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公开(公告)号：CN1181550C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN00124026.9
申请日：2000-06-29
Applicant: 现代电子产业株式会社
CPC classification number: H01L21/3145 , C23C16/308 , H01L28/40 , H01L28/84 , H01L28/90
Abstract: 一种半导体存储器元件的电容器的制造方法，配有漏泄电流发生少并具有高介电常数的电介质膜，可确保大容量。在配置MOS晶体管的半导体衬底上，形成使MOS晶体管接合区域的一部分露出的带有接触孔的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成下部电极，以接触露出的接合区域。在下部电极上蒸镀非晶质TaxOyNz膜，用预定退火工艺使非晶质TaxOyNz膜结晶。在晶质TaxOyNz膜上形成上部电极。TaxOyNz膜的x、y和z的和为1，y为0.3至0.5，z为0.1至0.3。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1172361C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN00137647.0
申请日：2000-12-31
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/31
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02183 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02315 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L21/3145 , H01L27/1085
Abstract: 本发明提供一种既能制成确保优良电特性和高电容量并除去了杂质的优良电介质膜，又能简化制造工序并节省了生产成本的半导体装置的电容器的制造方法。该方法由以下工序组成：在半导体晶片的下部构造物上形成下部电极；在上述下部电极的上部蒸镀非晶质TaON薄膜后，在NH3气氛中至少进行1次以上的退火工序，形成多层构造的TaON电介质膜；在上述多层构造的TaON电介质膜的上部形成上部电极。
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公开(公告)号：CN1280390A
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：CN00124026.9
申请日：2000-06-29
Applicant: 现代电子产业株式会社
CPC classification number: H01L21/3145 , C23C16/308 , H01L28/40 , H01L28/84 , H01L28/90
Abstract: 一种半导体存储器元件的电容器,配有漏泄电流发生少并具有高介电常数的电介质膜,可确保大容量。在配置MOS晶体管的半导体衬底上,形成使MOS晶体管接合区域的一部分露出的带有接触孔的层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成下部电极,以接触露出的接合区域。在下部电极上蒸镀非晶质TaxOyNz膜,用预定退火工艺使非晶质TaxOyNz膜结晶。在晶质TaxOyNz膜上形成上部电极。TaxOyNz膜的x、y和z的和为1,y为0.3至0.5,z为0.1至0.3。
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公开(公告)号：CN1306304A
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：CN00137647.0
申请日：2000-12-31
Applicant: 现代电子产业株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/31
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/02183 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/02315 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L21/3145 , H01L27/1085
Abstract: 本发明提供一种既能制成确保优良电特性和高电容量并除去了杂质的优良电介质膜,又能简化制造工序并节省了生产成本的半导体装置的电容器的制造方法。该方法由以下工序组成:在半导体晶片的下部构造物上形成下部电极;在上述下部电极的上部蒸镀非晶质TaON薄膜后,在NH3气氛中至少进行1次以上的退火工序,形成多层构造的TaON电介质膜;在上述多层构造的TaON电介质膜的上部形成上部电极。
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公开(公告)号：CN1168144C
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN00124027.7
申请日：2000-07-01
Applicant: 现代电子产业株式会社
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/3145 , H01L27/10852 , H01L28/84 , H01L28/91
Abstract: 本发明提供一种能够减少漏电流的发生、具有介电常数高的电介质膜的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极。在下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理。在下部电极上蒸镀作为电介质的(TaO)1-x(TiO)N膜。然后，进行使(TaO)1-x(TiO)N膜结晶化的热处理工序。之后在(TaO)1-x(TiO)N膜上形成上部电极。
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公开(公告)号：CN1280391A
公开(公告)日：2001-01-17
申请号：CN00124027.7
申请日：2000-07-01
Applicant: 现代电子产业株式会社
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/3145 , H01L27/10852 , H01L28/84 , H01L28/91
Abstract: 本发明提供一种能够减少漏电流的发生、具有介电常数高的电介质膜的半导体元件的电容器。本发明包括在半导体衬底上形成下部电极;在下部电极表面上进行阻止自然氧化膜发生的表面处理。在下部电极上蒸镀作为电介质的(TaO)1-x(TiO)N膜。然后,进行使(TaO)1－x(TiO)N膜结晶化的热处理工序。之后在(TaO)1－x(TiO)N膜上形成上部电极。
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