公开(公告)号：CN1209817C

公开(公告)日：2005-07-06

申请号：CN00104867.8

申请日：2000-01-11

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 杨羽暎 ,  崔周善 ,  魏在庆 ,  薛永镐 ,  吴进根 ,  金泌中 ,  赵浩烨

IPC: H01L27/04 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C29/781 ,  G11C17/18

Abstract: 耐熔熔丝电路包括三个子模块：具有控制信号和地址输入的多路转移器；由振荡器和电荷泵构成的一个编程电压发生器；以及用于编程/读出耐熔熔丝状态的耐熔熔丝单元电路。针对在特定测试模式下编程的一个耐熔熔丝，由一个具有控制信号和地址输入的程序地址发生电路来启动编程电压发生器，并且提供一个用于选择耐熔熔丝的具体的编程地址。在耐熔熔丝单元电路中，在选定了用于编程的耐熔熔丝元件时，来自编程电压发生器的程序地址和编程电压信号被用来将耐熔熔丝的端子切换到一个编程电压电平。

公开(公告)号：CN1233836A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN98126515.4

申请日：1998-12-29

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 崔周善 ,  尹锡彻

IPC: G11C11/401

CPC classification number: G11C7/1066 ,  G11C7/1006

Abstract: 揭示一种具有数据选通掩模功能的芯片组存储控制器。此控制器包括第一至第N个存储模块,其是以从芯片存储控制器输出的时脉信号而同步操作,从而从各存储模块输出的数据被从芯片组存储控制器模组输出的数据掩模信号所掩蔽,且从各存储模块输出的数据的操作受从各存储模块输出的数据选通信号之控制,因此借助于额外地将一针脚安装于DDRSDRAM,并且掩模数据选通信号而实施DQM功能的逆兼容性。

公开(公告)号：CN1266285A

公开(公告)日：2000-09-13

申请号：CN00104867.8

申请日：2000-01-11

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 杨羽暎 ,  崔周善 ,  魏在庆 ,  薛永镐 ,  吴进根 ,  金泌中 ,  赵浩烨

IPC: H01L23/58 ,  H01L27/108 ,  G11C16/00 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C29/781 ,  G11C17/18

Abstract: 耐熔熔丝电路包括三个子模块:具有控制信号和地址输入的多路转移器;由振荡器和电荷泵构成的一个编程电压发生器;以及用于编程/读出耐熔熔丝状态的耐熔熔丝单元电路。针对在特定测试模式下编程的一个耐熔熔丝,由一个具有控制信号和地址输入的程序地址发生电路来启动编程电压发生器,并且提供一个用于选择耐熔熔丝的具体的编程地址。在耐熔熔丝单元电路中,在选定了用于编程的耐熔熔丝元件时,来自编程电压发生器的程序地址和编码电压信号被用来将耐熔熔丝的端子切换到一个编程电压电平。

公开(公告)号：CN100580803C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN98126515.4

申请日：1998-12-29

Applicant: 现代电子产业株式会社

Inventor： 崔周善 ,  尹锡彻

IPC: G11C11/401

CPC classification number: G11C7/1066 ,  G11C7/1006

Abstract: 揭示一种具有数据选通掩模功能的芯片组存储控制器。此控制器包括第一至第N个存储模块，其是以从芯片存储控制器输出的时脉信号而同步操作，从而从各存储模块输出的数据被从芯片组存储控制器模组输出的数据掩模信号所掩蔽，且从各存储模块输出的数据的操作受从各存储模块输出的数据选通信号之控制，因此借助于额外地将一针脚安装于DDR SDRAM，并且掩模数据选通信号而实施DQM功能的逆兼容性。