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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN116259631A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211565868.7

申请日：2022-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙珍景 , 金承帝 , 朴志源 , 林在抱 , 曹玟锡 , 林升炫 , 崔津荣

IPC: H01L27/088 , H01L29/78 , H01L29/423

Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的有源区；元件隔离层，在衬底中与有源区相邻；衬底上的栅电极，在与第一方向交叉的第二方向上延伸；有源区上的多个沟道层，沿垂直于衬底的上表面的第三方向彼此间隔开，并由栅电极围绕；以及源/漏区，设置在有源区的与栅电极相邻的凹陷中，并连接到多个沟道层。在第一方向上，栅电极在有源区上具有第一长度并在元件隔离层上具有第二长度，第二长度大于第一长度。

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