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公开(公告)号：CN1240666C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN99118357.6
申请日：1999-08-26
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: C07C69/757 , C08F222/00 , G03F7/00
CPC classification number: C07D493/08 , C07C69/753 , C08F32/08 , G03F7/0045 , G03F7/039
Abstract: 本发明涉及一种新型单体、该单体的共聚物和从其制得的光致抗蚀剂组合物。本发明的光致抗蚀剂单体由下面化学式1表示：其中R是取代或未取代的直链或支链(C1-C10)烷基，取代或未取代的(C1-C10)醚，取代或未取代的(C1-C10)酯，或取代或未取代的(C1-C10)酮；X和Y独立地是CH2，CH2CH2，氧或硫；和i是0或1-2的整数。
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公开(公告)号：CN1215375C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN00109361.4
申请日：2000-05-30
Applicant: 现代电子产业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/0045
Abstract: 本发明涉及一种防止胺污染的顶部涂层组合物及一种使用所述组合物形成精细图案的方法。优选地，本发明的防止胺污染的顶部涂层组合物包括一种防止胺污染的化合物。本发明的防止胺污染的顶部涂层组合物减少或避免了由于曝光后延迟效应所引起的T形顶部涂层问题及与传统的平版印刷工艺有关的酸扩散所造成的难以形成低于100nm的精细图案的问题。
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公开(公告)号：CN1146602C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN99106401.1
申请日：1999-04-30
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: C08F222/40 , C08F232/04 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/38 , C08F222/40 , C08F232/04 , G03F7/0045 , G03F7/039
Abstract: 本发明涉及下式1所示的聚合物和采用该聚合物形成显微图形的方法[式1]，其中，R1为C1-C10直链或支链烷基或苄基；R2为C1-C10伯醇、仲醇或叔醇基；m和n相互独立地代表1-3的数；以及X、Y和Z分别是共聚单体的聚合比。本发明的光致抗蚀剂聚合物适于利用ArF、E-射线、EUV或离子射线等光源来形成4G或16G半导体器件所用的超显微图形。
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公开(公告)号：CN1308089A
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN00136237.2
申请日：2000-12-25
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: C08F20/32 , C09D133/14 , C09D5/32
CPC classification number: C08F220/34 , G03F7/091
Abstract: 本发明提供了一种适合用于抗反射涂层(ARC)的聚合物、含有该聚合物的ARC组合物、其制备方法以及其使用方法。本发明的聚合物特别适用于超微平版印刷工艺,例如使用KrF(248nm)、ArF(193nm)或F2(157nm)激光器作光源的超微平版印工艺。该聚合物包括一种生色团,它能吸收平版印刷工艺中所使用波长的光,从而大大降低或防止了光的背反射和CD变化的问题。本发明的ARC还可大大降低或消除驻波影响及反射缺口。因此,本发明的ARC能形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM的半导体装置的、稳定的、超精细结构的图形。
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公开(公告)号：CN1301778A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：CN00137446.X
申请日：2000-12-25
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: C08G16/04 , C09D159/00
CPC classification number: C08F8/00 , C08F2800/10 , C08F116/36
Abstract: 本发明提供了抗反射涂料聚合物,包含该聚合物的抗反射涂料(ARC)组合物和使用该种组合物的方法。本发明的抗反射涂料聚合物特别适用于KrF(248nm),ArF(193nm)或F2(157nm)激光作为光源的超微平版印刷方法中,其包括能够吸收在超微平版印刷工艺中所用波长处的光线的发色团。所述ARC降低或阻止光的背反射和衍射和/或反射光造成的临界尺寸变化的问题;也明显地降低或消除了驻波效应和反射刻痕。所述适用于制备64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超细图案。并改进了此种半导体器件的产率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1288902A
公开(公告)日：2001-03-28
申请号：CN00131746.6
申请日：2000-09-07
Applicant: 现代电子产业株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08F212/08 , C08F216/38 , C08K5/42 , C08L25/08 , C08L29/14 , C08L33/066 , C09D125/08 , C09D129/14 , G03F7/0045 , G03F7/038 , C08L2666/04 , C08F2220/1808 , C08F212/14
Abstract: 公开了一种适合用于超微平版印刷的抗反射薄膜组合物,包括一种含如下化学通式11的化合物作为交联剂和生色团及如下化学通式12的化合物。本发明的有机抗反射薄膜有效吸收通过涂于抗反射薄膜上的光刻胶薄膜渗透的光,由此大大降低驻波影响。因此,本发明的有机抗反射薄膜可形成清晰的超细轮廓的图形,大大有助于半导体元件的高集成。其中:a,b和c为摩尔数,其满足条件:比例a∶b为0.1—1.0∶0.1—1.0和c为1:R′和R″独立地为氢或甲基;R1、R2和R4为相同或不同的,各自表示含1—5个碳原子的取代或末取代的线性或支化烷基;和R3为氢或含1—5个碳原子的取代或未取代的线性或支化烷基。
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公开(公告)号：CN1221856C
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN99105365.6
申请日：1999-04-30
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: G03F7/00 , C08F220/06 , C08F232/04
CPC classification number: C08F8/42 , C08F222/06 , C08F232/04 , G03F7/0045 , G03F7/039 , G03F7/38 , Y10S430/106
Abstract: 本发明涉及下式1所示的聚合物和采用该聚合物形成显微图形的方法，其中，R为C1-C10伯醇或仲醇基；m和n相互独立地代表1-3的数；以及a∶b∶c之比为(10-80)摩尔%∶(10-80)摩尔%∶(10-80)摩尔%。本发明的光致抗蚀剂聚合物适于利用ArF、E-射线、EUV或离子射线等光源来形成4G或16G半导体器件所用的超显微图形。
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公开(公告)号：CN1216926C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN00137446.X
申请日：2000-12-25
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: C08G16/04 , C09D159/00
CPC classification number: C08F8/00 , C08F2800/10 , C08F116/36
Abstract: 本发明提供了抗反射涂料聚合物，包含该聚合物的抗反射涂料(ARC)组合物和使用该种组合物的方法。本发明的抗反射涂料聚合物特别适用于KrF(248nm)，ArF(193nm)或F2(157nm)激光作为光源的超微平版印刷方法中，其包括能够吸收在超微平版印刷工艺中所用波长处的光线的发色团。所述ARC降低或阻止光的背反射和衍射和/或反射光造成的临界尺寸变化的问题；也明显地降低或消除了驻波效应和反射刻痕。所述适用于制备64M、256M、1G、4G和16G DRAM半导体器件的稳定的超细图案。并改进了此种半导体器件的产率。
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公开(公告)号：CN1200014C
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN00136237.2
申请日：2000-12-25
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: C08F20/32 , C09D133/14 , C09D5/32
CPC classification number: C08F220/34 , G03F7/091
Abstract: 本发明提供了一种适合用于抗反射涂层(ARC)的聚合物、含有该聚合物的ARC组合物、其制备方法以及其使用方法。本发明的聚合物特别适用于超微平版印刷工艺，例如使用KrF(248nm)、ArF(193nm)或F2(157nm)激光器作光源的超微平版印工艺。该聚合物包括一种生色团，它能吸收平版印刷工艺中所使用波长的光，从而大大降低或防止了光的背反射和CD变化的问题。本发明的ARC还可大大降低或消除驻波影响及反射缺口。因此，本发明的ARC能形成适用于64M、256M、1G、4G和16G DRAM的半导体装置的、稳定的、超精细结构的图形。
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