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公开(公告)号：CN100580803C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN98126515.4
申请日：1998-12-29
申请人： 现代电子产业株式会社
IPC分类号： G11C11/401
CPC分类号： G11C7/1066 , G11C7/1006
摘要： 揭示一种具有数据选通掩模功能的芯片组存储控制器。此控制器包括第一至第N个存储模块，其是以从芯片存储控制器输出的时脉信号而同步操作，从而从各存储模块输出的数据被从芯片组存储控制器模组输出的数据掩模信号所掩蔽，且从各存储模块输出的数据的操作受从各存储模块输出的数据选通信号之控制，因此借助于额外地将一针脚安装于DDR SDRAM，并且掩模数据选通信号而实施DQM功能的逆兼容性。
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公开(公告)号：CN1319030C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN00804430.9
申请日：2000-11-30
申请人： 三星电子株式会社 , 韩国电子通信研究院 , 现代电子产业株式会社 , 海因里希-赫兹-通讯技术研究院柏林有限责任公司 , 加利福尼亚大学董事会 , 学校法人韩国情报通信学园
IPC分类号： G06T7/00
CPC分类号： G06K9/522 , G06F16/5862 , G06T7/42 , Y10S707/99933
摘要： 提供一种用于通过将输入图像变换和伽柏滤波成频率域的图像来提取纹理特征的频率域中的纹理描述方法，以及纹理描述方法的一种基于纹理的检索方法。频率域中的纹理描述方法包括：第一步骤，将时间域的图像变换成频率域的图像；第二步骤，使用具有N×M滤波器区的伽柏滤波器滤波所变换的图像，其中N和M分别是预定正整数；第三步骤，在相应于伽柏滤波器的N×M滤波器区的频率域分区分布的各个通道中，提取已经伽柏滤波的图像的特征值以及第四步骤，根据图像的特征值决定图像的纹理描述符。
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公开(公告)号：CN1266237C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN00136966.0
申请日：2000-12-29
申请人： 现代电子产业株式会社
IPC分类号： C09D133/08 , C09D5/00
CPC分类号： C07C69/54 , C07C2603/24 , C08F220/14 , C08F220/18 , C08F220/28
摘要： 本发明提供了抗反射涂料聚合物，包含该聚合物的抗反射涂料(ARC)组合物和使用该种组合物的方法。本发明的聚合物特别适用于KrF(248nm)或ArF(193nm)激光作为光源的超微平版印刷工艺中，其包括能够吸收在超微平版印刷工艺中所用波长处的光线的发色团。所述ARC降低或阻止光的背反射和衍射和/或反射光造成的临界尺寸变化的问题；也明显地降低或消除了驻波效应和反射刻痕。所述聚合物适用于制备可用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超细图案。并改进了此种半导体器件的产率。
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公开(公告)号：CN1240666C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN99118357.6
申请日：1999-08-26
申请人： 现代电子产业株式会社
IPC分类号： C07C69/757 , C08F222/00 , G03F7/00
CPC分类号： C07D493/08 , C07C69/753 , C08F32/08 , G03F7/0045 , G03F7/039
摘要： 本发明涉及一种新型单体、该单体的共聚物和从其制得的光致抗蚀剂组合物。本发明的光致抗蚀剂单体由下面化学式1表示：其中R是取代或未取代的直链或支链(C1-C10)烷基，取代或未取代的(C1-C10)醚，取代或未取代的(C1-C10)酯，或取代或未取代的(C1-C10)酮；X和Y独立地是CH2，CH2CH2，氧或硫；和i是0或1-2的整数。
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公开(公告)号：CN1215375C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN00109361.4
申请日：2000-05-30
申请人： 现代电子产业株式会社
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0045
摘要： 本发明涉及一种防止胺污染的顶部涂层组合物及一种使用所述组合物形成精细图案的方法。优选地，本发明的防止胺污染的顶部涂层组合物包括一种防止胺污染的化合物。本发明的防止胺污染的顶部涂层组合物减少或避免了由于曝光后延迟效应所引起的T形顶部涂层问题及与传统的平版印刷工艺有关的酸扩散所造成的难以形成低于100nm的精细图案的问题。
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公开(公告)号：CN1215094C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN99126381.2
