上形成的颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜以当在基板上形成滤色片或有机绝缘薄膜过程中发现缺陷时重新使用该基板。在一种具体实施方式中，剥离组合物包括约0.5至约45wt％的氢氧化合物、约10至约89wt％的烷撑二醇烷基醚化合物、约5至约45wt％的链烷醇胺化合物、以及约0.01至约5wt％的无机盐化合物。有利地，剥离过程可以在不损坏下基板的薄膜晶体管同时除去颜色抗蚀剂或有机绝缘薄膜的情况下实施。

公开(公告)号：CN104629946B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201410641916.5

申请日：2014-11-11

Applicant: 东进世美肯株式会社

Inventor： 张斗瑛 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  尹锡壹 ,  许舜范 ,  韩莹圭

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D7/60

Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨后清洗的组合物，更具体地，涉及一种在半导体制造工艺中，用于包括金属布线及金属膜的半导体基板的清洗工艺，尤其是用于化学机械研磨后清洗裸露出金属布线的半导体基板的组合物。本发明的清洗组合物即能有效地清除附在半导体工件表面上的杂质，又不损伤金属布线，而且清洗后，不会残留在表面上造成工件污染，因此能够制造优秀的半导体。