公开(公告)号：CN1173409C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN00126800.7

申请日：2000-12-22

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 蒋尚焕 ,  金基锡 ,  李根雨 ,  朴成基

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0425 ,  G11C2211/5611

Abstract: 一种多级EEPROM单元及其制造方法。EEPROM单元包括：一个浮动栅极，通过下面的隧道氧化层与硅衬底电隔离；第一电介质层，形成于浮动栅极的顶部；第一控制栅极，形成在浮动栅极上，并且通过第一电介质层与浮动栅极电隔离；第二电介质层，形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上；第二控制栅极，形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上，并且通过第二电介质层与第一控制栅极电隔离；以及源极和漏极，它们形成在衬底中，并且与第二控制栅极两边自对准。

公开(公告)号：CN1301043A

公开(公告)日：2001-06-27

申请号：CN00126800.7

申请日：2000-12-22

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 蒋尚焕 ,  金基锡 ,  李根雨 ,  朴成基

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5621 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0425 ,  G11C2211/5611

Abstract: 一种多级EEPROM单元及其制造方法。EEPROM单元包括:一个浮动栅极,通过下面的隧道氧化层与硅衬底电隔离;第一电介质层,形成于浮动栅极的顶部;第一控制栅极,形成在浮动栅极上,并且通过第一电介质层与浮动栅极电隔离;第二电介质层,形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上;第二控制栅极,形成在第一控制栅极的侧壁和顶部上,并且通过第二电介质层与第一控制栅极电隔离;以及源极和漏极,它们形成在衬底中,并且与第二控制栅极两边自对准。

公开(公告)号：CN1050699C

公开(公告)日：2000-03-22

申请号：CN96107224.5

申请日：1996-03-22

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 蒋尚焕 ,  韩星英

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/265 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0475 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/0458 ,  G11C2211/5612 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L29/7887

Abstract: 本发明涉及一种快速EEPROM(电可擦可编程只读存贮器)单元及其制造方法，特别地，通过根据两个浮栅是否被编程或删除而使有效沟道长度改变以及偏置连接，使得这种EEPROM单元具有三种不同的输出电平，其中两个浮栅形成于沟道区中。

公开(公告)号：CN1145534A

公开(公告)日：1997-03-19

申请号：CN96107224.5

申请日：1996-03-22

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 蒋尚焕 ,  韩星英

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0475 ,  G11C11/5621 ,  G11C16/0458 ,  G11C2211/5612 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11517 ,  H01L29/7887

Abstract: 本发明涉及一种快速EEPROM(电可擦可编程只读存贮器)单元及其制造方法，特别地，通过根据两个浮栅是否被编程或删除而使有效沟道长度改变以及偏置连接，使得这种EEPROM单元具有三种不同的输出电平，其中两个浮栅形成于沟道区中。