公开(公告)号：CN105845689B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201610073151.9

申请日：2016-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铉旭 ,  姜大雄 ,  金大新 ,  薛光洙 ,  孙镐玟 ,  林升炫

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578 ,  H01L21/8246

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的绝缘图案和介于绝缘图案之间的栅极图案；有源柱，其穿过堆叠件，并且电连接至衬底；以及电荷存储层，其介于堆叠件与有源柱之间。电荷存储层包括处于有源柱与各栅极图案之一之间的第一部分、处于有源柱与各绝缘图案之一之间的第二部分和将第一部分连接至第二部分并且厚度小于第一部分的厚度的第三部分。

公开(公告)号：CN116264526A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211584799.4

申请日：2022-12-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铉旭

IPC: H04L9/40 ,  G06F15/78

Abstract: 提供了一种片上系统、安全系统和执行认证的方法。片上系统包括非易失性存储器以及认证器，非易失性存储器包括密钥存储区域和密钥指针区域，认证器被配置为：响应于从外部装置接收的认证请求，通过使用密钥指针数据来识别存储位置；从非易失性存储器获得存储在存储位置中的密钥数据；并通过使用从外部装置接收的输入密钥和密钥数据的非对称密钥作为输入来执行加密算法。

公开(公告)号：CN105845689A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610073151.9

申请日：2016-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铉旭 ,  姜大雄 ,  金大新 ,  薛光洙 ,  孙镐玟 ,  林升炫

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42348 ,  H01L27/11551

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：堆叠件，其包括竖直地堆叠在衬底上的绝缘图案和介于绝缘图案之间的栅极图案；有源柱，其穿过堆叠件，并且电连接至衬底；以及电荷存储层，其介于堆叠件与有源柱之间。电荷存储层包括处于有源柱与各栅极图案之一之间的第一部分、处于有源柱与各绝缘图案之一之间的第二部分和将第一部分连接至第二部分并且厚度小于第一部分的厚度的第三部分。

公开(公告)号：CN116343852A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211071277.4

申请日：2022-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李铉旭

IPC: G11C7/24 ,  G11C7/22 ,  G06F15/78

Abstract: 提供一种恶意攻击保护电路、片上系统及其操作方法。所述恶意攻击保护电路包括：参考中断生成器，用于每隔参考中断周期输出参考中断信号；可变时钟管理器，用于将操作时钟信号输出到所述恶意攻击保护电路外部的逻辑电路，并且输出具有可变周期的可变时钟信号；可变中断生成器，用于基于可变时钟信号每隔可变中断周期输出中断信号；比较电路，用于将参考中断信号与中断信号进行比较，并且输出比较结果信号；以及控制器，根据比较结果信号中断输入到逻辑电路的操作时钟信号的输出。