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公开(公告)号：CN1162752C
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN99125858.4
申请日：1999-11-26
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: C07D407/12 , C07D317/12 , C07D319/06
Abstract: 本发明涉及用于光致抗蚀剂的交联剂，该光致抗蚀剂适用于使用KrF(248nm)，ArF(193nm)，电子束，离子束或EUV光源的照相平板印刷法中。按照本发明，优选的交联剂含有一种具有来源于(i)由下列化学分子式1表示的化合物和/或(ii)选自由丙烯酸，甲基丙烯酸和马来酸酐所组成的组中的一种或多种化合物的重复单元的共聚物。
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公开(公告)号：CN1118936A
公开(公告)日：1996-03-20
申请号：CN95107566.7
申请日：1995-07-14
Applicant: 现代电子产业株式会社
Inventor： 金炯秀
IPC: H01L21/30
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F7/2022 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , Y10S438/947
Abstract: 一种形成半导体器件超微细图案的方法，其步骤为：在底层上涂覆光刻胶薄膜；通过掩模先接受一次曝光，光能量小于薄膜厚度的阈能；掩模位移预定距离后，再接受小于阈能的第二次曝光；显影完全除去两次曝光重叠区域及半除去一次曝光区域，形成光刻胶薄膜图案，再沉积上隔离层；对隔离层进行各向异性腐蚀，在光刻胶图案线条侧壁上剩下隔离物；再对光刻胶薄膜图案和底层进行干腐蚀，形成具有超微细宽度和超微细间距的底层图案。
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公开(公告)号：CN1166704C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN99124973.9
申请日：1999-12-23
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: C08F212/08 , C08F220/10 , C09D125/14 , C09D5/32
CPC classification number: C08F212/14 , C08F8/34 , G03F7/023 , G03F7/091 , C08F12/14 , C08F220/20
Abstract: 提供了适用于半导体器件的防反射性涂料的重氮萘醌磺酰基取代的聚合物及其制法。该涂料在照相平版印刷过程中用于半导体器件，防止来自该器件底涂层的或由光致抗蚀涂层厚度变化带来的光反射，并且消除了当使用ArF光时的驻波效应。还提供了仅含有这些有机防反射性涂料聚合物或另外结合了某些光吸收性化合物的防反射性组合物和涂料及制法。该聚合物用于防反射性涂层时，在生产64M，256M，1G，4G和16G DRAM半导体器件时提高了形成亚微图形的产率。
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公开(公告)号：CN1255653A
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：CN99125858.4
申请日：1999-11-26
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: C07D407/12 , C07D317/12 , C07D319/06
Abstract: 本发明涉及用于光致抗蚀剂的交联剂,该光致抗蚀剂适用于使用KrF(248nm),ArF(193nm),电子束,离子束或EUV光源的照相平板印刷法中。按照本发明,优选的交联剂含有一种具有来源于(i)由下列化学分子式1表示的化合物和/或(ii)选自由丙烯酸,甲基丙烯酸和马来酸酐所组成的组中的一种或多种化合物的重复单元的共聚物。
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公开(公告)号：CN1276541A
公开(公告)日：2000-12-13
申请号：CN00109361.4
申请日：2000-05-30
Applicant: 现代电子产业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0045
Abstract: 本发明涉及一种防止胺污染的顶部涂层组合物及一种使用所述组合物形成精细图案的方法。优选地,本发明的防止胺污染的顶部涂层组合物包括一种防止胺污染的化合物。本发明的防止胺污染的顶部涂层组合物减少或避免了由于曝光后延迟效应所引起的T形顶部涂层问题及与传统的平版印刷工艺有关的酸扩散所造成的难以形成低于100nm的精细图案的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1215375C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN00109361.4
申请日：2000-05-30
Applicant: 现代电子产业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0045
Abstract: 本发明涉及一种防止胺污染的顶部涂层组合物及一种使用所述组合物形成精细图案的方法。优选地，本发明的防止胺污染的顶部涂层组合物包括一种防止胺污染的化合物。本发明的防止胺污染的顶部涂层组合物减少或避免了由于曝光后延迟效应所引起的T形顶部涂层问题及与传统的平版印刷工艺有关的酸扩散所造成的难以形成低于100nm的精细图案的问题。
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公开(公告)号：CN1163796C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN99125856.8
申请日：1999-11-26
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: C08F216/38 , C07C43/303 , C08F220/06 , G03F7/0382
Abstract: 本发明涉及用于光致抗蚀剂组合物的交联剂，该光致抗蚀剂组合物适用于使用KrF(248nm)，ArF(193nm)，电子束，离子束或EUV光源的照相平板印刷法中。按照本发明，优选的交联剂含有(i)由下列化学分子式1表示的化合物和/或(ii)选自由丙烯酸，甲基丙烯酸和马来酸酐所组成的组中的一种或多种化合物的一种共聚物。
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公开(公告)号：CN1075245C
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：CN95107566.7
申请日：1995-07-14
Applicant: 现代电子产业株式会社
Inventor： 金炯秀
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F7/2022 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , Y10S438/947
Abstract: 一种形成半导体器件超微细图案的方法，其步骤为：在底层上涂覆光刻胶薄膜；通过掩模先接受一次曝光，光能量小于薄膜厚度的阈能；掩模位移预定距离后，再接受小于阈能的第二次曝光；显影完全除去两次曝光重叠区域及半除去一次曝光区域，形成光刻胶薄膜图案，再沉积上隔离层；对隔离层进行各向异性腐蚀，在光刻胶图案线条侧壁上剩下隔离物；再对光刻胶薄膜图案和底层进行干腐蚀，形成具有超微细宽度和超微细间距的底层图案。
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公开(公告)号：CN1260355A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN99124973.9
申请日：1999-12-23
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: C08F212/08 , C08F220/10 , C09D125/14 , C09D5/32
CPC classification number: C08F212/14 , C08F8/34 , G03F7/023 , G03F7/091 , C08F12/14 , C08F220/20
Abstract: 提供了适用于半导体器件的防反射性涂料的重氮萘醌磺酰基取代的聚合物及其制法。该涂料在照相平版印刷过程中用于半导体器件,防止来自该器件底涂层的或由光致抗蚀涂层厚度变化带来的光反射,并且消除了当使用ArF光时的驻波效应。还提供了仅含有这些有机防反射性涂料聚合物或另外结合了某些光吸收性化合物的防反射性组合物和涂料及制法。该聚合物用于防反射性涂层时,在生产64M,256M,1G,4G和16GDRAM半导体器件时提高了形成亚微图形的产率。
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公开(公告)号：CN1255652A
公开(公告)日：2000-06-07
申请号：CN99125856.8
申请日：1999-11-26
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: C08F216/38 , C07C43/303 , C08F220/06 , G03F7/0382
Abstract: 本发明涉及用于光致抗蚀剂组合物的交联剂,该光致抗蚀剂组合物适用于使用KrF(248nm),ArF(193nm),电子束,离子束或EUV光源的照相平板印刷法中。按照本发明,优选的交联剂含有(i)由下列化学分子式1表示的化合物和/或(ii)选自由丙烯酸,甲基丙烯酸和马来酸酐所组成的组中的一种或多种化合物的一种共聚物。
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