公开(公告)号：CN116259631A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211565868.7

申请日：2022-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙珍景 ,  金承帝 ,  朴志源 ,  林在抱 ,  曹玟锡 ,  林升炫 ,  崔津荣

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的有源区；元件隔离层，在衬底中与有源区相邻；衬底上的栅电极，在与第一方向交叉的第二方向上延伸；有源区上的多个沟道层，沿垂直于衬底的上表面的第三方向彼此间隔开，并由栅电极围绕；以及源/漏区，设置在有源区的与栅电极相邻的凹陷中，并连接到多个沟道层。在第一方向上，栅电极在有源区上具有第一长度并在元件隔离层上具有第二长度，第二长度大于第一长度。

公开(公告)号：CN105845689A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610073151.9

申请日：2016-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铉旭 ,  姜大雄 ,  金大新 ,  薛光洙 ,  孙镐玟 ,  林升炫

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42348 ,  H01L27/11551

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的绝缘图案和介于绝缘图案之间的栅极图案；有源柱，其穿过堆叠件，并且电连接至衬底；以及电荷存储层，其介于堆叠件与有源柱之间。电荷存储层包括处于有源柱与各栅极图案之一之间的第一部分、处于有源柱与各绝缘图案之一之间的第二部分和将第一部分连接至第二部分并且厚度小于第一部分的厚度的第三部分。

公开(公告)号：CN105845687B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201610065378.9

申请日：2016-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载镐 ,  杨尚烈 ,  李雄 ,  林升炫

IPC: H01L27/11517

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：堆叠件，其包括以交替和重复方式堆叠在衬底上的栅电极和绝缘层。单元沟道结构穿过堆叠件。单元沟道结构包括接触衬底的第一半导体图案和在第一半导体图案上的第一沟道图案。第一半导体图案延伸至从衬底的表面至第一半导体图案的顶表面的第一高度。伪沟道结构位于衬底上并且与堆叠件间隔开。伪沟道结构包括接触衬底的第二半导体图案和在第二半导体图案上的第二沟道图案。第二半导体图案延伸至从衬底的表面至第二半导体图案的顶表面的第二高度。第一高度大于第二高度。

公开(公告)号：CN105845687A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610065378.9

申请日：2016-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金载镐 ,  杨尚烈 ,  李雄 ,  林升炫

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L27/11551

Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器装置及其制造方法，该半导体存储器装置包括：堆叠件，其包括以交替和重复方式堆叠在衬底上的栅电极和绝缘层。单元沟道结构穿过堆叠件。单元沟道结构包括接触衬底的第一半导体图案和在第一半导体图案上的第一沟道图案。第一半导体图案延伸至从衬底的表面至第一半导体图案的顶表面的第一高度。伪沟道结构位于衬底上并且与堆叠件间隔开。伪沟道结构包括接触衬底的第二半导体图案和在第二半导体图案上的第二沟道图案。第二半导体图案延伸至从衬底的表面至第二半导体图案的顶表面的第二高度。第一高度大于第二高度。

公开(公告)号：CN1929111A

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：CN200610128154.4

申请日：2006-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林升炫 ,  李善雨 ,  吕寅硕

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L2221/1094

Abstract: 一种形成碳纳米管的方法，包括在衬底和衬底上的第一层之间形成空穴。空穴在布线图形中延伸并包括空穴中的金属催化剂图形。碳纳米管从金属催化剂图形形成，并沿着布线图形在空穴内延伸。还讨论了相关方法和设备。

公开(公告)号：CN105845689B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201610073151.9

申请日：2016-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铉旭 ,  姜大雄 ,  金大新 ,  薛光洙 ,  孙镐玟 ,  林升炫

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/8246

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的绝缘图案和介于绝缘图案之间的栅极图案；有源柱，其穿过堆叠件，并且电连接至衬底；以及电荷存储层，其介于堆叠件与有源柱之间。电荷存储层包括处于有源柱与各栅极图案之一之间的第一部分、处于有源柱与各绝缘图案之一之间的第二部分和将第一部分连接至第二部分并且厚度小于第一部分的厚度的第三部分。

公开(公告)号：CN101312216A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810142821.3

申请日：2008-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁俊圭 ,  白升宰 ,  卢镇台 ,  林升炫 ,  朱耿嬉 ,  霍宗亮

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 揭露了一种包括一混合结构电荷捕获层的闪存器件及其相关制造方法。所述电荷捕获层包括至少一个混合捕获层，混合捕获层包括一由具有第一带隙能量的第一材料制成的第一捕获层，以及多个彼此分离的纳米点，每个纳米点至少部分的被所述第一捕获层包围，所述多个纳米点由具有第二带隙能量的第二材料形成，第二带隙能量低于所述第一带隙能量。