Invention Publication
CN1301043A 多级快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 多级快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
- Patent Title (English): Multi-stage quick EEPROM unit and manufacture thereof
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Application No.: CN00126800.7Application Date: 2000-12-22
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Publication No.: CN1301043APublication Date: 2001-06-27
- Inventor: 蒋尚焕 , 金基锡 , 李根雨 , 朴成基
- Applicant: 现代电子产业株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 现代电子产业株式会社
- Current Assignee: 现代电子产业株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 柳沈知识产权律师事务所
- Agent 陶凤波
- Priority: 60508/1999 1999.12.22 KR
- Main IPC: H01L27/115
- IPC: H01L27/115 ; H01L21/8247
Abstract:
一种多级EEPROM单元及其制造方法。EEPROM单元包括:一个浮动栅极,通过下面的隧道氧化层与硅衬底电隔离;第一电介质层,形成于浮动栅极的顶部;第一控制栅极,形成在浮动栅极上,并且通过第一电介质层与浮动栅极电隔离;第二电介质层,形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上;第二控制栅极,形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上,并且通过第二电介质层与第一控制栅极电隔离;以及源极和漏极,它们形成在衬底中,并且与第二控制栅极两边自对准。
Public/Granted literature
- CN1173409C 多级快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法 Public/Granted day:2004-10-27
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IPC分类:
