公开(公告)号：CN1173409C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN00126800.7

申请日：2000-12-22

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 蒋尚焕 ,  金基锡 ,  李根雨 ,  朴成基

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0425 ,  G11C2211/5611

Abstract: 一种多级EEPROM单元及其制造方法。EEPROM单元包括：一个浮动栅极，通过下面的隧道氧化层与硅衬底电隔离；第一电介质层，形成于浮动栅极的顶部；第一控制栅极，形成在浮动栅极上，并且通过第一电介质层与浮动栅极电隔离；第二电介质层，形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上；第二控制栅极，形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上，并且通过第二电介质层与第一控制栅极电隔离；以及源极和漏极，它们形成在衬底中，并且与第二控制栅极两边自对准。

公开(公告)号：CN1301043A

公开(公告)日：2001-06-27

申请号：CN00126800.7

申请日：2000-12-22

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 蒋尚焕 ,  金基锡 ,  李根雨 ,  朴成基

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0425 ,  G11C2211/5611

Abstract: 一种多级EEPROM单元及其制造方法。EEPROM单元包括:一个浮动栅极,通过下面的隧道氧化层与硅衬底电隔离;第一电介质层,形成于浮动栅极的顶部;第一控制栅极,形成在浮动栅极上,并且通过第一电介质层与浮动栅极电隔离;第二电介质层,形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上;第二控制栅极,形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上,并且通过第二电介质层与第一控制栅极电隔离;以及源极和漏极,它们形成在衬底中,并且与第二控制栅极两边自对准。