公开(公告)号：CN102122661A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201010591699.5

申请日：2010-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  黄棋铉 ,  白升宰 ,  郑载勋

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  G11C16/04 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C16/0483 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在水平方向上延伸的半导体材料的基板。多个层间电介质层在基板上。提供多个栅图案，每个栅图案在相邻的下层间电介质层与相邻的上层间电介质层之间。半导体材料的垂直沟道在基板上并沿垂直方向延伸穿过多个层间电介质层和多个栅图案。垂直沟道具有外侧壁，外侧壁具有多个沟道凹陷，每个沟道凹陷对应于多个栅图案中的栅图案。垂直沟道具有内侧壁，内侧壁在垂直方向线形延伸。信息存储层存在于每个栅图案与垂直沟道之间在凹陷中，使栅图案与垂直沟道绝缘。

公开(公告)号：CN102122661B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201010591699.5

申请日：2010-12-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  黄棋铉 ,  白升宰 ,  郑载勋

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  G11C16/04 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C16/0483 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在水平方向上延伸的半导体材料的基板。多个层间电介质层在基板上。提供多个栅图案，每个栅图案在相邻的下层间电介质层与相邻的上层间电介质层之间。半导体材料的垂直沟道在基板上并沿垂直方向延伸穿过多个层间电介质层和多个栅图案。垂直沟道具有外侧壁，外侧壁具有多个沟道凹陷，每个沟道凹陷对应于多个栅图案中的栅图案。垂直沟道具有内侧壁，内侧壁在垂直方向线形延伸。信息存储层存在于每个栅图案与垂直沟道之间在凹陷中，使栅图案与垂直沟道绝缘。

公开(公告)号：CN101312216A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810142821.3

申请日：2008-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁俊圭 ,  白升宰 ,  卢镇台 ,  林升炫 ,  朱耿嬉 ,  霍宗亮

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/42332 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 揭露了一种包括一混合结构电荷捕获层的闪存器件及其相关制造方法。所述电荷捕获层包括至少一个混合捕获层，混合捕获层包括一由具有第一带隙能量的第一材料制成的第一捕获层，以及多个彼此分离的纳米点，每个纳米点至少部分的被所述第一捕获层包围，所述多个纳米点由具有第二带隙能量的第二材料形成，第二带隙能量低于所述第一带隙能量。

公开(公告)号：CN102097387B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201010589009.2

申请日：2010-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  黄棋铉 ,  白升宰

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种制造非易失性存储器的方法，包括在衬底上形成非易失性存储单元的竖直堆叠。这通过以下步骤进行：在竖直的硅有源层的第一侧壁上形成间隔开的栅电极的竖直堆叠；以及处理该竖直硅有源层的第二侧壁以减少该有源层中的晶体缺陷和/或减少其中的界面陷阱密度。该处理能包括将该第二侧壁暴露于氧化物种，该氧化物种将该第二侧壁的表面转化为二氧化硅钝化层。掩埋绝缘图案还可直接形成在二氧化硅钝化层上。

公开(公告)号：CN102097387A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010589009.2

申请日：2010-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  黄棋铉 ,  白升宰

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种制造非易失性存储器的方法，包括在衬底上形成非易失性存储单元的竖直堆叠。这通过以下步骤进行：在竖直的硅有源层的第一侧壁上形成间隔开的栅电极的竖直堆叠；以及处理该竖直硅有源层的第二侧壁以减少该有源层中的晶体缺陷和/或减少其中的界面陷阱密度。该处理能包括将该第二侧壁暴露于氧化物种，该氧化物种将该第二侧壁的表面转化为二氧化硅钝化层。掩埋绝缘图案还可直接形成在二氧化硅钝化层上。