Invention Grant
CN1172361C 半导体装置的电容器的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体装置的电容器的制造方法
- Patent Title (English): Method for mfg. capacitor of semiconductor device
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Application No.: CN00137647.0Application Date: 2000-12-31
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Publication No.: CN1172361CPublication Date: 2004-10-20
- Inventor: 李起正 , 金东俊
- Applicant: 现代电子产业株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 现代电子产业株式会社
- Current Assignee: 现代电子产业株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 杨梧
- Priority: 68094/1999 1999.12.31 KR
- Main IPC: H01L21/70
- IPC: H01L21/70 ; H01L21/28 ; H01L21/3205 ; H01L21/31
Abstract:
本发明提供一种既能制成确保优良电特性和高电容量并除去了杂质的优良电介质膜，又能简化制造工序并节省了生产成本的半导体装置的电容器的制造方法。该方法由以下工序组成：在半导体晶片的下部构造物上形成下部电极；在上述下部电极的上部蒸镀非晶质TaON薄膜后，在NH3气氛中至少进行1次以上的退火工序，形成多层构造的TaON电介质膜；在上述多层构造的TaON电介质膜的上部形成上部电极。
Public/Granted literature
- CN1306304A 半导体装置的电容器的制造方法 Public/Granted day:2001-08-01
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IPC分类:
