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CN1221856C 聚合物和使用该聚合物形成显微图形的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 聚合物和使用该聚合物形成显微图形的方法
- Patent Title (English): Polymer and forming method of micro pattern using the same
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Application No.: CN99105365.6Application Date: 1999-04-30
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Publication No.: CN1221856CPublication Date: 2005-10-05
- Inventor: 郑载昌 , 卢致亨 , 卜喆圭 , 金明洙 , 李根守 , 白基镐 , 金亨基 , 郑旼镐
- Applicant: 现代电子产业株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 现代电子产业株式会社
- Current Assignee: 现代电子产业株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 丁业平; 王达佐
- Priority: 16221/1998 1998.04.30 KR
- Main IPC: G03F7/00
- IPC: G03F7/00 ; C08F220/06 ; C08F232/04
Abstract:
本发明涉及下式1所示的聚合物和采用该聚合物形成显微图形的方法，其中，R为C1-C10伯醇或仲醇基；m和n相互独立地代表1-3的数；以及a∶b∶c之比为(10-80)摩尔%∶(10-80)摩尔%∶(10-80)摩尔%。本发明的光致抗蚀剂聚合物适于利用ArF、E-射线、EUV或离子射线等光源来形成4G或16G半导体器件所用的超显微图形。
Public/Granted literature
- CN1235171A 聚合物和使用该聚合物形成显微图形的方法 Public/Granted day:1999-11-17
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