申请日：1999-12-15
申请人： 现代电子产业株式会社
CPC分类号： C08F20/18 , C07C69/54 , C07C2603/24
摘要： 本发明提供具有下列通式I、II或III的一种聚合物。该聚合物含有在亚微平版印刷方法所用的波长处具有强吸收的发色团，可用作采用248nm KrF、193nm ArF或157nm F2激光的亚微平版印刷方法中的抗反射涂料(ARC)。ARC解决了光从下层衍射和反射引起CD变化的问题，也消除了由于在晶片上的下层的光学性质及其上的光敏薄膜厚度的改变而引起的驻波和反射倒陷，因而可稳定地生成适用于半导体器件的超细图案。
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公开(公告)号：CN1199279C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN00122215.5
申请日：2000-07-01
申请人： 现代电子产业株式会社
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/3145 , H01L27/1085 , H01L28/84
摘要： 本发明提供一种能够减少漏电流的发生，并具有介电常数高的电介质膜，从而确保大容量的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极。在下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理。在下部电极上蒸镀作为电介质膜的非晶TaON膜。然后，在保持非晶状态的范围内对非晶TaON膜进行热处理。之后在TaON膜上形成上部电极。
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公开(公告)号：CN1196044C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN00124022.6
申请日：2000-06-22
申请人： 现代电子产业株式会社
CPC分类号： G05B19/41865 , G05B19/4183 , G05B2219/31218 , G05B2219/32277 , Y02P90/10 , Y02P90/18 , Y02P90/20 , Y02P90/28 , Y02P90/285 , Y02P90/60
摘要： 一种在半导体工厂自动化系统中处理半导体晶片盒的方法，其中半导体晶片盒含有预定数量的半导体晶片，包括以下步骤：a)接收操作员输入的工艺进程数据和工艺制法；b)存储工艺进程数据和工艺制法；c)在半导体晶片盒装载到半导体处理装置之前，将半导体晶片盒的工艺进程数据和工艺制法发送到处理设备；以及d)根据工艺制法和工艺进程数据处理半导体晶片盒。根据本发明的方法能够减少处理半导体晶片盒所需要的时间周期。
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公开(公告)号：CN1181550C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN00124026.9
申请日：2000-06-29
申请人： 现代电子产业株式会社
CPC分类号： H01L21/3145 , C23C16/308 , H01L28/40 , H01L28/84 , H01L28/90
摘要： 一种半导体存储器元件的电容器的制造方法，配有漏泄电流发生少并具有高介电常数的电介质膜，可确保大容量。在配置MOS晶体管的半导体衬底上，形成使MOS晶体管接合区域的一部分露出的带有接触孔的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成下部电极，以接触露出的接合区域。在下部电极上蒸镀非晶质TaxOyNz膜，用预定退火工艺使非晶质TaxOyNz膜结晶。在晶质TaxOyNz膜上形成上部电极。TaxOyNz膜的x、y和z的和为1，y为0.3至0.5，z为0.1至0.3。
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公开(公告)号：CN1173409C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN00126800.7
申请日：2000-12-22
申请人： 现代电子产业株式会社
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C16/0425 , G11C2211/5611
摘要： 一种多级EEPROM单元及其制造方法。EEPROM单元包括：一个浮动栅极，通过下面的隧道氧化层与硅衬底电隔离；第一电介质层，形成于浮动栅极的顶部；第一控制栅极，形成在浮动栅极上，并且通过第一电介质层与浮动栅极电隔离；第二电介质层，形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上；第二控制栅极，形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上，并且通过第二电介质层与第一控制栅极电隔离；以及源极和漏极，它们形成在衬底中，并且与第二控制栅极两边自对准。
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